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(GB/T 6618-2009)硅片厚度和總厚度變化測試方法
日期:2015-02-10   [復(fù)制鏈接]
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1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片(簡稱硅片)厚度和總厚度變化的分立式和掃描式測量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合GB/T 12964,GB/T 12965,GB/T 14139規(guī)定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變化的測量。在測試儀器允許的情況下,本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度和總厚度變化的測量。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款.凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T 2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃(GB/T 2828.1-2003,ISO 2859-1:1999,IDT)

GB/T 12964硅單晶拋光片

GB/T 12965硅單晶切割片和研磨片

GB/T 14139硅外延片

3方法概述

3.1分立點(diǎn)式測里


在硅片中心點(diǎn)和距硅片邊緣6mm圓周上的4個(gè)對稱位置點(diǎn)測量硅片厚度。其中兩點(diǎn)位于與硅片主參考面垂直平分線逆時(shí)針方向的夾角為30。的直徑上,另外兩點(diǎn)位于與該直徑相垂直的另一直徑上(見圖1)。硅片中心點(diǎn)厚度作為硅片的標(biāo)稱厚度。5個(gè)厚度測量值中的最大厚度與最小厚度的差值稱作硅片的總厚度變化。


 
 
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