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圖6是在同一輻照度，陰隱透過率為35%情況下，通過改變組件遮擋的位置測出來的I-V特性曲線。遮擋數(shù)目為3塊（一塊組件36塊電池）。由I-V曲線圖可以看出雖然遮擋面積一樣，但不同的位置其I-V曲線表現(xiàn)不同的，但是開路電壓均相等。

圖6 位置不同而測定的I-V曲線（曲線1為遮擋的連續(xù)三塊電池；曲線2為遮擋的連續(xù)兩塊電池和一塊間隔開的電池；曲線3為遮擋的三塊分別間隔開的電池）

三、結(jié)論

本文利用計算機模擬和組件測試儀研究了由于電池的遮擋而引起的組件功率輸出與I-V特性變化之間的關(guān)系，組件被遮擋時的I-V特性變化與被遮擋的電池的電壓降落有關(guān)。

晶體硅太陽電池組件的輸出I-V特性曲線與電池表面陰影、焊接不良及單體電池功率不匹配等因素有關(guān)，不同因素對輸出功率的影響是不同的，研究這些因素的影響不僅對制造晶體硅太陽電池組件由指導(dǎo)作用，而且也有利于人們正確判斷光伏發(fā)電系統(tǒng)輸出降低或失效的原因。（作者微信公眾賬號：光伏經(jīng)驗網(wǎng)）



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