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鑄造單晶工藝距離大規(guī)模應(yīng)用還有多遠(yuǎn)?
日期:2019-03-27   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:huaqiyue_gh 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
編者按:曾經(jīng)曇花一現(xiàn)的鑄造單晶如今又卷土重來,經(jīng)歷近十年的積淀,這一次,卷土重來的鑄造單晶技術(shù)是否經(jīng)得起市場的考驗?又將蠶食誰的市場?

經(jīng)過2010年左右的曇花一現(xiàn),鑄造單晶如今又卷土重來,且來勢洶洶。

所謂鑄造單晶就是采用鑄錠爐,利用籽晶以定向凝固的方式進(jìn)行晶體生長,產(chǎn)出鑄錠單晶大錠,又稱為準(zhǔn)單晶或類單晶。而在當(dāng)前主流的工藝制造中,鑄造其實是傳統(tǒng)的多晶制作方法。

“其實現(xiàn)在的單、多晶之爭就是直拉技術(shù)和鑄造技術(shù)的競爭,而鑄造單晶則是巧妙地將鑄造技術(shù)的低成本、低能耗、大尺寸優(yōu)勢和單晶的高效率、高質(zhì)量優(yōu)勢結(jié)合到了一起。”浙江大學(xué)楊德仁院士認(rèn)為鑄造單晶吸取了鑄造與單晶兩方的優(yōu)勢而成。

卷土重來的鑄造單晶

回顧鑄造單晶的發(fā)展歷史,就會發(fā)現(xiàn)這并不是一個全新的技術(shù)。據(jù)保利協(xié)鑫首席技術(shù)官萬躍鵬博士介紹,早在2005-2008年,BP Solar鑄造單晶(Mono2)示范電站應(yīng)用,效率約17-18.0%,接近直拉單晶,但并沒有規(guī)?;瘧?yīng)用;到2010年左右,國內(nèi)晶澳、昱輝、LDK、協(xié)鑫、天合等企業(yè)推出鑄造單晶產(chǎn)品,但是到2013年左右,高效多晶產(chǎn)品興起,鑄造單晶已基本被工業(yè)界放棄。

在技術(shù)探索階段,有的技術(shù)被推崇逐漸成為主流,有的方向被市場放棄也勢必有其不合時宜的原因。

萬躍鵬認(rèn)為當(dāng)年鑄造單晶沒有規(guī)模化應(yīng)用的原因主要有四點(diǎn),一是當(dāng)時的產(chǎn)品堿制絨后有較大比例的晶花,組件外觀成為市場接受的主要障礙;二是由于鑄錠技術(shù)中位錯問題沒有解決,電池效率分布很廣,有10-20%低效電池;三是全單晶比例偏低(<30%),出現(xiàn)大量2、3類片(大晶花,高位錯);四是拼接縫在硅片上引起色差。

在日益追求產(chǎn)品效率的光伏行業(yè),上述四點(diǎn)原因也注定了鑄造單晶的夭折。如今的卷土重來也并不是一日之功。

實際上,主推多晶的保利協(xié)鑫一直將鑄造單晶作為技術(shù)儲備之一。隨著單晶市占率的提高,多晶的主流地位已逐漸滑落,正是擁有大批鑄錠爐的保利協(xié)鑫推出鑄造單晶的好時機(jī)。

保利協(xié)鑫科技管理部總經(jīng)理汪晨博士在第四屆光伏發(fā)電設(shè)計、工程與設(shè)備選型研討會上坦言,“傳統(tǒng)多晶相對于單晶而言,競爭力已經(jīng)偏弱”。他認(rèn)為,鑄造單晶是鑄錠技術(shù)必須要走的方向。

用多晶的成本做單晶的效率?

如此高調(diào)的宣布鑄造單晶的回歸,協(xié)鑫這幾年下了不少的功夫。全新的熱場設(shè)計,分段式加熱從而提升對稱性,增加對流,以及增加單晶比例,降低位錯等;全新的籽晶拼接技術(shù)可以避免拼縫產(chǎn)生的位錯;獨(dú)創(chuàng)的籽晶回用技術(shù)可以進(jìn)一步降低成本;硅片晶花分選可以更好的解決組件外觀問題。針對上述四點(diǎn)原因,協(xié)鑫一一攻克。

