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半導(dǎo)體品體硅經(jīng)過有目的的摻雜后，引入了微量雜質(zhì)，成為非本征半導(dǎo)體，非本征半導(dǎo)體分為n型和p型兩大類。

1、n型晶體硅

當(dāng)晶體硅中摻入微量雜質(zhì)Ⅴ族元素時，它的5個價電子與硅原子形成4個共價鍵，Ⅴ族離子核多出一個正電荷，形成正電中心，同時還多出一個價電子，這個電子受正電中心束縛，形成束縛態(tài)電子，其能級位于導(dǎo)帶底以下。

如下圖所示為摻施主(磷)的n型半導(dǎo)體硅價鍵示意圖。由圖可見，一個硅原子被具有5個價電子的V族元素磷原子取代時，磷原子與其鄰近的4個硅原子形成共價鍵，多余的一個電子則成為可導(dǎo)電的電子。
當(dāng)電子獲得能量并掙脫V族雜質(zhì)原子的束縛時，變成能導(dǎo)電的電子，同時形成正電中心。這種能釋放電子到導(dǎo)帶形成正電中心的雜質(zhì)原子稱為施主。圖中所示的能提供電子的磷原子就是施主。由于硅中施主能提供電子，電子是帶負(fù)電荷的載流子，所以雜質(zhì)中以施主為主的半導(dǎo)體硅稱為n型半導(dǎo)體硅。

2、p型晶體硅

當(dāng)在晶體硅中摻Ⅲ族雜質(zhì)原子時，由于它只有3個價電子，與硅原子只能形成3個共價鍵，所以在價鍵中出現(xiàn)一個空位(稱為空穴)?？昭ㄏ喈?dāng)于正電荷。Ⅲ族原子的離子核只帶3個正電荷，在晶格中形成負(fù)電中心，負(fù)電中心能束縛空穴。

如下圖所示，顯示了只有3個價電子的硼原子取代了硅原子，在與鄰近的硅原子形成4個共價鍵時，需要接受一個電子，在價帶上就產(chǎn)生了一個帶正電荷的空穴。這種形成負(fù)電中心的Ⅲ族雜質(zhì)能接受價帶中的電子而在價帶中形成空穴，因此被稱為受主雜質(zhì)，其能級稱為受主能級，圖中所示的能接受電子的Ⅲ族雜質(zhì)硼原子就是受主。
可將空穴視為帶正電荷的載流子。以能夠形成帶正電荷的載流子的受主為主的半導(dǎo)體稱為p型半導(dǎo)體硅。

3、總結(jié)：

當(dāng)純硅中摻入施主雜質(zhì)（V族元素磷、砷、銻）時，可形成n型硅，n型硅可導(dǎo)電的電子濃度遠大于可導(dǎo)電的空穴濃度，電流依靠電子輸運，電子為多數(shù)載流子(簡稱多子)，空穴為少數(shù)載流子(簡稱少子)。

當(dāng)純硅中摻入受主雜質(zhì)（Ⅲ族元素硼、鋁、鎵）時，可形成P型硅，P型硅空穴濃度遠大于電子濃度，電流依靠空穴運輸，空穴為多子，電子為少子。 

原標(biāo)題：淺談N型半導(dǎo)體硅與P型半導(dǎo)體硅的區(qū)別