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單晶硅片制絨后出現(xiàn)白斑及臟污原因分析及改善措施
日期:2023-07-10   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sy_oumingzhu 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
太陽電池是光伏組件的核心部件,其質(zhì)量的穩(wěn)定性和可靠性將直接影響光伏組件的質(zhì)量。制絨是太陽電池生產(chǎn)過程中的首道工序,制絨后硅片的質(zhì)量是決定能否產(chǎn)出高質(zhì)量電池的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。但在現(xiàn)有生產(chǎn)技術(shù)中,制絨后的硅片經(jīng)常產(chǎn)生白斑現(xiàn)象[1],這個問題困擾著各電池生產(chǎn)廠家。白斑占比高直接影響了電池生產(chǎn)的節(jié)拍,既降低了產(chǎn)線的合格率,又增加了生產(chǎn)成本,因此,避免產(chǎn)生白斑已成為電池生產(chǎn)質(zhì)量管控的重點。本文主要針對單晶硅片在制絨后出現(xiàn)白斑及臟污的現(xiàn)象,通過對制絨后的異常硅片進行絨面測試、厚度測試和產(chǎn)線對比實驗來排查異?,F(xiàn)象產(chǎn)生的原因,結(jié)合顯微紅外測試和X射線能譜分析(EDS)測試對產(chǎn)生異常的原因進行了深入分析,并提出了改善措施。

1 單晶硅片制絨原理

單晶硅片在一定濃度的堿溶液中被腐蝕時是各向異性的,不同晶向上的腐蝕速率不一樣。利用這一原理,將特定晶向的單晶硅片放入堿溶液中腐蝕,即可在硅片表面產(chǎn)生出許多細(xì)小的“金字塔”狀外觀,這一過程稱為單晶堿制絨。這一過程的化學(xué)反應(yīng)方程式為:


通過制絨可以提高硅片的陷光作用,降低反射,增加對光的吸收。

2 異?,F(xiàn)象描述

產(chǎn)線投入157.4 mm×157.4 mm 的單晶硅片(下文簡稱“157.4 mm 硅片”),制絨后的硅片存在白斑異常,異常硅片的比例占總投入片數(shù)的0.39%;投入156.75 mm×156.75 mm 的單晶硅片(下文簡稱“M2 硅片”),制絨后的硅片存在白斑及臟污異常,異常硅片的比例占總投入片數(shù)的0.36%。2 種單晶硅片的異常圖片及異常數(shù)據(jù)如表1 所示。


從表1 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)可以看出,157.4 mm 異常硅片的異常區(qū)域主要分為進刀面和兩側(cè)2種;且異常區(qū)域主要為進刀面,異常占比為66.85%。

M2 異常硅片的異常區(qū)域也分為進刀面和兩側(cè)2種;且異常區(qū)域主要為進刀面,異常占比為63.29%。對比后可以發(fā)現(xiàn),2 種單晶硅片的異常區(qū)域均主要表現(xiàn)在進刀面,但二者的異?,F(xiàn)象略有差異[2]。從外觀來看,157.4 mm 異常硅片的異常區(qū)域及M2 異常硅片兩側(cè)的異常區(qū)域的白斑呈小片的亮白和灰白狀,而M2 異常硅片進刀面的異常區(qū)域的白斑呈大片的灰白狀。

3 異常原因排查


針對上述2種不同規(guī)格的單晶硅片制絨后出現(xiàn)的異常現(xiàn)象[3],分別對異常硅片進行了絨面測試、厚度測試和產(chǎn)線對比實驗,以排查異?,F(xiàn)象產(chǎn)生的原因。

