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編者按：為了發(fā)展功率半導(dǎo)體，華為也開啟了對第三代半導(dǎo)體材料的布局。受IGBT市場需求大幅增長推動(dòng)，國內(nèi)IGBT行業(yè)近年開啟加速增長。除華為開始布局之外，比亞迪微電子、中車時(shí)代半導(dǎo)體、斯達(dá)股份、士蘭微等部分企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在市場上有不錯(cuò)表現(xiàn)。

在2019年11月末的時(shí)候，行業(yè)內(nèi)媒體集微網(wǎng)報(bào)道了華為已開始從IGBT廠商挖人，自己研發(fā)IGBT器件的消息，今天和大家一起回顧一下華為入場IGBT和國內(nèi)IGBT發(fā)展現(xiàn)狀。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

根據(jù)IC Insights的預(yù)測，未來半導(dǎo)體功率器件中，MOSFET與IGBT器件將是最強(qiáng)勁的增長點(diǎn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。隨著新能源汽車、軌道交通及智能電網(wǎng)的發(fā)展，IGBT需求迎來大幅增長。

一、華為入場推進(jìn)IGBT發(fā)展

根據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道，華為已開始從IGBT廠商挖人，自己研發(fā)IGBT器件。憑借自身的技術(shù)實(shí)力，華為已經(jīng)成為UPS電源領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，目前占據(jù)全球數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域第一的市場份額。IGBT作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷彩侨A為UPS電源的核心器件。

目前華為所需的IGBT主要從英飛凌等廠商采購。受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，華為為保障產(chǎn)品供應(yīng)不受限制，開始涉足功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。目前，在二極管、整流管、MOS管等領(lǐng)域，華為正在積極與安世半導(dǎo)體、華微電子等國內(nèi)廠商合作，加大對國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的采購量，但在高端IGBT領(lǐng)域，由于國內(nèi)目前沒有廠家具有生產(chǎn)實(shí)力，華為只能開始自主研發(fā)。

碳化硅和氮化鎵是未來功率半導(dǎo)體的核心發(fā)展方向，英飛凌、ST等全球功率半導(dǎo)體巨頭以及華潤微、中車時(shí)代半導(dǎo)體等國內(nèi)功率廠商都重點(diǎn)布局在該領(lǐng)域的研究。

為了發(fā)展功率半導(dǎo)體，華為也開啟了對第三代半導(dǎo)體材料的布局。根據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道，華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%，而山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。相對于傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍，因此，碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

二、IGBT國內(nèi)現(xiàn)狀

目前全球IGBT市場主要被國外公司所占領(lǐng)，2017年全球IGBT市場中，Infineon以27.1%的市占率排名第一，三菱以16.4%排名第二，排名第三的富士電機(jī)市占率為10.7%。全球前5公司市占率達(dá)67.5%，行業(yè)集中度較高。

從市場規(guī)模上看，2018年全球IGBT市場規(guī)模達(dá)58.36億美元，較2017年的52.55億美元增長11.06%。

國內(nèi)方面，2018年國內(nèi)IGBT市場規(guī)模達(dá)261.9億元，較2017年的132.5億元大增97.66%。隨著軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域的加速發(fā)展，國內(nèi)IGBT需求迎來爆發(fā)，近幾年國內(nèi)IGBT市場規(guī)模呈加速增長趨勢。

三、IGBT國內(nèi)產(chǎn)量供不應(yīng)求

受IGBT市場需求大幅增長推動(dòng)，國內(nèi)IGBT行業(yè)近年開啟加速增長。除華為開始布局之外，比亞迪微電子、中車時(shí)代半導(dǎo)體、斯達(dá)股份、士蘭微等部分企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在市場上有不錯(cuò)表現(xiàn)。、

此外，近年來，原從事二極管、三級管、晶閘管等技術(shù)含量較低的功率半導(dǎo)體廠商，華微電子、揚(yáng)杰科技、捷捷微電以及臺基股份等紛紛向MOSFET與IGBT領(lǐng)域突圍，部分下游應(yīng)用廠商也向上游IGBT領(lǐng)域布局。

盡管國內(nèi)有眾多廠商加入IGBT產(chǎn)品布局，但國內(nèi)IGBT市場依然產(chǎn)量較低，與國內(nèi)巨大需求相比供不應(yīng)求。2018年國內(nèi)IGBT產(chǎn)量1115萬只，較2017年的820萬只增加了295萬只，同比增長36%。但2018年國內(nèi)IGBT產(chǎn)品需求達(dá)7898萬只，供需缺口達(dá)6783萬只，國內(nèi)產(chǎn)量嚴(yán)重不足。

四、小結(jié)

目前，白色家電、逆變器、逆變電源、工業(yè)控制等國內(nèi)中低端市場已經(jīng)逐步完成了國產(chǎn)化替代，不過，在新能源汽車、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)等要求非常高的領(lǐng)域，國內(nèi)IGBT廠商有待突破。

在新能源汽車領(lǐng)域，比亞迪微電子、斯達(dá)股份、上汽英飛凌等廠商的IGBT模塊產(chǎn)品已經(jīng)出貨，中車時(shí)代半導(dǎo)體的汽車用IGBT產(chǎn)品也已送樣測試；在國家電網(wǎng)方面，除中車時(shí)代半導(dǎo)體的IGBT產(chǎn)品已進(jìn)入市場外，2019年10月份，國電南瑞宣布與國家電網(wǎng)有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

不過由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程中一直進(jìn)展緩慢，隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，我國功率半導(dǎo)體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場，但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。

原標(biāo)題：從華為入場IGBT看國內(nèi)IGBT發(fā)展現(xiàn)狀