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 編者按：經(jīng)過各種對比，列數(shù)據(jù)，詳細(xì)描述了拼片的各方面優(yōu)劣。



1、為什么拼片單晶CTM＞1？

拼片的CTM>1，是把電池的能力發(fā)揮到了極限，常規(guī)的整片單晶PERC 5BB封裝時候的CTM是96.5，相當(dāng)于100W的電池封裝之后只能得到96.5W的組件，（CTM：CELL TO MODULE），而組件玻璃的透光率一般是94%多一些，在封裝的過程當(dāng)中必然有一部分的光是沒法入射的，所以電池封裝成組件，一般都會有一點(diǎn)功率損失，所以說CTM一般就是考核封損有多小。

但拼片技術(shù)將會引領(lǐng)大家進(jìn)入封益時代，我們以后考察組件技術(shù)，不是說其功率損失有多小，而是功率增益有多大，拼片技術(shù)封裝不僅沒有損失，反而還有增益，增益主要來自于兩部分，一部分是半片技術(shù)，電池片測試的時候，按照整片來測試，但是封裝的時候按照半片來封，電流減半，在電阻上，消耗的功率只有原先的1/4，按照P=I2R那么半片技術(shù)可以給組件提升5-6W，那在60板型上，那么對應(yīng)就提升了CPM2%個點(diǎn)。

另外一個CPM提升原因，主要就是來自于三角焊帶。電池片在測試的時候主柵遮擋的部分默認(rèn)為不計算功率，但是拼片技術(shù)封裝以后，在主柵部分覆蓋了具有高反光能力的鍍錫的三角形的焊帶。而三角焊帶有非常好的光學(xué)結(jié)構(gòu)。那么原先被主柵遮擋浪費(fèi)的電池片部分，通過一個三角形的焊帶反光又把這部分這個面積上的光線重新利用了，等于對電池能力進(jìn)行了一次二次開發(fā)，那么常規(guī)的5BB組件的話，扁平焊帶的寬度是一毫米，總共是五根。那么遮擋的總寬是五毫米，那么遮擋的面積的百分比是3.2%，而拼片的三角焊帶技術(shù)能把這部分損失拿回80%。

根據(jù)我們的測算，拿回來的焊帶損失的80%，對應(yīng)下來的功率也是7-8W，所以拼片技術(shù)在焊帶導(dǎo)致的功率損失扳回一分，這個地方的CTM增益也有2%以上，原先常規(guī)5BB整片組件的CTM96.5，那么使用了拼片技術(shù)后，半片增益2% CTPM，三角焊帶增益2.5%的CTM。最后實(shí)測下來，理論上的CTM是101--101.5，是一個封益的技術(shù)。

這就意味著,大家使用拼片技術(shù)，客戶購買100片電池，實(shí)際上可以賣成101片的組件，買100瓦的電池可以賣101瓦，甚至102瓦的組件。

問題2.為什么拼片的組件效率比疊瓦高？

拼片組件，效率已經(jīng)高于疊瓦了，拼片60片版型的組件長寬是：1658mm*996mm，那么可以與之對標(biāo)的疊瓦組件，在面積比我大5%的情況下，功率也才是345W。而拼片組件如果做到和疊瓦組件一樣的面積的時候，拼片組件的功率會做到335-360W。也就是說，同面積下拼片組件的功率要比疊瓦組件高2-3個檔。

為什么拼片技術(shù)的轉(zhuǎn)換效率比疊瓦要高呢？一個是電池面積和組件總面積的比，我把它叫做封裝屏占比，拼片技術(shù)的封裝屏占比和疊瓦接近，拼片扣除掉邊框和串間距，封裝屏占比已經(jīng)做到了98%，另一個方面，拼片技術(shù)對外輸出能力，因為它是常規(guī)的金屬焊接，又使用了7BB技術(shù)，F(xiàn)F填充因子達(dá)到了80%以上，比疊瓦要高2%。