3.1 異常硅片絨面測試

從單晶硅片的絨面數(shù)據(jù)來看,幾類異常硅片未形成“金字塔”狀絨面,異常區(qū)域未發(fā)生腐蝕,或單晶各項異性腐蝕效果未體現(xiàn)。如果是未發(fā)生腐蝕,推測其表面存在不易被酸堿清洗腐蝕的物質(zhì);如果是發(fā)生了腐蝕但未形成“金字塔”狀絨面,則推測是硅片晶向異?;蛑平q溶液異常[4]。2 種單晶硅片的異常硅片絨面測試結(jié)果如圖1、圖2 所示,結(jié)果證實,硅片外觀存在異常。


3.2 異常硅片厚度測試

對2 種單晶硅片的異常硅片進行厚度測試。每片異常硅片測試4 個點,其中,測試點1 為異常區(qū)域中心點,測試點2 為異常區(qū)域邊緣,測試點3 為硅片中心點,測試點4 為異常區(qū)域?qū)ΨQ位置,示例圖如圖3 所示;然后分別測試不同異常硅片測試點的厚度,并與正常硅片( 生產(chǎn)中未出現(xiàn)異常的M2 硅片) 在對應(yīng)位置的厚度進行對比,結(jié)果如表2 所示。


從測試結(jié)果來看,M2 異常硅片、157.4mm 異常硅片與正常硅片相應(yīng)測試位置的厚度減薄平均相差約5 μm。而制絨工序?qū)杵臏p薄,雙面腐蝕厚度一般為8~10 μm,因此5μm 是單面腐蝕厚度,這說明該異常區(qū)域未被腐蝕,推測該區(qū)域表面被不易被酸堿清洗腐蝕的物質(zhì)所覆蓋。

3.3 產(chǎn)線對比實驗

為了判斷單晶硅片制絨后表面的殘留物質(zhì)究竟是從制絨環(huán)節(jié)引入,還是從硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)引入,進行了4 組對比實驗。實驗1 選取A 廠家157.4 mm 硅片,實驗2 選取B 廠家硅片,實驗3 選取A 廠家M2+ 硅片,實驗4 選取A廠家中心厚度實驗M2 硅片,分別投入產(chǎn)線后,實驗結(jié)果如表3 所示。



從表3 的實驗結(jié)果可以看出,實驗1 中A廠家157.4 mm 硅片出現(xiàn)了絨面異常,異常比例為2.75%;而實驗2~實驗4 的硅片在制絨后均無異常。這說明異常硅片并非是由制絨引起的,異常問題在于單晶硅片本身的生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)。

3.4 小結(jié)

根據(jù)制絨后異常硅片的絨面測試、厚度對比測試及產(chǎn)線對比實驗結(jié)果可以判定,單晶硅片制絨后出現(xiàn)白斑異常的原因不在于制絨環(huán)節(jié),而在于單晶硅片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)。

4 異常原因分析


根據(jù)異常原因的排查結(jié)果,進一步對產(chǎn)生異常的原因進行分析,對異常硅片進行顯微紅外測試,并對有機硅、磷酸鹽、硅酸鹽、碳酸鈣的來源進行分析。

4.1 顯微紅外測試

考慮到單晶硅片表面殘留成分僅為微量,選用檢出限低的顯微紅外設(shè)備,分別對157.4 mm異常硅片、M2 異常硅片、正常硅片的進刀面與兩側(cè)位置進行顯微紅外測試,測試數(shù)據(jù)如圖4~圖7所示。


對圖4~圖7 的測試結(jié)果進行分析,可得出:

1)157.4 mm 異常硅片的進刀面:對波峰進行數(shù)據(jù)庫對比分析,顯微紅外測試結(jié)果顯示,雜質(zhì)可能是無機磷酸鹽類物質(zhì),主要匹配到磷酸鹽、焦磷酸鹽、硅酸鹽等。

2)157.4 mm 異常硅片的兩側(cè)位置:對波峰進行數(shù)據(jù)庫對比分析,顯微紅外測試結(jié)果顯示,雜質(zhì)可能是無機硅酸鹽類物質(zhì)。

