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編者按：晶硅片的硅料成本下降、鑄錠能耗及綜合成本降低、金剛線切片技術(shù)全覆蓋是助推多晶成本下降的“三駕馬車”。在硅片端，保利協(xié)鑫從2011年就開始探索金剛線切片機(jī)改造，目前保利協(xié)鑫旗下所有設(shè)備已完成金剛線切技改。保利協(xié)鑫儲(chǔ)備多年的鑄錠單晶技術(shù)將迎來(lái)市場(chǎng)化，繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對(duì)市場(chǎng)有重大影響的差異化產(chǎn)品，而且將在性價(jià)比方面具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

“光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，提質(zhì)增效和技術(shù)進(jìn)步成為制勝之道”，5月29日，在上海SNEC“金剛線切多晶技術(shù)發(fā)展及黑硅技術(shù)發(fā)展論壇”上，保利協(xié)鑫切片事業(yè)部副總裁金善明作《金剛線切多晶硅片及黑硅產(chǎn)業(yè)化技術(shù)》主旨報(bào)告。他表示，多晶硅片的硅料成本下降、鑄錠能耗及綜合成本降低、金剛線切片技術(shù)全覆蓋是助推多晶成本下降的“三駕馬車”。


金善明表示，在硅片端，保利協(xié)鑫從2011年就開始探索金剛線切片機(jī)改造，目前保利協(xié)鑫旗下所有設(shè)備已完成金剛線切技改。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，改造機(jī)比專機(jī)裝載量高20%，切片良率略高于專機(jī)，切片成本與專用機(jī)相比無(wú)明顯差異，而改造成本僅為購(gòu)買專機(jī)的1/10左右。但金剛線切多晶片存在絨面問題，保利協(xié)鑫濕法黑硅技術(shù)的量產(chǎn)完美解決了這一難題。

在報(bào)告中，金善明著重介紹了保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片。他指出，“TS+”第二代黑硅片開創(chuàng)性地采用了“正面制絨”+“背面拋光”的獨(dú)特工藝，正面優(yōu)質(zhì)的表面陷光結(jié)構(gòu)與背面高亮的平整表面 相結(jié)合，PERC工藝中背拋簡(jiǎn)單，大大降低其背拋光成本和壓力。

實(shí)測(cè)顯示，“TS+”第二代黑硅片設(shè)備產(chǎn)能增加一倍，制絨成本降低約30%，以接近傳統(tǒng)制絨的成本獲取黑硅高轉(zhuǎn)化效率，電池效率增益將提升至0.5%。多晶黑硅疊加PERC技術(shù)后，效率比普通多晶單純使用黑硅或PERC之和仍高出0.24%左右，實(shí)現(xiàn)了“1+1>2”的效果，為行業(yè)帶來(lái)更高性價(jià)比的產(chǎn)品。經(jīng)實(shí)測(cè)，應(yīng)用“TS+”第二代黑硅技術(shù)的組件CTM(封裝損失)可以達(dá)到99%以上，組件功率增益將提升至5W(60片)，未來(lái)“金剛線+黑硅+PERC”技術(shù)將成為300W+多晶組件的標(biāo)配。

金善明同時(shí)表示，保利協(xié)鑫儲(chǔ)備多年的鑄錠單晶技術(shù)將迎來(lái)市場(chǎng)化，繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對(duì)市場(chǎng)有重大影響的差異化產(chǎn)品，而且將在性價(jià)比方面具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。保利協(xié)鑫會(huì)將一部分鑄錠多晶轉(zhuǎn)成鑄錠單晶，其余通過自產(chǎn)黑硅及與電池客戶配套黑硅制絨，預(yù)計(jì)2019年“多晶金剛線切+黑硅+PERC”占比將超過80%，成為高效多晶產(chǎn)品的主流。

原標(biāo)題：金剛線+黑硅+PERC將成為高效多晶產(chǎn)品標(biāo)配