問題3.拼片的單瓦發(fā)電能力到底如何？

大家可能會有一個疑問：拼片組件，會不會出現(xiàn)那種測試功率高，但是實(shí)證發(fā)電能力弱的現(xiàn)象？

拼片實(shí)測發(fā)電數(shù)據(jù)，就拼片技術(shù)單瓦發(fā)電能力，要和常規(guī)的5BB半片是相差無幾的。

原理很簡單，就是三角形焊帶在電池片和玻璃之間發(fā)生了一次全反射現(xiàn)象，就是說拼片的組件，在垂直打光下功率是最高的，但是在側(cè)打光的時候，人們會說：三角焊帶會形成對其背面的一個遮陰問題。但是實(shí)際上是不會的，因為光線從玻璃側(cè)打光進(jìn)入組件以后，會發(fā)生一次折射，那么這是折射，就會導(dǎo)致光線就變得更加垂直，更加垂直的光線照射到三角焊帶，會發(fā)生兩種情況，一種情況就是53度以內(nèi)入射光直接進(jìn)入電池片。而第二種情況就是傾斜角大于53度的光線，比如89度的光進(jìn)去以后照射到焊帶，也會在玻璃處發(fā)生一次折射，再加一次全反射現(xiàn)象，把這些光最終又照射到電池片以內(nèi)，所以說，拼片的三角焊帶技術(shù)使得光線得到了近乎100%的一個利用。

這就是為什么拼片技術(shù)。實(shí)測發(fā)電能力，也比較高的一個原因。

問題4：拼片背面遮光問題

拼片技術(shù)的特點(diǎn)是正面三角形背面扁平柔性，為了保障正面三角焊帶和扁平柔性焊帶搭接的穩(wěn)定，背面的扁平柔性焊帶的寬度是比較寬的，目前使用是1.5毫米寬度，初期的話甚至可能用到1.8毫米，總共是七根也就是10.35毫米，常規(guī)5BB技術(shù)封裝背面的遮擋面積是五毫米寬，那么拼片技術(shù)將會比常規(guī)五毫米的這個遮蔭面積大100%。

功率遮擋損失是多少？由于背面發(fā)電能力只有正面的10%，也不是全部遮住，只是比常規(guī)5BB背面遮陰寬了五毫米，在只有10%的功率基礎(chǔ)上，實(shí)際損失的功率大概是0.8W，也就是說，拼片組件背面的發(fā)電能力將會比5BB常規(guī)組件背面發(fā)電能力少0.8W，這就是拼片組件背面遮光的問題，解決方法就是提高扁焊帶的定位精度，后續(xù)可以使用到1.2毫米寬度的扁焊帶，可以緩解這個問題。

問題5:拼片的TC可靠性如何？

不只是TC測試，TC200 TC500都做過測試，拼片在TC測試表現(xiàn)中和常規(guī)的5BB組建TC測試表現(xiàn)一致，而且另外多項測試和常規(guī)組件是表現(xiàn)一致。

那么這又是為什么呢，這點(diǎn)是和使用導(dǎo)電膠組件極大的不同，使用新的封裝材料的組件，穩(wěn)定性就需要重新去驗證，而拼片技術(shù)，實(shí)際上還是沒脫離常規(guī)的焊帶體系，焊接的一個邏輯還是主柵線、上面焊上焊帶，然后焊帶串聯(lián)成條，只要焊接沒有問題，那么焊接的整個測試穩(wěn)定性表現(xiàn)就和常規(guī)組件一致。

目前晶科、正泰都有實(shí)證數(shù)據(jù)，有的廠商已經(jīng)做完了全套的認(rèn)證啊，目前，矚日推出了拼片技術(shù)的全球驗證計劃，就是我們發(fā)一批組件過去，你放在自己的環(huán)境相實(shí)驗溫度里頭去測試，自己去考核拼片的穩(wěn)定性。

問題6:拼片技術(shù)使用到的電池和常規(guī)電池有區(qū)別嗎？

電池的前道工藝是沒有區(qū)別的，但是拼片技術(shù)使用了比較獨(dú)特的網(wǎng)版。因為拼片技術(shù)的焊接特性，使得它需要搭配一套全新的網(wǎng)版圖形，具體圖形可以聯(lián)系矚日銷售人員。