3)M2 異常硅片的進刀面:根據(jù)顯微紅外測試結(jié)果,對波峰進行數(shù)據(jù)庫對比分析,結(jié)果顯示,雜質(zhì)可能為有機硅和碳酸鈣。

4)M2 異常硅片的兩側(cè)位置:對波峰進行數(shù)據(jù)庫對比分析,顯微紅外測試結(jié)果顯示,雜質(zhì)可能是無機鹽類,匹配到磷酸二氫鹽、硅酸鹽。

5) 正常硅片:無明顯波峰,因此分析認(rèn)為無有機物質(zhì)。

測試結(jié)果顯示,M2 異常硅片進刀面的雜質(zhì)為有機硅和碳酸鈣,其他異常區(qū)域的雜質(zhì)為磷酸鹽、硅酸鹽,對比正常硅片的測試結(jié)果后認(rèn)為,有機硅、磷酸鹽、硅酸鹽是異常物質(zhì)。因此可以認(rèn)為,M2 異常硅片的進刀面呈現(xiàn)大片的灰白狀物質(zhì)是有機硅類物質(zhì)附著所導(dǎo)致,其他異常區(qū)域中小片的亮白、灰白狀物質(zhì)主要是磷酸鹽、硅酸鹽殘留。

4.2 有機硅和磷酸鹽、硅酸鹽、碳酸鈣的來源分析

硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)涉及的有機化學(xué)品主要有粘棒膠、脫膠劑、切割液和清洗劑,依據(jù)顯微紅外測試和EDS 測試結(jié)果對這些有機化學(xué)品逐一進行分析。

1) 粘棒膠:是一種環(huán)氧樹脂,小分子結(jié)構(gòu)經(jīng)固化形成高聚物,起到粘合的作用。因為切割時每一刀都會切在膠上,膠極有可能粘在金剛線上,然后在下一刀切割時會從硅片進刀位置帶入。生產(chǎn)中反饋的2 種異常硅片進刀面的異常比例分別為66.85%、63.29%( 見表1),這是引入異常的源頭之一。顯微紅外測試和EDS 測試數(shù)據(jù)顯示,此處雜質(zhì)中含有碳酸鈣,而生產(chǎn)環(huán)節(jié)中膠棒樹脂板中含有鈣,這說明有膠的殘留。

2) 脫膠劑:脫膠劑是通過乳化、滲透降低粘接力,從而起到脫膠效果,作用過程是破壞共聚物的組織結(jié)構(gòu),發(fā)生的是物理性能的變化。脫膠劑是一種有機酸,后道工序中易被堿去除,在雜質(zhì)中存在的風(fēng)險低。

3) 切割液:主要作用是冷卻、潤滑、清洗、消泡,主要組成是消泡劑和冷卻劑,這2 種物質(zhì)不互溶,可通過增加溶劑來改善消泡劑和冷卻劑的互溶性。在放置過程中,切割液容易出現(xiàn)分層,消泡劑會漂浮在上層,其中含有較難清洗的硅油,使用分層后的切割液容易將上層的硅油附著在硅片表面,且在后續(xù)工序中難以清洗;同時在運輸過程中,切割液會受溫度影響,溫度過低會導(dǎo)致其因分散性不好而形成絮狀物,附著在硅片表面,這樣也難以清洗。

測試結(jié)果顯示,雜質(zhì)中含有有機硅,但在硅片生產(chǎn)過程涉及的化學(xué)品中,只有切割液的消泡劑含有此類物質(zhì)。通過觀察砂漿罐發(fā)現(xiàn),確實有油污漂浮,觀察廢水池也可以發(fā)現(xiàn)有絮狀物漂浮,咨詢切割液廠家后得知,上述兩處出現(xiàn)的油污和漂浮物屬于異?,F(xiàn)象,該油污和絮狀漂浮物也正是M2 異常硅片進刀面的異常區(qū)域的污染來源。

