5.2.2.2探測位置垂直方向的位移分辨率不大于0.25µm,
5.2.2.3在標稱零位置附近,每個探頭的位移范圍至少為25μm。
5.2.2.4在滿刻度讀數(shù)的0.5%之內(nèi)呈線性變化。
5.2.2.5在掃描中,對自動數(shù)據(jù)采樣模式的儀器,采集數(shù)據(jù)的能力每秒鐘至少100個數(shù)據(jù)點。
5.2.2.6探頭傳感原理可以是電容的、光學(xué)的或任何其他非接觸方式的,應(yīng)選用適當?shù)奶筋^與硅片表面間距。規(guī)定非接觸是為防止探頭使試樣發(fā)生形變。指示器單元通??删哂校?1)計算和存儲成對位移測量的和或差值以及識別這些數(shù)量最大和最小值的手段,(2)存儲各探頭測量值的選擇顯示開關(guān)等。顯示可以是數(shù)字的或模擬的(刻度盤),推薦用數(shù)字讀出,來消除操作者引人的讀數(shù)誤差。
5.2.3定位器
限制基準環(huán)移動的裝置,除停放裝置外,它使探頭固定軸與試樣邊緣的最近距離不能小于6.78mm?;鶞虱h(huán)的定位見圖4。
5.2.4花崗巖平板:工作面至少為305mm×355mm。
5.2.5厚度校準樣片:變化范圍等于待測硅片標稱厚度±0.125mm,約50μm為一檔。每個校準樣片的表面粗糙度在0.25μm之內(nèi),厚度變化小于1.25μm。標準樣片面積至少應(yīng)為1.6c㎡,最小邊長為13mm。
6取樣原則與試樣制備
6.1從一批硅片中按GB/T 2828.1計數(shù)抽樣方案或雙方商定的方案抽取試樣。
6.2硅片應(yīng)具有清潔、干燥的表面。
6.3如果待測硅片不具備參考面,應(yīng)在硅片背面邊緣處做出測量定位標記。