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編者按：近日，英飛凌在上海召開了主題為“Cool芯領(lǐng)航 英華綻放”的第二屆英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇暨光伏與儲(chǔ)能分論壇。多位資深專家出席了論壇，共同討論未來新能源發(fā)展趨勢(shì)。

英飛凌科技高級(jí)總監(jiān)Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術(shù)布局”發(fā)表主旨演講，為整個(gè)大會(huì)拉開了序幕。多位來自英飛凌、臺(tái)達(dá)電力、中國科學(xué)院電工研究所、伊頓電氣、德國萊茵TÜV集團(tuán)、IHS Markit的資深業(yè)內(nèi)專家也出席了論壇，共話碳化硅技術(shù)的發(fā)展前景、應(yīng)用之道，并肩展望未來新能源發(fā)展趨勢(shì)。

伴隨著中國產(chǎn)業(yè)革新的浪潮，新興工業(yè)、能源產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，技術(shù)也不斷更新迭代，這要求功率器件具有更加出色的性能表現(xiàn)。而碳化硅功率器件憑借高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢(shì)，將迎來爆發(fā)期，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。在快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、新能源汽車領(lǐng)域、軌道交通等行業(yè)，碳化硅器件的市場(chǎng)規(guī)模將迅速擴(kuò)大，有望占據(jù)未來的科技制高點(diǎn)。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，英飛凌與時(shí)俱進(jìn)、開拓創(chuàng)新，推出了先進(jìn)的碳化硅技術(shù)和完整的解決方案，將在以下應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橹袊髽I(yè)和合作伙伴助力：

太陽能領(lǐng)域：碳化硅技術(shù)可以在提高效率的同時(shí)，減小系統(tǒng)的體積和重量;

電動(dòng)汽車充電領(lǐng)域：可以實(shí)現(xiàn)高速充電，簡化電路，減少損耗;

電機(jī)領(lǐng)域：SiC MOSFET可以降低損耗及噪音，可望減少55%的逆變器體積及重量;

新能源汽車領(lǐng)域：SiC MOSFET將成為主要的技術(shù)，將會(huì)在新能源汽車的各個(gè)部分都能得到應(yīng)用。

在論壇上，各位專家還詳細(xì)探討了碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，深入剖析了碳化硅技術(shù)帶給市場(chǎng)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，并就碳化硅市場(chǎng)的現(xiàn)狀與前景分享了自己的獨(dú)到見解。

亮點(diǎn)一：碳化硅駕到，帶給市場(chǎng)的是機(jī)遇還是挑戰(zhàn)？

SiC給市場(chǎng)帶來的機(jī)遇遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于挑戰(zhàn)，SiC器件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，但是SiC領(lǐng)域的專業(yè)人士往往對(duì)SiC器件是 “又愛又恨” ，一方面SiC在縮小了體積同時(shí)提高了效率，一方面在SiC在應(yīng)用技術(shù)方面又有很高的要求，為了把短路保護(hù)做到極致，解決噪聲問題和散熱問題，這幾年我們?cè)诓粩嗟奶嵘夹g(shù)。無論是器件的研發(fā)還是系統(tǒng)的應(yīng)用，SiC仍面臨著很多技術(shù)門檻，我們會(huì)在這方面與SiC元器件廠商共同努力進(jìn)步。

        ——臺(tái)達(dá)電力電子研發(fā)中心執(zhí)行主任潘琪女士

亮點(diǎn)二：英飛凌在SiC領(lǐng)域的市場(chǎng)定位，SiC對(duì)英飛凌的重要性

SiC是英飛凌硅化領(lǐng)域中的核心產(chǎn)品，英飛凌在SiC產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)方面做出了很多的努力。就生產(chǎn)而言，雖說在SiC原材料供應(yīng)方面，晶圓的生產(chǎn)周期和產(chǎn)能是一個(gè)挑戰(zhàn)，但是英飛凌現(xiàn)有的冷切割技術(shù)，推動(dòng)晶圓的產(chǎn)能得到大幅提升和更高效的應(yīng)用。培養(yǎng)SiC技術(shù)領(lǐng)域人才方面，英飛凌不斷擴(kuò)充頂尖技術(shù)團(tuán)隊(duì)，希望把Si器件方面的生產(chǎn)能力、產(chǎn)能規(guī)模能延續(xù)到SiC，生產(chǎn)出高質(zhì)量、可靠的SiC產(chǎn)品，進(jìn)一步鞏固和提升我們的市場(chǎng)地位：為業(yè)界提供最可靠的SiC產(chǎn)品與服務(wù)!

