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 摘要：為進(jìn)一步大幅提高晶體硅太陽能電池和組件的性能，電池結(jié)構(gòu)和封裝方式的創(chuàng)新必不可少，而MWT背接觸技術(shù)是其中最有代表性的一種適合產(chǎn)業(yè)化的創(chuàng)新技術(shù)。本文概述了MWT背接觸技術(shù)的發(fā)展歷程和最新進(jìn)展，闡述了其關(guān)鍵技術(shù)、工藝難點和技術(shù)優(yōu)勢，進(jìn)一步展望其在不久的將來可能會逐步替代常規(guī)技術(shù)，成為未來產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展方向。

關(guān)鍵詞：MWT背接觸 晶硅太陽能電池 封裝方式 導(dǎo)電背板 高效組件

1 引言

目前主流的晶體硅太陽能電池和組件技術(shù)早在上個世紀(jì)90年代已經(jīng)基本成熟，性能和轉(zhuǎn)化效率的提高主要依賴于材料的改進(jìn)和工藝細(xì)節(jié)的優(yōu)化，進(jìn)一步提高的空間已經(jīng)越來越窄。電池和組件結(jié)構(gòu)的重大創(chuàng)新被越來越多的光伏研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)所關(guān)注，背面鈍化（PERC）電池、異質(zhì)結(jié)（HIT）電池和背接觸式電池等新型結(jié)構(gòu)的電池被認(rèn)為是最有發(fā)展前景的幾種技術(shù)[1-3]，并逐步從實驗室走向量產(chǎn)線。目前晶體硅電池產(chǎn)品量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化效率記錄一直被美國Sunpower公司的全背接觸式（IBC）電池所保持，其電池和組件的量產(chǎn)轉(zhuǎn)化效率分別達(dá)到22%和20%以上，但其生產(chǎn)工藝過于復(fù)雜，生產(chǎn)成本較常規(guī)產(chǎn)品高出50%以上，所以只適合應(yīng)用在一些面積有限的高端項目上。低成本的金屬纏繞（MWT）背接觸技術(shù)和發(fā)射極穿透（EWT）被越來越多的人所關(guān)注，其中MWT背接觸技術(shù)發(fā)展更快，已經(jīng)實現(xiàn)從實驗室階段向產(chǎn)線進(jìn)行過渡，極具發(fā)展前景。

荷蘭國家能源研究中心（ECN）、德國夫瑯禾費(fèi)太陽能研究所（FISE）及眾多光伏企業(yè)都對MWT背接觸技術(shù)進(jìn)行了研究和開發(fā)，其技術(shù)路線和實現(xiàn)方法均有所差異，本文就其中主要的技術(shù)路線、實現(xiàn)方法和發(fā)展現(xiàn)狀做出系統(tǒng)的介紹。

2 MWT背接觸電池技術(shù)

如圖1所示，MWT背接觸電池技術(shù)是采用激光打孔、背面布線的技術(shù)消除了正面電極的主柵線，正面電極細(xì)柵線搜集的電流通過孔洞中的銀漿引到背面，這樣電池的正負(fù)電極點都分布在電池片的背面，有效減少了正面柵線的遮光，提高了轉(zhuǎn)化效率，同時降低了銀漿的耗量和金屬電極-發(fā)射極界面的少子復(fù)合損失。