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編者按：未來10年行業(yè)比較認(rèn)可的技術(shù)方向是HIT+鈣鈦礦做疊層電池。HIT具備高效率、低衰減、低溫度系數(shù)、高雙面率的優(yōu)勢，目前23%效率的HIT電池售價(jià)1.6元/瓦，較21.9%效率的同尺寸PERC溢價(jià)0.65元/瓦。

HIT升級空間大。晶硅電池的效率極限在30%左右，無論P(yáng)ERC還是HIT都達(dá)不到這個(gè)效率水平，PERC潛力預(yù)計(jì)在23%，HIT預(yù)計(jì)在26%，因此PERC和HIT都是光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步歷程中的過渡形態(tài)。

HIT +鈣鈦礦疊層市場可期

就近幾十年的技術(shù)探索結(jié)果而言，未來10年行業(yè)比較認(rèn)可的技術(shù)方向是HIT+鈣鈦礦做疊層電池(Tandem)。HIT到疊層只需要增加3道設(shè)備，4層膜，成本增加約0.2元/瓦。HIT可以升級到疊層，HIT產(chǎn)線和下一代疊層產(chǎn)線可以完全兼容，大幅度降低了HIT產(chǎn)線被顛覆的風(fēng)險(xiǎn)。

市場：高端到低端，分布式到電站

HIT電池存在溢價(jià)。HIT具備高效率、低衰減、低溫度系數(shù)、高雙面率的優(yōu)勢，目前23%效率的HIT電池售價(jià)1.6元/瓦，較21.9%效率的同尺寸PERC溢價(jià)0.65元/瓦。

HIT電池優(yōu)異的特性對不同業(yè)主價(jià)值不一樣。在BOS越高、溫度越高，利用小時(shí)越高，電價(jià)越高的地區(qū)，HIT可以有更高溢價(jià)，因此HIT目前主要應(yīng)用于歐美日等高BOS成本和中東等熱帶地區(qū)。

高效率：高效率可以攤低組件BOM成本和電站BOS成本，不同地區(qū)存在較大差別，國內(nèi)1%效率優(yōu)勢對應(yīng)約8分/瓦的溢價(jià)，在歐美日等高BOS地區(qū)，高效率帶來的溢價(jià)會(huì)更高，這也是HIT目前主要市場在歐美日的原因。

低衰減：按8%折現(xiàn)率計(jì)算，低衰減溢價(jià)=0.37*利用小時(shí)/1000*不含稅電價(jià)*(1-所得稅率)。

低溫度系數(shù)：溢價(jià)=10.67*(組件溫度-25)*發(fā)電小時(shí)/1000*溫度系數(shù)差*不含稅電價(jià)*(1-所得稅率)，在中東等熱帶地區(qū)，溫度和發(fā)電小時(shí)都很高，特別適合HIT。

高雙面率：等效功率多10W，溢價(jià)1-2分，雙面得到客戶認(rèn)可，但定價(jià)還有待規(guī)范。

高端到低端，分布式到電站。HIT的特性決定了其市場將由高端逐步滲透到低端，從分布式滲透到電站。光伏電池由于是ToB的產(chǎn)品，無法對客戶進(jìn)行差異化定價(jià)，因此市場滲透過程中，HIT電池的價(jià)格會(huì)逐步降低，當(dāng)前價(jià)格1.6元/瓦，預(yù)計(jì)規(guī)?；a(chǎn)后價(jià)格將下降到1.2-1.3元/瓦。

硅片：P型轉(zhuǎn)N型，HIT+大硅片

硅片進(jìn)入N型時(shí)代。N型硅片少子是空穴，壽命比P型高兩個(gè)數(shù)量級，且對金屬雜質(zhì)不敏感，衰減低，因此更適合用來制作HIT電池。目前國內(nèi)N型硅片供應(yīng)商主要是隆基、中環(huán)、晶科，其工藝已經(jīng)成熟，硅片環(huán)節(jié)的切換難度相對較低。

硅片尺寸分歧較大，大硅片主要是新產(chǎn)線在兼容。傳統(tǒng)電池產(chǎn)線使用M2硅片，明年主流預(yù)計(jì)是同尺寸但不帶倒角的G1。隆基主推的M6需要對現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行改造，改造費(fèi)用約2500萬元/GW,目前PERC電池廠盈利較弱，改造的積極性較低，因此主要是新建產(chǎn)線在配套M6。中環(huán)主推的M12則完全無法通過現(xiàn)有產(chǎn)線升級，只有新建產(chǎn)線才能兼容M12，但M12由于產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)改動(dòng)較多，產(chǎn)業(yè)鏈配套尚未成熟，因此產(chǎn)業(yè)里觀望較多，僅頭部企業(yè)新建產(chǎn)能兼容了M12。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來看，硅片尺寸做大有利于降低成本。

HIT是板式工藝，更容易兼容大硅片。HIT生產(chǎn)工藝僅4步，清洗制絨機(jī)和絲網(wǎng)印刷機(jī)尺寸調(diào)節(jié)較為容易。PECVD和PVD都是板式設(shè)備，其加工能力取決于載板面積，比如梅耶博格的PECVD載板一次可以放置56片(7*8)硅片，美國應(yīng)材的6代PECVD一次可以放置99片(9*11)硅片，硅片尺寸變大之后，可以通過做大載板面積或者減少硅片放置數(shù)量來解決，因此HIT工藝比較容易兼容大硅片。PERC電池有部分管式生產(chǎn)設(shè)備，硅片尺寸超過爐管直徑后只能更換設(shè)備。

PERC產(chǎn)線無法改造為HIT，新建HIT產(chǎn)線必然會(huì)考慮兼容大硅片。其實(shí)不管是新建PERC還是HIT抑或TOPCon產(chǎn)線，電池廠都會(huì)考慮對大硅片的兼容。但當(dāng)前PERC技術(shù)完全擴(kuò)散，壁壘較低，格局較散，盈利較弱，靠PERC推廣大硅片大概率會(huì)比較緩慢。如果HIT技術(shù)成熟，新建HIT產(chǎn)線必然會(huì)直接過渡到大硅片，這會(huì)加快大硅片的推廣。從目前產(chǎn)業(yè)調(diào)研情況來看，HIT設(shè)備廠普遍已經(jīng)兼容M6硅片，或者直接就是按照M6硅片在設(shè)計(jì)，個(gè)別設(shè)備廠已經(jīng)在往M12升級。

原標(biāo)題：三個(gè)方面講述異質(zhì)結(jié)電池升級空間