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來減少這些損失的方法有:

(i)縮小表面覆蓋物的面積(與串聯(lián)電阻有聯(lián)系)

(ii)在電池表面使用減反射膜，使用一個波長1/4 的減反射膜，薄膜厚度d1 與波長和反射系數(shù)n1 的關系式為:

這樣理想的認為，利用光的干涉效應可以消除光在半導體界面處180 度外的反射，如圖3.2 所示:


反射系數(shù)n1 與介質(zhì)兩邊空氣或玻璃的系數(shù)no 和半導體的系數(shù)n2 的算術關系式是：


如圖3.3 示：表面反射在這種狀況下能減少至0。

（iii)表面結(jié)構(gòu)也可以用來減少光的反射。任何表面的粗加工（絨面）都可以用來增加光在表面來回反射的機會，來減少光的損失。

晶體硅的表面結(jié)構(gòu)沿著晶面課蝕的方向是均一的。硅表面的晶體結(jié)構(gòu)由晶粒方向決定，沿中心原子的排列關系適當?shù)脑挘鐖D3.4 示。

根據(jù)Snell 法則硅表面的絨面結(jié)構(gòu)能使光間接的被硅吸收，公式如下：



1,2 分別是光在硅表面的入射角度，n1,n2 為反射系數(shù)。

（iv）電池背面的高反射會使背部的吸收減少，假如電池的背面反射能使反射光的方向發(fā)散，就能夠使反射光在電池內(nèi)部被收集起來，這樣就能使光的吸收顯著的增加。入射光的光程能夠提高到4n2。若使用如圖3.5 所示的背表面的光收集技術。

給電池增加一個背電場能夠提高電池對長波長的紅外響應，既是降低了背部的復合速率。包括重摻雜和在電池的背部用絲網(wǎng)印刷鋁背場。圖4.7 是一個背場低摻雜區(qū)與印刷層的界面表現(xiàn)為一個低的復合速率的示意圖。