4) 清洗劑:主要成分是活性劑、螯合劑、堿、添加劑等,主要作用是去除油脂、顆粒粉塵、金屬離子等。磷有較好的清洗作用,會作為添加劑的成分。測試結(jié)果顯示,雜質(zhì)中含有磷酸鹽、磷酸二氫鹽、焦磷酸鹽、硅酸鹽,而粘棒膠、切割液、脫膠劑中均不含磷元素,因此認(rèn)為磷酸鹽的殘留主要來源于清洗環(huán)節(jié)中的清洗劑。另外,硅酸鹽的產(chǎn)生主要在清洗環(huán)節(jié),硅片表面有信號檢出,說明清洗液有殘留。


生產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示,進刀面的異常占比高,測試顯示有粘棒膠殘留,因此觀察清洗環(huán)節(jié),發(fā)現(xiàn)進刀面在清洗花籃的最下面,下方的進刀面容易夾液、掛液,從而易造成清洗殘留。

綜上所述,砂漿罐中的油污漂浮、廢水池中絮狀物漂浮是M2 異常硅片進刀面的異常區(qū)域的污染來源。測試出的有機硅信號是切割液中消泡劑里的硅油產(chǎn)生的。進刀面的異常占比高,一方面是因為膠的殘留,另一方面是因為進刀面在清洗花籃的最下面,容易夾液、掛液,從而易造成清洗殘留。測試結(jié)果中顯示有磷酸鹽、磷酸二氫鹽、焦磷酸鹽、硅酸鹽信號,這主要是清洗液殘留;碳酸鈣主要是粘棒膠殘留。

5 建議與改善措施


1) 在硅片生產(chǎn)過程中,需要檢查切割液是否有分層,以及其是否存在因分散不好而呈絮狀的異常現(xiàn)象。在確認(rèn)目前使用的切割液合格后,檢查砂漿罐是否按要求進行清洗,并徹底清洗砂漿罐,以降低對硅片的污染。

2) 進刀面的異常占比高,建議優(yōu)化進刀面清洗方法,防止花籃出槽時夾液、掛液的現(xiàn)象。

3) 測試結(jié)果中發(fā)現(xiàn)磷酸鹽、磷酸二氫鹽、焦磷酸鹽、硅酸鹽殘留,因此,一方面,需要在進料檢驗時抽測監(jiān)控清洗劑的成分,確認(rèn)產(chǎn)品質(zhì)量與出廠報告的一致性;另一方面,需要把控清洗劑與切片工藝的匹配性,解決清洗劑殘留問題。

6 結(jié)論


本文針對單晶硅片在制絨后出現(xiàn)白斑及臟污的現(xiàn)象進行了實驗分析,得出以下結(jié)論:

1) 異常出現(xiàn)在進刀面的占比高,一方面是因為進刀面在清洗花籃的最下面,硅片在出槽時易夾液、掛液,易造成清洗殘留;另一方面,粘棒膠通過金剛線帶入硅片表面,但后續(xù)工序中難以清洗干凈,從而導(dǎo)致殘留。

2)M2 異常硅片進刀面的大片灰白狀物質(zhì)是有機硅類物質(zhì)附著、粘膠導(dǎo)致,有機硅的信號是切割液中消泡劑里的硅油產(chǎn)生的。砂漿罐中的油污漂浮、廢水池中絮狀物漂浮是M2 異常硅片進刀面中異常區(qū)域的污染來源。

3)M2 異常硅片和157.4 mm 異常硅片其他異常區(qū)域的小片亮白、灰白狀物質(zhì)主要是磷酸鹽、硅酸鹽殘留??紤]粘棒膠、切割液、脫膠劑中沒有磷元素,認(rèn)為磷酸鹽的殘留主要來源于清洗劑。硅酸鹽的產(chǎn)生主要在清洗環(huán)節(jié),異常來源也是清洗劑有殘留。

原標(biāo)題:單晶硅片制絨后出現(xiàn)白斑及臟污原因分析及改善措施
 
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來源:太陽能雜志
 
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