国产黄色视频99,高清无码人妻中出亚洲,制服丝袜综合另类中文字幕,手机无码福利在线观看1000集

掃描關(guān)注微信
知識(shí)庫 培訓(xùn) 招聘 項(xiàng)目 政策 | 推薦供應(yīng)商 企業(yè)培訓(xùn)證書 | 系統(tǒng)集成/安裝 光伏組件/發(fā)電板 光伏逆變器 光伏支架 光伏應(yīng)用產(chǎn)品
 
 
 
 
 
當(dāng)前位置: 首頁 » 資訊 » 知識(shí) » 正文
 
摻雜與成結(jié):光伏電池的“心臟”
日期:2023-04-19   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sy_luxiaoyun 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]
P-N 結(jié)是光伏電池的“心臟”。按照 P-N 結(jié)類型,光伏電池可以分為同質(zhì)結(jié)電池和異質(zhì)結(jié)電池。其中同質(zhì)結(jié)電 池主要通過擴(kuò)散的方式,在同一種類型的硅片(P 型或 N 型)上實(shí)現(xiàn)摻雜,從 而得到 P-N 結(jié)。異質(zhì)結(jié)電池的 P 型區(qū)和 N 型區(qū)由不同類型的半導(dǎo)體材料構(gòu)成, 可分為摻雜型和非摻雜型。

當(dāng) P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,由于 P 型半導(dǎo)體中空穴濃度高,而 N 型半導(dǎo)體中電子濃度高,因此會(huì)形成熱擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。即 P 型半導(dǎo)體中空穴向 N 型區(qū)擴(kuò)散,N 型半導(dǎo)體中的電子向 P 型區(qū)擴(kuò)散。而后 在 P 型區(qū)形成負(fù)電荷,而 N 型區(qū)形成正電荷,兩者之間形成一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)。在光照條件下,能量大于禁帶寬度的光子被吸收,在 PN 結(jié)的兩邊產(chǎn)生電子-空 穴對(duì),并在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下相互分開,從而產(chǎn)生光生電流。

“收集概率”描述了光照射到電池的某個(gè)區(qū)域產(chǎn)生的載流子被 P-N 結(jié)收集并參 與到電流流動(dòng)的概率。其大小與光生載流子需要運(yùn)動(dòng)的距離和電池表面特性有關(guān)。距離耗散區(qū)越遠(yuǎn),被收集的概率就越小,而表面鈍化能夠增加同一位置下載流子 被收集的概率。

什么是擴(kuò)散?擴(kuò)散描述了一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中運(yùn)動(dòng)的情況。本質(zhì)在于原子、分子和離子的 布朗運(yùn)動(dòng),造成由濃度高的地方向濃度低的地方進(jìn)行擴(kuò)散。晶體硅太陽電池制造采用了高溫化學(xué)熱擴(kuò)散的方式來實(shí)現(xiàn)摻雜制結(jié)。熱擴(kuò)散利用 高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅的晶格結(jié)構(gòu),這種方法受到時(shí)間和溫度的影響,需要 3 個(gè)步 驟:預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。

擴(kuò)散的三個(gè)指標(biāo):方阻、結(jié)深、表面濃度


方阻值大小主要為表面濃度和結(jié)深的綜合表征,其對(duì)電池片參數(shù)的影響主要有以 下三點(diǎn):1)擴(kuò)散 P-N 結(jié)深度直接影響到其對(duì)短波光線的吸收,因此在一定范圍內(nèi)擴(kuò)散 P-N 結(jié)越淺(方阻值越高),電流值越高;2)擴(kuò)散磷元素的摻雜濃度從一定程度上影響其 N 型硅部分的導(dǎo)電性能,因此摻 雜濃度越高(方阻值越小),填充因子越高;3)一般來說,在一定范圍內(nèi),擴(kuò)散濃度增大,開路電壓隨之增大。

2.1、 同質(zhì)結(jié):磷擴(kuò)與硼擴(kuò)


同質(zhì)結(jié)電池中,P 型區(qū)和 N 型區(qū)為同一種類型的半導(dǎo)體材料,一般使用摻雜的 方法形成 P-N 結(jié)。常見的摻雜方法包括:1)管式擴(kuò)散(低壓、常壓);2)離子注入+退火;3)涂布源擴(kuò)散(絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴涂、滾筒印刷)。目前大多采用低壓管式擴(kuò)散。