問題7:拼片技術(shù)有很多焊接點(diǎn)，這些焊接點(diǎn)的穩(wěn)定可靠性如何？

拼片技術(shù)的一個特點(diǎn)就是它正面和背面使用了兩種不同焊帶并使用搭接的方式去實(shí)現(xiàn)，那么這也是矚日的核心專利之一。

關(guān)于焊點(diǎn)的問題，因為三角焊帶自帶15um的錫，扁焊帶的自身也帶著20um的錫，在焊點(diǎn)處的這個錫是最豐厚的，所以反倒是在焊點(diǎn)處，這個焊接是最飽滿最牢固的，除非是說定位精度不夠扁焊接偏離了，否則，只要搭接上去后，焊點(diǎn)是最牢的地方。

問題8:拼片對更薄的硅片兼容能力如何？

很多朋友擔(dān)心，拼片對薄片的兼容能力，因為三角焊帶又高又厚，是不是就會更容易裂？

實(shí)際情況恰恰相反，拼片對薄片的接受能力是最強(qiáng)的。拼片在整個焊接過程中環(huán)境是非常平整的，我們用了一種比較獨(dú)特的背面焊接的方式，使得焊接環(huán)境非常平整，整個焊接過程中沒有不平整的點(diǎn)，實(shí)際操作就不容易出現(xiàn)焊接隱裂，我們這段時間測試了一批140厚度的電池片啊，焊接狀態(tài)很好。

問題9:拼片的增益和成本問題？

剛才說的南德測試的組件338.9W，組建的長是1658毫米，寬是996毫米，這個組件的長寬和常規(guī)組件是相差無幾，但是我的功率做到了340瓦，而整個封裝材料和常規(guī)只有EVA的差異，余下玻璃、背板、邊框、接線盒，都是一樣的，那么唯一的差異就是我正面的EVA會厚一些，是需用到560克重以上的EVA，就這一點(diǎn)差異，大概會貴五塊錢一塊組件，整個組件的封裝成本要比常規(guī)組件貴五塊。

拼片組件一塊的封裝成本比常規(guī)組件貴五元錢，但是功率的話比常規(guī)組件要高25-30w之間。常規(guī)組件60版型功率只能做到310瓦到315瓦，但是拼片技術(shù)可以做到340W。

就是說，如果我們考核單瓦的封裝成本的話，拼片是最低的，拼片單瓦封裝成本會比常規(guī)組件便宜7-9分錢，一個組件廠的整個投資只需要七八千萬，假設(shè)1GW組件廠，一瓦便宜七到九分錢。那么光封裝材料單瓦節(jié)省能力上一年就可以創(chuàng)收八九千萬的利潤。

問題10:拼片鑄錠單晶CTM表現(xiàn)如何？

7月份會購買一批7BB鑄錠單晶電池片進(jìn)行測試，目前個人預(yù)計，鑄錠單晶封裝后比直拉單晶封裝后低4-5W。具體還是要看封裝后的數(shù)據(jù)再定。

問題11:拼片和反光貼膜的對比。

個人認(rèn)為不用比，一塊組件僅貼膜的成本（貼膜還要增厚EVA），在十塊錢以上，而拼片成本的增加反倒小于貼膜，至于說功率增加，因為三角形的鍍錫焊帶錫的反光率是98%，這個光線的反射效果是最好的，至于實(shí)踐測試的數(shù)據(jù)，原先5BB焊帶上遮擋的3.2%的光，拼片技術(shù)可以拿回來80%。

至于貼膜能拿回來多少？目前沒有數(shù)據(jù)，可能應(yīng)該沒有這么多。

那80%是什么概念？例如158.75方單晶，這個尺寸上3.2%的面積恰好對應(yīng)的是10W。那么拼片拿回來80%的話就對應(yīng)的是8W，而且是實(shí)功率不是虛功率。拼片的三角焊帶從原理上決定了提升的功率是實(shí)實(shí)在在，是在戶外實(shí)證發(fā)電帶來發(fā)電量增加的一種組件技術(shù)。所以我認(rèn)為拼片的三角焊帶的解決方案還是比貼膜要好的。

總之一點(diǎn)，拼片目前基于常規(guī)的量產(chǎn)電池就把組件效率做到了21%，你沒看錯，那21%就是組件效率。

感謝張治雨先生的耐心解答。

原標(biāo)題：技術(shù)交流||拼片技術(shù)11問