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中科院項目“等離子體浸沒離子注入制備黑硅及太陽電池技術研究”順利通過驗收
日期:2013-10-21   [復制鏈接]
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  2013年10月12日,中科院前沿局組織專家在中科院嘉興對微電子所承擔的院知識創(chuàng)新工程重要方向項目“等離子體浸沒離子注入制備黑硅及太陽電池技術研究”進行了現(xiàn)場驗收。專家組由來自上海交通大學、中山大學、浙江大學、蘇州納米所等八家單位的專家組成。前沿局劉桂菊副局長、微電子所陳大鵬副所長、項目負責人夏洋研究員及項目組骨干等出席了會議,會議由前沿局技術科學處趙慧斌副處長主持。

  該項目創(chuàng)新性地采用等離子體浸沒離子注入方法制備黑硅,制備的多晶硅片反射率低至1%(在可見光波段內(nèi)),表面微觀結構和反射率可控。通過系統(tǒng)研究,研制的多晶黑硅電池轉換效率最高達18.3%。小批量試產(chǎn)表明工藝穩(wěn)定。

驗收會現(xiàn)場


  專家組認真聽取了項目負責人的匯報,審閱了項目組提交的驗收材料,經(jīng)過充分討論、質詢和評議后,一致同意該項目通過驗收,并對項目組取得的研究成果給予高度評價,認為該項目的完成將對現(xiàn)有晶硅太陽能電池生產(chǎn)線實現(xiàn)升級優(yōu)化,提升我國太陽能電池裝備領域的技術水平,將為我國光伏產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展、升級提供必要的技術積累,具有前瞻性和深遠的戰(zhàn)略意義。

  


 
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來源:中國科學院前沿科技與教育局
 
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