磷擴(kuò):POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面,P2O5與硅反應(yīng)生成 SiO2和磷原子,并 在硅片表面形成一層磷硅玻璃,然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。硼擴(kuò):BBr3/ BCl3分解產(chǎn)生的 B2O3淀積在硅片表面,B2O3與硅反應(yīng)生成 SiO2和硼原子, 并在硅片表面形成一層硼硅玻璃,然后硼原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。由上可知,不管是硼擴(kuò)還是磷擴(kuò),需形成硼原子或磷原子的基礎(chǔ)上,向硅基體擴(kuò) 散。相比磷擴(kuò)散,硼擴(kuò)散的難度更大。原因在于硼原子在硅基體中的固溶度較低,導(dǎo) 致硼擴(kuò)的溫度須達(dá)到 1000℃以上。且表面摻雜量較多時(shí)容易在表面形成硼堆積, 即富硼層(BRL),對(duì)后續(xù)清洗造成挑戰(zhàn)。

對(duì)于硼擴(kuò)來說,目前有 BBr3/ BCl3兩種路線。BBr3常溫下為液體,安全性相對(duì)較好,但生成的 B2O3呈黏狀,需要 DCE 清洗, 維護(hù)成本高。BCl3常溫下為氣體,安全性相對(duì)較差,但生成的 B2O3呈顆粒狀,容易清理,缺 點(diǎn)是 B-Cl 鍵能更大,不易分解,造成擴(kuò)散溫度下利用率不高。

根據(jù) ITRPV 預(yù)測(cè),未來 BBr3路線仍將占據(jù)多數(shù)份額,但 BCl3路線的占比將會(huì)逐 步提升,到 2032 年約達(dá)到 40%左右的市場(chǎng)份額。

2.2、 同質(zhì)結(jié):SE

為什么需要 SE(選擇性發(fā)射極)?原因在于:常規(guī)晶體硅太陽能電池采用均勻高濃度摻雜的發(fā)射極。較高濃度的摻雜可以改善 硅片與電極之間的歐姆接觸,降低串聯(lián)電阻,但也容易造成較高的表面復(fù)合。為 此,需要使用選擇性發(fā)射極(SE)技術(shù),在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位 及其附近進(jìn)行高濃度摻雜深擴(kuò)散,而在電極以外的區(qū)域進(jìn)行低濃度摻雜淺擴(kuò)散。

SE 結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì):1)電極下的重?fù)诫s使得接觸電阻較常規(guī)電池有所下降,從而提高填充因子;2)電極間的輕摻雜可有效降低載流子在擴(kuò)散層橫向流動(dòng)時(shí)的復(fù)合概率,提高載 流子收集效率;3)太陽光短波段基本在硅片正表面被吸收,淺擴(kuò)散可以提高短波段太陽光的激 發(fā)效率,從而提高短路電流;4)形成一個(gè) n++-n+/ p++-p+的高低結(jié),可以降低電極下方的少數(shù)載流子復(fù)合, 提高開路電壓。綜合來說,SE 較常規(guī)電池更好地平衡了金屬半導(dǎo)體間的接觸電阻和光子收集之 間的矛盾?;谂饠U(kuò)的技術(shù)難度,在硼擴(kuò)的基礎(chǔ)上做出 SE 相較磷擴(kuò) SE 難度更大,目前主 要發(fā)展出一次硼擴(kuò)和二次硼擴(kuò)兩種技術(shù)路線。

根據(jù)通威股份《基于 PECVD 技術(shù)制備超薄隧穿氧化層及 poly-Si 在 TOPCon 電 池中的應(yīng)用》,目前行業(yè)內(nèi)常見的硼擴(kuò) SE 有五種方案,其中激光開膜路線是目 前最成熟的方案。從量產(chǎn)前景來看,Etch-back 路線、激光直摻路線是最可能實(shí) 現(xiàn)量產(chǎn)的路線。五種方案中,刻蝕漿料路線、硼漿路線、Etch-back 路線都需要 外部開發(fā)不同的漿料。

2.3、 異質(zhì)結(jié):摻雜與非摻雜


從本質(zhì)上講,熱擴(kuò)散是實(shí)現(xiàn)摻雜的一種方法,用于在同一種半導(dǎo)體上形成 PN 結(jié)。其他方法還包括離子注入、氣相沉積等。如通過氣相沉積的方法在晶硅表面沉積本征非晶硅和摻雜非晶硅,由于晶硅與非 晶硅不屬于同一種半導(dǎo)體材料,故形成的 P-N 結(jié)名異質(zhì)結(jié)。

異質(zhì)結(jié)電池采用氣相沉積實(shí)現(xiàn)摻雜,而非擴(kuò)散的形式。這帶來的一個(gè)問題是,前 表面的非晶硅帶隙較小,導(dǎo)致嚴(yán)重的光學(xué)寄生吸收,從而限制了飽和電流的提升;且非晶硅層摻雜效率低致使電池良率較低。這就引發(fā)了對(duì)免摻雜異質(zhì)結(jié)電池的應(yīng)用和探索。N 型過渡金屬氧化物(TMO) 材料被嘗試用作空穴傳輸層。根據(jù)中山大學(xué)相關(guān)資料,HJT 電池中利用 MoOx 代替 p 型摻雜非晶硅,最高轉(zhuǎn)換效率已達(dá) 23.5%。

