編者按:1月初,阿特斯集團公司發(fā)布新聞宣布,成功向全球市場累計交付2.6吉瓦阿特斯抗LeTID高效PERC組件。這是阿特斯在開發(fā)和提供高效率、高質(zhì)量、高附加值太陽能組件產(chǎn)品方面不斷努力,并取得突破性成果的一個重要里程碑。
LeTID (Lightand elevated Temperature Induced Degradation),業(yè)界稱為“光照和高溫誘導(dǎo)衰減”,或者叫“光熱衰減”。名稱有些拗口,但是值得大家花些時間去了解它,因為它會極大地影響你的太陽能組件和電站發(fā)電性能。
光伏行業(yè)對LID(Light Induced Degradation),也就是“光致衰減”現(xiàn)象已經(jīng)很了解。通常情況下,只要光伏組件暴露在陽光下就會發(fā)生LID(光致衰減),在短時間(幾天或幾周)內(nèi)就能達到飽和的衰減。行業(yè)對于LID(光致衰減)的研究也已經(jīng)非常充分,產(chǎn)生機制也獲得一致認可,主要是硅材料內(nèi)的硼氧缺陷。因為晶體生長方法的差異,單晶硅材料內(nèi)間隙氧含量遠高于多晶,從而LID衰減也遠高于多晶。兩到三年前PERC技術(shù)的推廣還受限于LID(光致衰減),隨著抗LID衰減技術(shù)的突破使LID得到比較有效的控制,加之設(shè)備的廣泛應(yīng)用,PERC技術(shù)得以大規(guī)模導(dǎo)入。
然而LeTID衰減機制不同,它通常發(fā)生在光照和高溫(> 50°C)兩個條件同時滿足的情況下,并且LeTID對于PERC組件的發(fā)電量影響很大。PERC組件在實驗室的測試條件和電站實際工作環(huán)境中都存在LeTID(光熱衰減)現(xiàn)象。在組件工作溫度超過50°C時,不論是單晶還是多晶PERC組件都會發(fā)生LeTID(光熱衰減),衰減率最高可達10%。
阿特斯技術(shù)研發(fā)團隊通過多年對材料、工藝和生產(chǎn)設(shè)備的長期深入研究,開發(fā)出了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的LeTID控制技術(shù)。這使得阿特斯成為少數(shù)幾家掌握了在大規(guī)模生產(chǎn)過程中降低和控制LeTID技術(shù)的太陽能電池和組件制造商之一。
新南威爾士大學(xué)(Universityof New South Wales,簡稱UNSW) 2018年11月發(fā)布的一份研究報告顯示,阿特斯基于黑硅和多晶PERC技術(shù)的P4組件的開路電壓(Voc)在166小時的輻照、75°C測試條件下,只有0.3%的衰減。這個測試結(jié)果佐證了阿特斯P4組件優(yōu)異的抗LeTID衰減性能。
所以下次當(dāng)您再購買PERC太陽能組件時,無論單晶還是多晶,請務(wù)必先了解制造商對LeTID的重視和了解程度。同時可以問問他們?nèi)绾慰刂坪徒鉀QLeTID問題,并請他們向您展示一些可信的第三方測試報告。幾年后你將會為此感到慶幸。
原標題:瞿曉鏵: PERC組件的LeTID問題不可忽視!