編者按:日本東京工業(yè)大學和早稻田大學的一個聯(lián)合研究小組開發(fā)出一種新型薄膜單晶硅太陽能電池生產技術,這項新技術有望極大降低大規(guī)模生產的成本,同時還能保持較高的電池效率。
科學家們聲稱,他們能研制出一種優(yōu)質薄膜單晶硅,其厚度約為10μm、且晶體缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平,而增長速度超出先前的10倍以上。
研究人員通過一種區(qū)域加熱重結晶方法(ZHR法),將表面粗糙度降低到0.2-0.3nm?;兹缓笠愿咚偕L,生產出具有高晶體質量的單晶薄膜。利用雙層多孔硅層可以很容易將長好的薄膜剝離下來,基底可重復使用或作為薄膜生長的蒸發(fā)源,從而大幅減少了材料損失。這一工藝同時顯示,表面粗糙度在0.1-0.2nm范圍以內對晶體缺陷的形成具有重要影響。
科學家們在聲明中表示,這種薄膜硅作為低成本的底部電池,應用在串聯(lián)型太陽能電池中,其效率有可能超過30%。