1、串聯(lián)電阻值對(duì)弱光性能的影響
在PVsyst模型中,組件實(shí)際測(cè)試的串聯(lián)電阻值被定義為Series Resistance(apparent),簡寫為Rs(apparent),而SeriesResistance(module)為單二極管模型有關(guān)的電阻值,簡寫為Rs(module),這個(gè)值無法從組件的Datasheet得到,一般需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整。以XXX-240P多晶組件為例,在PVsyst默認(rèn)的組件PAN文件參數(shù)里面,該組件標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的Rs(apparent)值為0.48Ω,Rs(module)為0.281Ω,標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下并聯(lián)電阻值Rsh(Gref)為250Ω。
現(xiàn)將Rsh(Gref)固定為250Ω,Rsh(0)默認(rèn)為Rsh(Gref)的4倍,Rsh(exp)=5.5,這里的Rsh(0)和Rsh(exp)會(huì)在第三部分詳細(xì)說明,假設(shè)Rs(module)值分別取為0.35Ω和0.413Ω,和默認(rèn)的0.281Ω進(jìn)行比較,使用PVsyst軟件可得到不同輻照度下組件的峰值功率和NOCT條件下組件的峰值功率Pmax,結(jié)果參考表1。
表1 XXX-240P組件在不同Rs(module)值和不同輻照度下的Pmax比較(Rsh(Gref)=250Ω)
圖3為不同Rs(module)值在不同輻照下的相對(duì)STC 時(shí)轉(zhuǎn)換效率,從表1和圖3模擬結(jié)果可知,和默認(rèn)值0.281Ω相比,適當(dāng)提高組件的Rs(module)值,可以提升弱光下的輸出性能。
圖3 不同Rs(module)值在不同輻照下的相對(duì)STC轉(zhuǎn)換效率比較(@Rsh(Gref)=250Ω)
表2為基于南京地區(qū)不同Rs(module)的組件系統(tǒng)弱光損失對(duì)比,當(dāng)Rs(module)以0.005Ω微小變化時(shí),弱光損失的變化幅度約在0.1%左右,即說明了Rs(module)的微小變化對(duì)弱光損失的影響很大。
表2 XXX-240P組件系統(tǒng)取不同Rs(module)值的全年弱光損失比較(@Rsh(Gref)=250Ω,Pm=96kW)