未來三五年內(nèi)的技術(shù)路線仍然是晶體硅占絕對主導(dǎo),硅料端技術(shù)以成熟的硅烷流化床法逐步取代現(xiàn)有的改良西門子法,硅片端的“金剛線切多晶+黑硅+PERC”成為市場標(biāo)配,擠壓單晶硅片市場,直拉單晶工藝會讓位于鑄造單晶工藝。50多吉瓦的多晶鑄錠設(shè)備會通過熱場改造進一步提升高效多晶產(chǎn)能、改善晶體結(jié)構(gòu)和產(chǎn)出高性價比鑄造單晶;而10多吉瓦的直拉單晶設(shè)備,在高效N型單晶成本仍高的三年內(nèi),至少一半以上產(chǎn)能面臨閑置。
市場價格下滑仍然是常態(tài),在光伏平價上網(wǎng)到來之前,光伏全產(chǎn)業(yè)鏈價格逐年下調(diào),光伏發(fā)電成本降低,促進光伏應(yīng)用市場擴大。從2017年的價格走勢看,仍然是上半年上揚,“6.30”后急凍,第四季度恢復(fù),呈斜“N”型軌跡,全年整體呈下降趨勢。生產(chǎn)負(fù)荷和市場交易量也偏重上半年,這主要受中國市場影響,如2016年全球70吉瓦的光伏組件,中國本土產(chǎn)量就達50吉瓦,而在中國當(dāng)年的安裝量就達30吉瓦,而且為趕"6.30"調(diào)價期限,大部分交易在上半年。今年的“6.30”影響不如去年明顯,但“領(lǐng)跑者計劃”項目集中并網(wǎng)影響也很大,由于“領(lǐng)跑者計劃”對單多晶效率標(biāo)準(zhǔn)制定沒有拉開差距,去年的投標(biāo)方案大比例選擇了單晶組件以獲得技術(shù)評分,在單晶產(chǎn)能不足的情況下造成供應(yīng)緊張,價格漲幅高,預(yù)計“6.30”后跌幅也大,斜“N”型的價格走勢中單晶的上下幅度大,多晶則相對平緩。預(yù)計2017年四季度,隨著金剛線切多晶及黑硅產(chǎn)能提速,單多晶性價比差距拉大,市場上單多晶比例將從2.5:7.5回落到2:8。