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摘要：在太陽能硅片生產(chǎn)過程中，薄厚片的存在會影響產(chǎn)品的合格率，同時(shí)會影響電池片的生產(chǎn)工藝。本文主要對太陽能硅片產(chǎn)生薄厚片的原因進(jìn)行了分析，以更好地降低和避免薄厚片的產(chǎn)生。

1 引言

切片工序是制備太陽能硅片的一道重要工序，太陽能硅片的切割原理是轉(zhuǎn)動(dòng)的鋼線上攜帶著大量碳化硅顆粒，同時(shí)工作臺位置緩慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶體硅的莫氏硬度為6.5，碳化硅的莫氏硬度為9.5），依靠碳化硅的棱角不斷地對硅塊進(jìn)行磨削，起到切割作用。薄厚片是衡量硅片品質(zhì)的一個(gè)很重要的指標(biāo)。薄厚片的存在會影響硅片合格率及電池片的生產(chǎn)工藝，因此這對硅片品質(zhì)提出了更加嚴(yán)格的要求。

2 硅片厚度產(chǎn)生偏差的原理

硅片的切割過程是在導(dǎo)輪上完成的，鋼線在導(dǎo)輪上纏繞形成相互平行的均勻線網(wǎng)，并以10-15m/s的速度運(yùn)動(dòng)，砂漿經(jīng)漿料嘴均勻地流到線網(wǎng)，砂漿中的碳化硅由于懸浮液的懸浮作用裹覆在鋼線上，對硅塊進(jìn)行切割。但是隨著切割的進(jìn)行，鋼線和碳化硅都會出現(xiàn)不同程度地磨損，鋼線的橢圓度增大，攜砂能力下降，同時(shí)碳化硅的圓度變大，平均粒徑減小，切割能力也有所降低，因此，通常在平行工作臺運(yùn)動(dòng)的方向，硅片入刀點(diǎn)厚度小于出刀點(diǎn)厚度；而和硅塊運(yùn)動(dòng)方向垂直的方向上，硅片入線側(cè)厚度小于出線側(cè)厚度。硅片厚度有一定的偏差范圍，對于180μm厚度的硅片，其偏差范圍為±20μm，超過此范圍則成為不良品--薄厚片。從根本上講，薄厚片的產(chǎn)生都是由于各種問題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動(dòng)而造成的。