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最后，對(duì)圖9中，樣片2所示的黑心內(nèi)外做SIMS測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表2所示。SIMS測(cè)試結(jié)果顯示，黑心內(nèi)外各種雜質(zhì)含量正常。

表2樣片2 SIMS測(cè)試


3.0出現(xiàn)黑芯或黑斑的原因

引起電池片出現(xiàn)黑芯或黑斑的原因大體有兩個(gè)：一個(gè)為雜質(zhì)離子含量過高，另一個(gè)為硅片本身存在缺陷，即位錯(cuò)。

位錯(cuò)又可稱為差排（英語(yǔ)：dislocation），在材料科學(xué)中，指晶體材料的一種內(nèi)部微觀缺陷，即原子的局部不規(guī)則排列（晶體學(xué)缺陷）。從幾何角度看，位錯(cuò)屬于一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對(duì)材料的物理性能，尤其是力學(xué)性能，具有極大的影響。

如果硅片中存在著極高的位錯(cuò)密度，成為少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心，使得少子壽命短，最終導(dǎo)致電池性能的嚴(yán)重下降。

綜上所述，黑芯片會(huì)使組件功率降低，熱斑效應(yīng)嚴(yán)重，組件壽命大大降低。（作者微信公眾賬號(hào)：光伏經(jīng)驗(yàn)網(wǎng)）

附：
參考文獻(xiàn)
【1】黑心電池片和衰減的研究，常州華陽(yáng)光伏檢測(cè)技術(shù)有限公司。
【2】張光春，硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響，尚德電力控股有限公司。
【3】單晶位錯(cuò)對(duì)電池性能的影響，尚德電力控股有限公司。
【4】形成黑芯片、黑斑片主要成因，尚德電力控股有限公司。

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