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“黑硅”(blackSlicon)則幾乎不反射光線，并且具有比光波長更小的奈米級突起或孔隙所形成的高度表面紋理。無論是日出到日落，這種紋理表面均有助于從任何角度有效率地收集到光線。

研究人員們開發(fā)出一種簡單的單一步驟制程，能以最小成本提高現(xiàn)有太陽能電池技術的轉換效率。

萊斯大學的化學家AndrewBarron與Yen-TienLu采用一種可在室溫下作業(yè)的單一步驟制程，取代了以往結合金屬沉積和化學蝕刻的2步驟制程。

透過化學蝕刻可實現(xiàn)硝酸銅、亞磷酸、氟化氫與水的混合。而當施加在硅晶圓時，亞磷酸縮減銅離子形成銅奈米粒子。這種奈米粒子可從硅晶圓表面吸收電子，使其氧化，并且讓氟化氫在硅晶中燒出倒三角形的奈米孔隙。

經(jīng)過微調過程產(chǎn)生了帶有小至590nm孔隙的黑硅層，可穿透99%以上的光線。相形之下，一個未經(jīng)蝕刻的干凈硅晶則反射近100%的光線。

Barron表示，表面突起尖刺仍需采用涂層來與元素隔離，目前研究團隊正致力于找到可縮短目前在實驗室中進行蝕刻需要8小時制程的方法。不過，這種以單一步驟制程簡化黑硅的開發(fā)，已經(jīng)使其較以往的方法更具實用性了。