在外觀方面,協(xié)鑫方面宣稱,鑫單晶硅片采用金剛線切割,外觀與常規(guī)多晶硅片相似,采取堿制絨后與直拉單晶無明顯差異。另外,通過Hennecke全自動分選線嚴(yán)格控制晶花問題,將單晶面積小于99%的硅片選為三類片,占比約10%。

據(jù)協(xié)鑫集成首席技術(shù)官張淳博士介紹,在2018年9-10月份研發(fā)階段發(fā)現(xiàn),三類片使用堿制絨工藝會有嚴(yán)重的外觀問題,而使用濕法黑硅制絨可以完美解決該問題。

在位錯方面,汪晨表示,“與單晶相比,鑄錠單晶雖然不是非常完美的晶體,但相比多晶的位錯比例大幅下降,從切割后的硅片看已經(jīng)非常接近單晶產(chǎn)品。”

從技術(shù)上來看,位錯會造成少子壽命降低,從而降低電池效率,這也是鑄錠單晶最致命的弱點(diǎn)之一。

但萬躍鵬解釋,鑄造單晶在長晶技術(shù)提升后位錯得到顯著降低,目前鑫單晶72片組件功率輸出以380Wp為主,相比同尺寸同PERC工藝下直拉單晶組件低約5Wp。

據(jù)張淳介紹,經(jīng)過不斷的改進(jìn),目前鑫單晶EL降級比例2.29%,前期低檔位中出現(xiàn)明顯EL暗紋的情況現(xiàn)在基本消失,目前主要的缺陷是晶界線,占比1.25%,還有少量不合格絨絲,占比0.05% 。

此外,鑄造單晶以衰減小于單晶PERC作為其一大亮點(diǎn)。硅片氧含量<6ppm,顯著低于直拉單晶的12-13ppm,LID和LeTID均低于直拉單晶。不過張淳介紹,鑫單晶的光衰數(shù)據(jù)較多晶相比略差,懷疑主要是鑫單晶峰值燒結(jié)溫度較多晶更高所造成。多晶的LeTID控制已經(jīng)有成熟的產(chǎn)業(yè)化技術(shù),鑫單晶還需進(jìn)一步優(yōu)化。

而在成本方面,協(xié)鑫方面稱,目前鑄造單晶成本比常規(guī)多晶略高一些,但是比單晶低,未來通過裝料量的逐步提升,以及籽晶回用技術(shù),可以進(jìn)一步降低鑄造單晶成本,同時規(guī)?;膽?yīng)用也必然導(dǎo)致成本的大規(guī)模降低。

能耗方面,鑄造單晶每公斤電耗比直拉單晶低20多度,轉(zhuǎn)換成每瓦少耗電0.06度。

設(shè)備方面,目前市場上買不到直接可以用的鑄錠單晶設(shè)備,需要自行改造;對鑄造單晶晶棒少子壽命和缺陷檢測需要投入少量新的設(shè)備,主要是增加端面少子壽命檢測和位錯檢測以及晶花模組。

總結(jié)一下,鑄造單晶是介于傳統(tǒng)多晶與高效單晶之間的產(chǎn)品。但距離用多晶的成本做單晶的效率似乎還有一定差距。

“獨(dú)一家”的鑄造單晶距離大規(guī)模應(yīng)用還有多遠(yuǎn)?

從目前的消息看,與鑄造單晶相關(guān)的信息幾乎全部來自協(xié)鑫及其盟友。據(jù)光伏們了解,目前試用鑄造單晶產(chǎn)品的廠家并不多,某家電池廠商已即將量產(chǎn),但產(chǎn)品只供給協(xié)鑫。

有業(yè)內(nèi)人士向光伏們透露,鑄造單晶如果能做好,肯定對直拉單晶是個很有優(yōu)勢的競爭,現(xiàn)在關(guān)鍵是需要得到試樣和電池廠的認(rèn)可。

協(xié)鑫所宣稱,通過爐臺改造數(shù)量增加、單臺裝料量提升,不斷快速增加總產(chǎn)能,2019年鑄造單晶全年產(chǎn)能可達(dá)8-10GW。

盡管產(chǎn)能在快速提升,但作為一種還未大規(guī)模應(yīng)用的改良型技術(shù),是否可以適應(yīng)當(dāng)前快速發(fā)展的光伏行業(yè),似乎還有待驗證。

任何新的事物投入市場都需要一個過程,那么鑄造單晶如何被市場接受,拭目以待。

原標(biāo)題:鑄造單晶工藝距離大規(guī)模應(yīng)用還有多遠(yuǎn)?

 
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來源:光伏們
 
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