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　7測(cè)量程序

　7.1測(cè)且環(huán)境條件

7.1.1溫度：18℃-28℃。

7.1.2濕度：不大于65％。

7.1.3潔凈度：10 000級(jí)潔凈室。

7.1.4具有電磁屏蔽，且不與高頻設(shè)備共用電源。

7.1.5工作臺(tái)振動(dòng)小于0.5gn。

7.2儀器校正

7.2.1用一組厚度校正標(biāo)準(zhǔn)片（見5.2.5)置于厚度測(cè)量?jī)x平臺(tái)或支架上進(jìn)行測(cè)量。

7.2.2調(diào)整厚度測(cè)量?jī)x，使所得測(cè)量值與厚度校正標(biāo)準(zhǔn)片的厚度標(biāo)準(zhǔn)值之差在2µm以內(nèi)。

7.2.3以標(biāo)稱厚度為橫坐標(biāo)，測(cè)試值為縱坐標(biāo)在坐標(biāo)系上描點(diǎn)，通過兩個(gè)端點(diǎn)畫一條直線。在兩個(gè)端點(diǎn)畫出對(duì)應(yīng)端點(diǎn)值±0.5％的兩個(gè)點(diǎn)，通過兩個(gè)＋0.5％和一0.5％的點(diǎn)各畫一條限制線（如圖5所示），觀察描繪的點(diǎn)都落在限制線之內(nèi)（含線上），就認(rèn)為設(shè)備滿足測(cè)試的線性要求。否則應(yīng)對(duì)儀器重新進(jìn)行調(diào)整。


7.3測(cè)量校準(zhǔn)

7.3.1用一塊與被測(cè)硅片厚度相差50μm之內(nèi)的厚度標(biāo)準(zhǔn)片，置于厚度測(cè)量?jī)x平臺(tái)或支架上進(jìn)行測(cè)量。

7.3.2調(diào)整厚度測(cè)量?jī)x，使所得測(cè)量值與該厚度校正標(biāo)準(zhǔn)片的厚度標(biāo)準(zhǔn)值之差在2μm以內(nèi)即可。

7.4測(cè)且

7.4.1分立點(diǎn)式測(cè)量包括接觸式與非接觸式兩種。

7.4.1.1選取待測(cè)硅片，正面朝上放人夾具中，或置于厚度測(cè)量?jī)x的平臺(tái)或支架上。

7.4.1.2將厚度測(cè)量?jī)x探頭置于硅片中心位置（見圖1)（偏差在±2mm之內(nèi)），測(cè)量厚度記為ti，即為
該片標(biāo)稱厚度。（采用接觸式測(cè)量時(shí)，應(yīng)翻轉(zhuǎn)硅片，重復(fù)操作，厚度記為tl 7，比較ti與ti'較小值為該片標(biāo)稱厚度值。）

7.4.1.3移動(dòng)硅片，使厚度測(cè)量?jī)x探頭依次位于硅片上位置2.3.45(見圖1)(偏差在±2mm之內(nèi)），測(cè)量厚度分別記為t2、t3、t4、t5。

7.4.2掃描式測(cè)量

7.4.2.1采用非接觸式測(cè)厚儀。如果還未組裝，將與被測(cè)硅片尺寸相對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)環(huán)裝配在平板上以及裝上相應(yīng)的定位器，限制環(huán)移動(dòng)，檢查探頭應(yīng)在遠(yuǎn)離操作者位置（見圖4)。

7.4.2.2把試樣放在支承柱上，使主參考面與參考面取向線平行，被測(cè)硅片的周界應(yīng)與最靠近探頭停放位置的兩個(gè)定位銷貼緊。

7.4.2.3將厚度測(cè)量?jī)x探頭置于硅片中心位置1(見圖1)(偏差在±2mm之內(nèi)），測(cè)量厚度記為t，即為該片的標(biāo)稱厚度。

7.4.2.4移動(dòng)平板上的基準(zhǔn)環(huán)，直到探頭處于掃描開始位置為止。

7.4.2.5指示器復(fù)位。

7.4.2.6移動(dòng)平臺(tái)上的基準(zhǔn)環(huán)，使探頭沿曲線和直線段1-7掃描（見圖2)。

7.4.2.7沿掃描路線，以μm為單位，記錄被測(cè)量點(diǎn)上、下表面的各自位移量。對(duì)于直接讀數(shù)儀器，記錄成對(duì)位移之和值的最大值與最小值之差，即為該硅片總厚度變化值。

7.4.2.8僅對(duì)仲裁性測(cè)量要重復(fù)7.4.2.5-7.4.2.7操作達(dá)9次以上。

7.4.2.9放置基準(zhǔn)環(huán)使探頭處于停放位置，然后取出試樣。

7.4.2.10對(duì)每個(gè)測(cè)量硅片，進(jìn)行7.4.2.2-7.4.2.9的操作步驟。