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圖3（a）所示的是d1約為80μm時鋁層下形成的共晶層。圖3（b）所示的是硅的濃度，符合以LCO為基礎的高斯擬合，左邊和右邊都減小到預計的擴散極限375μm。從高斯擬合來看，最大濃度代表了27個計數(shù)，而擴散極值處（d2-d1）/2的濃度大約代表了3個計數(shù)。在硅的擴散區(qū)間（距離LCO375μm）中，對于高燒結峰值溫度950℃，C[（d2-d1）/2]/C0=11.11%的硅濃度一直呈現(xiàn)在鋁層中，BSF同樣是在這樣的接觸下形成，深達8μm。

圖3（c）所示的是在這樣的接觸下沒有形成共晶層而是形成了空穴。這種情況下，鋁被儲存在一個寬廣的接觸開縫（d1約為125μm）而且在高燒結峰值溫度下燒結（迅速冷卻）。通常在這種樣品的LCO中會存在空穴，這是由于冷卻時時間太短。圖3（d）所示的是存在空穴的樣品中鋁層中的硅成分，描述了在接觸開縫的中心和距離接觸開縫中心大于150μm的兩個極大值處更高濃度形成的不規(guī)則形式。這種現(xiàn)象可以由硅和鋁之間的接觸形成的以下模型解釋。

硅-鋁層的形成從鋁的熔化開始。液體鋁浸潤電介質(zhì)的開縫的硅表面，然后硅在鋁層中溶解，硅中鋁滲透的深度是關于溫度和鋁球直徑的函數(shù)。在燒結峰值溫度為950℃時，滲透深度是20μm，如圖3（a）和圖3（c）所示。因為硅在鋁中的溶解度比鋁在硅中的溶解度要高，所以硅原子在鋁中擴散的體積比鋁原子在硅中的大。如果燒結峰值溫度太高，擴散會加快，而且硅在鋁層中擴散的會更深。界面處，首先鋁直接和大部分硅接觸，并處于飽和狀態(tài)，然后硅擴散過程從大量的液體鋁質(zhì)量的橫向界面的邊界（沒有飽和的硅）開始，幾秒過后，在距離接觸面大于370μm的鋁層中可以發(fā)現(xiàn)大量的硅原子。P型硅（BSF）在滲透時大量鋁原子的出現(xiàn)直接變換了鄰近表面，一旦燒結峰值溫度達到最大值，液體溶解就會達到飽和。