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摘要：組件弱光損失是組件在弱光條件下轉換效率的降低帶來發(fā)電量的損失，不同類型的組件產品由于電池片制造技術的不同其弱光性能的表現(xiàn)會有一定的差異，對弱光性能有重要影響的兩個參數(shù)為組件串聯(lián)電阻值Rs和并聯(lián)電阻值Rsh。由于光伏組件的理論模型較為復雜，對其輸出特性的研究一般采用仿真實驗的模式，目前PVsyst仿真建模在弱光參數(shù)的設置上默認以該軟件自身提供的實驗數(shù)據和美國Sandia數(shù)據作為基礎，但在實際建模過程中發(fā)現(xiàn)，使用默認的數(shù)據和預期的結果存在一定的差異，因此不能很準確地反映真實的弱光性能。在此前提下本文基于多晶組件弱光200W/m2條件下的第三方測試數(shù)據，嘗試對組件PAN文件中的參數(shù)進行優(yōu)化調整，使得在弱光下的發(fā)電量預測更加準確，除此，文中參考PVsyst用戶手冊展示了Rs和Rsh優(yōu)化調整的方法。

在標準測試條件下（STC）太陽能模擬器的光強為1000W/m2，而大部分地區(qū)戶外的實際輻照度都要小于這個值，一般將輻照度低于1000W/m2的光照定義為弱光。比如圖1為南京地區(qū)年水平輻照強度的分布，可以看出輻照度低于200W/m2約占38.18%，在400-600 W/m2之間約占20%，600-800 W/m2約占11%，所以光伏系統(tǒng)全年發(fā)電量的大小就取決于組件在弱光下的發(fā)電能力，尤其對于輻照度水平較低的國家和地區(qū)。晶硅組件在弱光下主要體現(xiàn)在電池片的開路電壓Voc的降低，進而導致電池片的效率降低，如圖2 為不同并聯(lián)電阻值的多晶組件在戶外測試條件下Voc隨輻照的變化趨勢，組件并聯(lián)電阻越低，Voc下降幅度越大，當并聯(lián)電阻值在141Ω或220Ω左右時Voc降低不明顯，即使降到50 W/m2-100W/m2一般只減少2V左右。從圖2 的結果也從側面說明了相同功率的不同組件在STC條件下的轉換效率可能有很小的差異，但是由于并聯(lián)電阻不同，在200W/m2下可能就有很大差別。其中Rsh是影響組件弱光性能的一個重要參數(shù)，另外還包括串聯(lián)電阻值Rs和二極管理想因子，因為二極管理想因子和Rs相互關聯(lián)，Rs值改變后，二極管理想因子也會隨著改變，所以本文主要探討Rsh和Rs這兩個參數(shù)對組件弱光性能的影響以及優(yōu)化調整的方法。

圖1 南京地區(qū)年水平輻照度分布（%）（數(shù)據來源：Meteonorm6.1氣象軟件）