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絲網(wǎng)印刷中太陽(yáng)能電池的背鈍化技術(shù)
日期:2015-05-04   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:linpher 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]
 本文研究的是在絲網(wǎng)印刷中鋁背場(chǎng)中硅的橫向拓展,在合適的工業(yè)溫度范圍內(nèi),鋁層的增長(zhǎng)速度為(1.50±0.06)μm/℃。這樣的話,硅片中鋁擴(kuò)散的最大極限速度就可以預(yù)測(cè),而且不被接觸面積的大小限制只會(huì)受溫度的影響。所以,背場(chǎng)的形狀不僅影響了串聯(lián)電阻的損失,而且會(huì)影響硅鋁接觸形成的過程,另外,快速冷卻會(huì)導(dǎo)致柯肯特爾空洞而不是產(chǎn)生共晶層。

太陽(yáng)能電池的背鈍化技術(shù)有效地提高了電池的效率,但是在絲網(wǎng)印刷中對(duì)鋁粉漿和硅之間的接觸的優(yōu)化所起的作用是微不足道的,而且需要更深地理解金屬半導(dǎo)體之間的接觸效應(yīng)。事實(shí)上,當(dāng)串聯(lián)電阻減少時(shí),接觸面積和指間距的配合是一個(gè)至關(guān)重要的問題。另一方面,用高質(zhì)量P+摻雜層[背場(chǎng)(BSF)]的形成來提高電池的性能一直很具有挑戰(zhàn)性。最近,接觸開縫中鋁的高重疊對(duì)于生成良好的BSF和使接觸電阻的最小化是至關(guān)重要的,從而背場(chǎng)的設(shè)計(jì)能夠影響串阻的損失和接觸形成的過程。本文中,研究的以液體鋁和硅之間的相互擴(kuò)散為基礎(chǔ)得到最優(yōu)最小的背場(chǎng)接觸間距。這些結(jié)果已經(jīng)應(yīng)用在絲網(wǎng)印刷的背面接觸式和背面鈍化硅的太陽(yáng)能電池上。

圖1(a)所示的是背面鈍化硅和背面接觸式的太陽(yáng)能電池的橫截面。3個(gè)變量用來描述背

面結(jié)構(gòu)--接觸開縫的寬度(LCO),d1;鋁層中擴(kuò)散硅的最大傳播極限,d2;接觸面積,LP,所以,(d2-d1)/2代表了在LCO的一側(cè)(遠(yuǎn)離接觸面積)的鋁中的硅的傳播。如圖所示,在圖1(a)的截面模型中,LCO,d1限制了硅和鋁的接觸面積,電池背面全部覆蓋著鋁,LCO在結(jié)構(gòu)的背面,而BSF在LCO中形成,這是鋁硅的相互擴(kuò)散。圖1(b)的顯微鏡圖片所示的是和圖1(a)相同背面結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池背面的一部分,深灰色部分(在d2里)在鋁層中是顯而易見的,但不代表BSF的形成,因?yàn)樗鼈儽萀CD(d2>d1)要寬,理解這種現(xiàn)象可以促進(jìn)現(xiàn)在研究的發(fā)展。
拋光的Czochralski P型硅片,電阻率為1.5±0.5Ωcm,覆蓋著用加強(qiáng)等離子體化學(xué)蒸汽沉積的介質(zhì)絕緣層。LCO(d1)可以用絲網(wǎng)印刷蝕刻膏來得到,其中包括的磷酸是一種有效的介質(zhì)場(chǎng)的腐蝕劑,介質(zhì)的腐蝕是通過在330℃的紅外爐中加熱硅片4min。干刻蝕膏會(huì)在幾秒內(nèi)在充滿了用去離子水稀釋的0.2%的KOH的超聲波清洗器中被清除。d1的值可在100-150μm范圍內(nèi),為50μm的差距(但真實(shí)值約比其大20μm,這是由于刻蝕膏的擴(kuò)散),絲網(wǎng)印刷后多出的20μm的鋁接觸完全覆蓋了背鈍化和開縫。樣品在燒結(jié)爐中燒結(jié)后會(huì)形成合金,3個(gè)發(fā)射峰值溫度是:750℃、850℃和950℃。深灰色可見區(qū)域的寬度值可以用光學(xué)顯微鏡測(cè)量。
 
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