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通常情況下，組件需要從項(xiàng)目場(chǎng)地摘除，并運(yùn)至實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行EL成像和I–V曲線(xiàn)測(cè)量，但這些步驟現(xiàn)在可以在不拆除組件的情況下在現(xiàn)場(chǎng)完成。EL成像可在現(xiàn)場(chǎng)通過(guò)CCD(電荷耦合元件)攝像頭進(jìn)行，同時(shí)在夜間對(duì)組件進(jìn)行電壓偏置。IR成像則使用IR攝像頭進(jìn)行，同時(shí)組件仍可在項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)正常運(yùn)行。但這種方式有可能出現(xiàn)準(zhǔn)確性誤差，因?yàn)镻ID并不是造成太陽(yáng)能電池出現(xiàn)高溫現(xiàn)象的唯一因素[15]。I–V曲線(xiàn)跟蹤器也可以在項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)使用，但對(duì)每個(gè)組件進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試的過(guò)程極為耗時(shí)且昂貴。但是，早期診斷可有助于適當(dāng)?shù)臏p緩技術(shù)的應(yīng)用決定，并防止在設(shè)備使用生命周期內(nèi)出現(xiàn)進(jìn)一步的性能及收益損失。

PID現(xiàn)象的緩解

在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境中，高溫高濕度狀況的偶爾出現(xiàn)，使得組件具有從PID狀況中恢復(fù)的實(shí)際。除了依賴(lài)有利的自然環(huán)境外，在系統(tǒng)、組件和電池層級(jí)上還有多種為減緩或防止PID狀況的解決方案正在研發(fā)之中。
在使用了傳統(tǒng)逆變器的系統(tǒng)中，將系統(tǒng)負(fù)極接地也有助于防止PID狀況的發(fā)生。SMA等公司還研發(fā)出offset box(彌轉(zhuǎn)盒)[17]，可通過(guò)非隔離型逆變器彌轉(zhuǎn)PID現(xiàn)象。通過(guò)將offset box與逆變器并聯(lián)，從而在系統(tǒng)上施加等量反極電壓，組件大多可以從所受的PID 影響中完全恢復(fù)。此外，PID狀況還可通過(guò)使用抗PID的密封產(chǎn)品，如Enlight聚丙烯封裝膜[18]、離子交聯(lián)聚合物膜、化學(xué)強(qiáng)化玻璃等，在組件層級(jí)進(jìn)行減緩。

多家組件制造商均宣稱(chēng)已研發(fā)出不受PID影響的組件，均已使用抗PID材料、防PID太陽(yáng)能電池和封裝技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，無(wú)框組件和雙玻組件也同樣被認(rèn)為不會(huì)出現(xiàn)PID狀況，因?yàn)榇祟?lèi)產(chǎn)品中并不存在造成高電勢(shì)差的路徑；但是，此類(lèi)組件在進(jìn)行支架安裝時(shí)所使用的金屬夾有可能對(duì)無(wú)PID特性造成負(fù)面影響。因此就需要對(duì)相關(guān)項(xiàng)目進(jìn)行盡職調(diào)查，以確保所使用的材料清單及相關(guān)操作流程均為無(wú)PID類(lèi)型，因此，可在整個(gè)系統(tǒng)層面上避免PID現(xiàn)象的發(fā)生[19]。在一些案例中，如果未被及時(shí)發(fā)現(xiàn)，或是由于電化學(xué)反應(yīng)而造成，PID狀況有可能是不可逆轉(zhuǎn)的。為減少未來(lái)檢測(cè)和恢復(fù)成本，因此建議在條件允許的情況下，在現(xiàn)場(chǎng)安裝前對(duì)組件進(jìn)行PID抗性測(cè)試。

PID易患性的預(yù)測(cè)性檢測(cè)

實(shí)驗(yàn)室模擬環(huán)境中針對(duì)PID 的兩種主要檢測(cè)方式使用了環(huán)境模擬艙和鋁箔法。起初，PID測(cè)試是從IEC 61215標(biāo)準(zhǔn)中的濕熱測(cè)試演變而來(lái)，測(cè)試環(huán)境為85oC和85%RH。一些機(jī)構(gòu)目前使用的是基于IEC62804 TS測(cè)試方式草稿而修改的測(cè)試方式。

測(cè)試將在60°C± 2°C、85% ± 3% RH的環(huán)境模擬艙內(nèi)進(jìn)行96個(gè)小時(shí)，并施加-1000V或銘牌額定系統(tǒng)電壓值的電壓偏置；這一標(biāo)準(zhǔn)是基于NREL進(jìn)行的循環(huán)對(duì)比測(cè)試結(jié)果而制定的[20]。Hacke等人[21]在報(bào)告中表明在高RH、85oC的溫度環(huán)境下，系統(tǒng)中會(huì)出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象和串電阻損失，而這種條件無(wú)法模擬現(xiàn)場(chǎng)中實(shí)際發(fā)生的PID現(xiàn)象。此外，盡管100%濕度環(huán)境是作為理想的條件，但這一設(shè)置同時(shí)還可能由于環(huán)境模擬艙內(nèi)的冷凝而造成壓力，這一狀況時(shí)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)中不會(huì)出現(xiàn)的[22]。60oC、85%RH的測(cè)試條件因此被選為最具代表性的條件。