僅僅幾年前,業(yè)界還習慣于5-6g/W的水平。但最近在數(shù)項同時運行的因素驅動下,這一切都已經改變了。
這篇文章解釋了我們的研究團隊開發(fā)的一個新模型,該模型考慮了影響材料效率的各項關鍵因素并能夠進行精準預測。
介紹光伏技術的新多晶模型
新分析的核心內容是我們對整個c-Si價值鏈的生產商進行自下而上的追蹤以及為所有影響組件效率和硅片厚度的變量分配電池技術。
分析通過硅片制備、鑄錠和最終達到多晶硅g/W水平獲得了空前詳盡的信息,而業(yè)內一貫采用的是自上而下的簡易快速估算法。 分析內容包括實際電池生產、通過技術方法實現(xiàn)的電池-組件連接損耗、單晶/多晶用途(包括n型和p型電池變量)、金剛線切割的使用、切口損失和影響整個行業(yè)多晶硅用量(g/W)不斷減少的其他多項因素。
分析得出的結論是目前水平(混合)為4.16g/W,行業(yè)的演進令人期待。而多變量輸入模型的關鍵優(yōu)勢在于預測以及評估2018年之后的行業(yè)走勢。預計2018年之后多晶硅產量(包括半導體使用的一小部分)將達到512kMT。
預計多晶硅消耗量在15年1季度和18年4季度之間下降了25%,在2018年結束時混合水平下降到3.9g/W。
金剛線、單晶和PERC技術降低了多晶主要有兩種因素促成了多晶硅g/ W消耗量的下跌:金剛線切割和電池效率的提高(更多的使用單晶,尤其是PERC技術)。到2018年年底,幾乎所有的硅片生產(單晶和多晶)都會使用金剛線,幾乎所有的單晶產品都會使用PERC技術,而多晶產品將會經歷自身PERC技術升級的階段。這些變化令其他階段發(fā)生的漸進式改進(鑄錠/拉錠、電池-組件損失和硅片厚度減少)相形見絀。
下圖展現(xiàn)了價值鏈上各個階段的貢獻率,從中可以得出非常清晰的結論。 目前多晶硅消耗量下降的關鍵因素是單晶硅片使用的增多、電池效率的提高、單晶和多晶硅片制備向金剛線切割的轉移。
2018年之后,g/W水平的下降比例應有所放緩。大部分產業(yè)升級使用金剛線技術,持續(xù)下降源于每年切口損失的減少,但這種減少并不明顯。
如不考慮電池效率的提高,僅僅p型單晶份額的增加就會對g/W水平產生下行壓力。在考慮發(fā)電量時,現(xiàn)場業(yè)主對雙玻組件和雙面技術的因素更感興趣,因而電池效率提高產生的影響力也會減少。然而,雖然尚不清楚(在大約180微米的硅片上的)效率改進是否會明顯高于領先的p型單晶產品,但優(yōu)勢源自n型變量更高的穿透性。
減少硅片厚度會成為重中之重
這令我們認識到,減少硅片厚度是所有長期多晶硅消耗量分析的百搭議題。硅片第一次的可能升級路徑是減少厚度,向140微米轉變,這種轉變不可避免,而如果沒有這種轉變,這個行業(yè)還能走多久?
金剛線切割行業(yè)正在邁向2019年,薄硅片前景比以往任何時候都令人振奮。對關注未來幾年顛覆性技術的人們來說,這一定是關注重點。而同樣值得注意的是,現(xiàn)在電池生產線的自動化程度更高了,這是轉向薄硅片利用的其他數(shù)項關鍵因素之一。
如果太陽能行業(yè)從2019年開始走上減少硅片厚度的道路的話,那么除了正在施工的和在未來18個月內并網(wǎng)的項目外,基本上會停止所有新的多晶硅產能擴張計劃。
以此為例。如果太陽能行業(yè)五年內的年度增長因數(shù)為2X(從2017的100GW到2022年的 200GW),那么2022年太陽能行業(yè)所需要的多晶硅會從約670kMT(使用180微米硅片得出的保守g / W預測值)下降到約550kMT(如大部分轉向使用140微米硅片)。
這清楚的展現(xiàn)出2018-2019年之后多晶硅擴張計劃脆弱的一面,而今年行業(yè)出貨量可以輕松達到475kMT。
當然這里要提出警告的是,由于受隨之而來的材料成本下降的推動,整體而言太陽能行業(yè)全球競爭激烈,需求彈性能夠發(fā)揮多大的作用。
多晶硅生產商需要成為電池專家才能生存
然而,未來幾年必然是消耗多晶硅的時代,很明顯,多晶硅生產商需要成為電池技術變革的專家(從單晶電池份額的基本知識到減少硅片厚度的計劃)。從中短期來說,電池生產線的改進仍將是g/W水平的主要驅動力。
這是下個月(2018年3月13-14日)在馬來西亞檳城召開的 PV CellTech 2018大會的一項關鍵議題。作為特別安排的活動,我們還會組織一場無切口硅片制備替代方案小組討論會,雖然上文并未提及,但這一議題也仍是改變規(guī)則的因素。
原標題:2018年3季度多晶硅消耗量將下降到4g/W以下