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4、優(yōu)化后不同輻照下的電性能模擬結(jié)果和弱光損失比例

上文對XXX240-60P多晶組件的弱光參數(shù)優(yōu)化，Rsh缺少相關(guān)數(shù)據(jù)仍保留為默認值，根據(jù)第三方測試數(shù)據(jù)對Rs（module）進行了優(yōu)化，表8為優(yōu)化后該組件在不同輻照度下和25℃條件的模擬結(jié)果，200W/m2時的數(shù)據(jù)基本上和第三方的測試結(jié)果較為吻合。

表8優(yōu)化后的結(jié)果（Rs（module）=0.345Ω，Rsh（Gref）=250Ω，

Rsh（0）=1000Ω，Rsh（exp）=5.5，Tm=25℃）


緊接著基于南京地區(qū)的氣象數(shù)據(jù)，使用該組件對優(yōu)化前后的兩種情況進行發(fā)電量模擬，如圖14和圖15所示，優(yōu)化前弱光損失比例在2.3%，優(yōu)化后在1.0%，這個值的大小也和當(dāng)?shù)氐娜贻椪涨闆r有關(guān)，在不同的地區(qū)會有差異，參考表9。


5、討論和問題

文中結(jié)合PVsyst6軟件詳細分析了并聯(lián)電阻值和串聯(lián)電阻值對弱光性能的影響，模擬結(jié)果表明PVsyst6模型中并聯(lián)電阻較大時（在200Ω以上）對弱光的影響較小，如南京地區(qū)約為0.5%左右，而串聯(lián)電阻的微小變化對弱光性能的影響較大，所以該軟件研究弱光性能的重點也放在了串聯(lián)電阻上面。文中介紹了四個弱光參數(shù)Rs（module）、Rsh（Gref）、Rsh(0)和Rsh（exp）的優(yōu)化方法，并根據(jù)現(xiàn)有的樣本實測數(shù)據(jù)對某組件的Rs進行了優(yōu)化，有助于提高該組件在弱光性能預(yù)測時的準確性。優(yōu)化的前提最好利用來自將用于安裝使用的實際組件所獲得的弱光測試數(shù)據(jù)，當(dāng)然數(shù)據(jù)要按照規(guī)范測試得到并有一定的可信度。

PVsyst軟件給設(shè)計人員帶來了很多幫助，但筆者覺的模型還有待完善之處，如串聯(lián)電阻對弱光是一個關(guān)鍵因素，相關(guān)研究文獻已提到串聯(lián)電阻值和輻照的變化關(guān)系，但在PVsyst6模型中對兩者之間的關(guān)系還尚未提及，筆者相信以后隨著版本的更新會得到解決。