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TOPCon：主要缺口來自前表面

對于 TOPCon 電池來說，基于 24.8%的電池轉(zhuǎn)換效率，主要影響效率的因素由 大到?。?. 正面復合損失，2. 光學損失，3. 正面?zhèn)鬏敁p失，4. 體復合損失，5. 背面?zhèn)?輸損失，6. 背面復合損失。由此可見，TOPCon 電池目前的主要效率缺口來自前表面。原因在于：

1）TOPCon 電池背表面由 SiO2、poly 硅層組成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，而前表面僅由 Al2O3層鈍化，使用燒穿型漿料，仍存在金屬-硅基體直接接觸；

2）由于硼擴摻雜濃度低，為了實現(xiàn)更好的接觸，正面細柵從銀漿轉(zhuǎn)變?yōu)殂y鋁漿。為達到同樣的導電效果，柵線寬度大于銀漿。

為了解決 TOPCon 電池正表面的效率損失，終極方案是在正面也做成 SiO2+poly 硅的鈍化接觸結(jié)構(gòu)。但P型TOPCon層的鈍化能力本身就弱于N型TOPCon層， 且前表面多晶硅會造成強烈的光學吸收。因此，目前多考慮局部 poly 層，即在正表面電極下方做一小部分 SiO2+poly 硅， 但應用層面難度較大。

根據(jù)拉普拉斯對 TOPCon 電池效率提升的路線圖，正面 poly 結(jié)構(gòu)（local/full） 適用于 26.5%的效率平臺。而在當前 25%的效率基礎(chǔ)上，可以通過無損 SE 技術(shù)、薄 poly 等優(yōu)化工藝將 TOPCon 電池效率提升至 26%?；谂饠U的技術(shù)難度，在硼擴的基礎(chǔ)上做出 SE 相較磷擴 SE 難度更大，目前主 要發(fā)展出一次硼擴和二次硼擴兩種技術(shù)路線。

HJT：完美鈍化，主要缺口來自光學損失

與 TOPCon 電池相比，HJT 電池在正表面、背面均實現(xiàn)了鈍化接觸，因此獲得 了較高的開路電壓（接近 750mV），明顯高于 TOPCon 電池和 PERC 電池。但正表面的非晶硅層作為一種半導體，存在較為嚴重的寄生吸收，造成 HJT 電 池在短路電流方面并不占優(yōu)勢。解決該問題的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅，原因在于微晶的吸光系數(shù)更 小，且具有更高的電導率，在緩解正表面寄生吸收的同時，降低了對 ITO 導電 性的依賴。

從工藝上來講，微晶的形成需要改變通入硅烷與氫氣的稀釋率，即更高比例的氫 氣，從而提高硅薄膜的晶化率。但稀釋率的提高通常伴隨著沉積速率的下降，引入 VHF 電源以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的 RF 電源，有助于提高微晶薄膜沉積速率。

根據(jù)邁為股份數(shù)據(jù)，采用 VHF 電源，鍍 膜速率較 RF 電源提升 2 倍，氫氣用量較 RF 電源降低 70%左右，效率較 RF 電 源提升 0.3%以上。原因在于，頻率增加后，等離子體電子濃度增加，可以產(chǎn)生更多的自由基元，從 而提高微晶薄膜沉積速率。同時等離子體能量降低，有助于降低表面損傷。

關(guān)鍵假設(shè)：2022 年全球新增光伏裝機 230GW，我們預測 2023-25年全球新增光伏裝機350、 430、500GW，按照 1.25 倍的容配比，組件需求量為 438、538、625GW。

按 照 55%的產(chǎn)能利用率，則組件產(chǎn)能分別達到 795、977、1136GW。根據(jù)已規(guī)劃項目的進展情況，我們預測 TOPCon 產(chǎn)能進入快速發(fā)展期，2023-25 年新增產(chǎn)能分別為 200、250、280 GW，HJT 需進一步實現(xiàn)設(shè)備、產(chǎn)業(yè)鏈降本， 2023-25 年新增產(chǎn)能分別為 32、54、100GW。從而帶動 TOPCon 產(chǎn)能在 2023-25 年達到 260、510、790 GW，HJT 產(chǎn)能在 2023-25 年達到 46、100、200GW。

在整體的電池產(chǎn)出中，預計2023-25年TOPCon產(chǎn)出占比為20%、35%、43.5%， HJT 產(chǎn)出占比為 5%、10%、12%，則 2023-25 年 TOPCon 電池產(chǎn)出為 88、188、 272GW，HJT 產(chǎn)出為 22、54、75GW。

隨著國產(chǎn)化率提高和單線產(chǎn)能提升，預計設(shè)備降本持續(xù)進行，假設(shè) 2023-25 年 HJT 整線設(shè)備價格為 3.3/2.9/2.5 億元/GW，TOPCon 整線設(shè)備價格為 1.9 /1.7/1.5 億元/GW。TOPCon設(shè)備中，SE 能夠有效提升轉(zhuǎn)換效率，隨著該項技術(shù)趨于成熟，預計將從2023年開始實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，假設(shè)23-25年硼擴SE滲透率為70% /80%/90%， 硼擴 SE 設(shè)備單價為 1000/800/800 萬元/GW。則 2023-25 年，HJT 設(shè)備市場空間為 102.6、155.5、250.0 億元；其中 PECVD 設(shè)備市場空間為 51.5、77.8、125.0 億元。

TOPCon 設(shè)備市場空間為 370.0、420.0、420.0 億元，其中 LPCVD/PECVD 等 鍍膜設(shè)備市場空間為 100.0、112.5、112.0 億元，硼擴設(shè)備市場空間為 44.0、 52.5、56.0 億元，激光 SE 設(shè)備市場空間為 14.0、16.0、20.2 億元。

原標題：N型電池如何工藝提效？