2.4、 非成結(jié)摻雜

摻雜工藝除了可以形成 P-N 結(jié)之外,還被用作形成高低結(jié)。所謂高低結(jié),指的是在電池基體和底電極間建立一個(gè)同種雜質(zhì)的濃度梯度,制備 一個(gè) P-P+或 N-N+高低結(jié),形成背電場(chǎng),可以提高載流子的有效收集,改善太陽 電池的長波響應(yīng),提高短路電流和開路電壓,這種電池被稱為“背場(chǎng)電池”。典型的案例是在 TOPCon 電池中,正面使用硼摻雜在 N 型硅片上形成 P-N 結(jié), 背面使用磷摻雜制成的 N 型多晶硅,起到高低結(jié)的作用。HJT 電池中,正表面 i 層非晶硅與 n 型硅基底形成 P-N 結(jié),背表面 n 型非晶硅與 n 型硅基底形成高低 結(jié)。

從廣義上來講,只要是通過同種雜質(zhì)的濃度梯度建立起電場(chǎng),從而影響載流子收 集的結(jié)構(gòu),都可以稱作高低結(jié)。如硼擴(kuò)/磷擴(kuò)中的選擇性發(fā)射極、BSF 電池中的鋁背場(chǎng)、PERC 電池中的局部鋁 背場(chǎng)、以及 TOPCon 電池正表面的銀鋁漿細(xì)柵。

2.5、 擴(kuò)散爐

國內(nèi) PERC 電場(chǎng)的磷擴(kuò)散設(shè)備已完全實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,并發(fā)展出了適用于大硅片、大 產(chǎn)能的設(shè)備,綜合考慮熱場(chǎng)、氣場(chǎng)的均勻性,硅片的放置模式有水平、垂直、類 PE 型垂直等多種模式。硼擴(kuò)散設(shè)備的要求比磷擴(kuò)散更高,主要體現(xiàn)在:均勻性、擴(kuò)散時(shí)間長、擴(kuò)散溫度 高、硅片寄生 OSF 位錯(cuò)。

均勻性問題:核心是氣場(chǎng)與熱場(chǎng)的均勻。垂直放片和水平放片各有優(yōu)劣,垂直放片有利于熱輻射傳遞,但不利于氣流傳輸;水平放片有利于氣流傳輸,但對(duì)熱輻射有遮擋。隨著硅片尺寸變大變薄,垂直放 片的均勻性受到挑戰(zhàn),一方面大硅片導(dǎo)致兩硅片間氣體運(yùn)動(dòng)距離變長,阻力增大;另一方面薄硅片垂直放置時(shí)彎曲度變大。拉普拉斯采用水平背對(duì)背放置,氣流從端口和側(cè)面進(jìn)入,不僅增加了氣流的均勻 性,而且硅片背對(duì)背放置,在重力作用下自然壓緊,可減少繞鍍。

另一方面,隨著單爐產(chǎn)能不斷增加,爐管長度隨之增加,帶來了超長溫區(qū)內(nèi)氣流 與熱場(chǎng)均勻性問題。目前多采取多段進(jìn)氣的方式,增加爐管內(nèi)氣流均勻性。

原標(biāo)題:摻雜與成結(jié):光伏電池的“心臟”
 
掃描左側(cè)二維碼,關(guān)注【陽光工匠光伏網(wǎng)】官方微信
投稿熱線:0519-69813790 ;投稿郵箱:edit@21spv.com ;
投稿QQ:76093886 ;投稿微信:yggj2007
來源:光伏聯(lián)播
 
[ 資訊搜索 ]  [ 加入收藏 ] [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關(guān)閉窗口 ]

 
 

 
 
 
 
 
 
圖文新聞
 
熱點(diǎn)新聞
 
 
論壇熱帖
 
 
網(wǎng)站首頁 | 關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 網(wǎng)站地圖 | 廣告服務(wù)| 會(huì)員服務(wù) | 企業(yè)名錄 | 網(wǎng)站留言 | RSS訂閱 | 蘇ICP備08005685號(hào)
 
  • <nav id="ccc0c"><sup id="ccc0c"></sup></nav>
  • <tfoot id="ccc0c"><dd id="ccc0c"></dd></tfoot>
  • <sup id="ccc0c"><delect id="ccc0c"></delect></sup>
  • 
    
    <nav id="ccc0c"><code id="ccc0c"></code></nav>
    <noscript id="ccc0c"><optgroup id="ccc0c"></optgroup></noscript>
    
    <tfoot id="ccc0c"><dd id="ccc0c"></dd></tfoot>
    <noscript id="ccc0c"></noscript>
  • <sup id="ccc0c"><code id="ccc0c"></code></sup>