英飛凌和國內(nèi)的很多企業(yè)都有關(guān)于SiC的探討，在以下行業(yè)更是有著成熟和深度的合作：快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、車載電源、軌道交通。我認(rèn)為SiC能在某個(gè)行業(yè)對(duì)其效率有革命性的提升，比如：提高能效方面和減少重量與體積方面，它一定會(huì)對(duì)這個(gè)領(lǐng)域有著極大的作用。但是SiC器件也不是萬金油，在接下來的很長一段時(shí)間，Si與SiC器件都會(huì)長期并存，共同發(fā)展。

        ——英飛凌科技大中華區(qū)副總裁工業(yè)功率控制事業(yè)部負(fù)責(zé)人于代輝先生

亮點(diǎn)三：SiC和Si是一脈相承還是相去萬里？

可以從SiC與Si器件的原理方面進(jìn)行分析，就結(jié)構(gòu)來講，Si與SiC材料之間最主要的差別是他們承受的電場(chǎng)能力不同，彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現(xiàn)在所做的事情和Si之前所涉的技術(shù)大致相同，所以在原理方面是有借鑒之處的。

——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院盛況教授

亮點(diǎn)四：如何實(shí)現(xiàn)合理的SiC價(jià)格定位？

SiC的價(jià)格問題是一直很嚴(yán)峻，客戶永遠(yuǎn)希望價(jià)格越低越好。作為一個(gè)新興技術(shù)，SiC也有新興技術(shù)所存在的普遍問題：產(chǎn)量小、穩(wěn)定度不夠、價(jià)格高。雖然大家都希望SiC技術(shù)可以普及，但是從新興技術(shù)發(fā)展到通用技術(shù)這個(gè)過程往往是十分漫長的。IGBT，從1990年至今，一共發(fā)展了30年，走過了7代的技術(shù)，從晶圓來講走過了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，從芯片的厚度從300降到了60 μm，最終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術(shù)也同樣需要時(shí)間來進(jìn)行技術(shù)上的打磨，從而降低成本。

——英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉博士

亮點(diǎn)五：現(xiàn)代電力系統(tǒng)的特點(diǎn)

電力電子技術(shù)使電能在發(fā)生、輸送、分配、利用及存儲(chǔ)等環(huán)節(jié)都處于精確可控狀態(tài)，可顯著提高電能變換系統(tǒng)的靈活性和兼容性，在現(xiàn)代電力系統(tǒng)或電網(wǎng)中獲得了廣泛應(yīng)用。

——中國科學(xué)院電工研究所李子欣博士

亮點(diǎn)六：供電網(wǎng)絡(luò)的變化及發(fā)展趨勢(shì)

隨著新半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)，我們有機(jī)會(huì)將電力電子的工作模式發(fā)生比較大的變化。通過這種變化，更利于通過不間斷電源對(duì)電網(wǎng)和負(fù)載的各種問題做主動(dòng)性的預(yù)防。

——伊頓電氣研發(fā)總監(jiān)鄭大為先生

多年來，晶圓走過了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發(fā)展歷程，芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm，半導(dǎo)體技術(shù)的日新月異不僅造就了先進(jìn)的碳化硅器件，還有更加滿足特定行業(yè)需求的芯片，模塊拓?fù)浜头庋b。

為了進(jìn)一步搭建行業(yè)交流的全新平臺(tái)，此次碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇還首次設(shè)置了光伏與儲(chǔ)能分論壇。會(huì)上不僅有業(yè)界最資深的分析咨詢公司解讀光儲(chǔ)市場(chǎng)的未來走向，還有最權(quán)威的認(rèn)證機(jī)構(gòu)詳解光儲(chǔ)產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)范和認(rèn)證，更有英飛凌的技術(shù)專家深入淺出地為參會(huì)者介紹最全面的光伏產(chǎn)品解決方案，現(xiàn)場(chǎng)互動(dòng)頻頻、驚喜不斷，掀起了一場(chǎng)半導(dǎo)體業(yè)的技術(shù)交流熱潮。

百尺竿頭，更進(jìn)一步。歷經(jīng)一載春華秋實(shí)，英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇已在中國生根發(fā)芽，結(jié)出了累累碩果。未來，英飛凌將繼續(xù)矢志創(chuàng)“芯”，引領(lǐng)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并與合作伙伴攜手共筑新能源領(lǐng)域的美好未來。 

原標(biāo)題：第二屆英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇暨光伏與儲(chǔ)能分論壇圓滿收官