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 編者按：近日，蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)宣布，公司自主研發(fā)的黑硅電池片新工藝——《一種多晶硅表面倒金字塔結(jié)構(gòu)及其制備方法》獲得了中華人民共和國知識產(chǎn)權(quán)局授予的發(fā)明專利(專利編號：201610005713.6)。

這是蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)在黑硅電池片技術(shù)上的重大突破，同時也體現(xiàn)了蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)在降低度電成本、促進(jìn)光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的央企擔(dān)當(dāng)。

近年來，隨著以促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)升級為目標(biāo)的“光伏領(lǐng)跑者計劃”實(shí)施，黑硅、PERC、MWT等提升電池片效率的先進(jìn)技術(shù)成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)搶占市場的武器。專業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)Energy Trend指出，在光伏行業(yè)長期的競爭中，無數(shù)事實(shí)證明，在技術(shù)進(jìn)步的背后，維持組件性價比優(yōu)勢才能根本上保住市場地位。正因如此，黑硅技術(shù)的優(yōu)勢盡顯：在同樣的光照時長之下，擁有黑硅技術(shù)的光伏組件，可以在清晨和黃昏等光照強(qiáng)度很弱的情況下進(jìn)行工作，相比常規(guī)組件，黑硅技術(shù)可以吸收更寬頻譜的光線，這使得蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)組件在成本不變的前提下，比常規(guī)組件的“比功率”(kwh/kw)高出3%。

縱觀行業(yè)，目前有許多實(shí)驗(yàn)室能夠通過不同的方法制備出黑硅，如飛秒激光脈沖法、等離子體刻蝕法及金屬離子輔助刻蝕法等。但這些傳統(tǒng)方法所制成的黑硅納米陷光結(jié)構(gòu)通常具有結(jié)構(gòu)較小、密、深且缺陷多的特征，甚至有雜質(zhì)殘留，這些黑硅結(jié)構(gòu)如果沒有進(jìn)行優(yōu)化的話，將導(dǎo)致嚴(yán)重的表面復(fù)合反而使電池片的效率下降。

蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)自主研發(fā)的新型方法采用了一種不同于行業(yè)中傳統(tǒng)酸堿腐蝕工藝的濕式工藝方法，將不同納米結(jié)構(gòu)的黑硅通過氧化腐蝕成具有規(guī)則的倒金字塔結(jié)構(gòu)的納米絨面結(jié)構(gòu)。相對于傳統(tǒng)多晶硅絨面，多晶硅倒金字塔陷光結(jié)構(gòu)對光的利用率更高，反射率更低。同時，因其倒金字塔結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，相對于傳統(tǒng)黑硅結(jié)構(gòu)的高表面復(fù)合，其表面復(fù)合明顯降低，使得太陽能電池的效率更高，這種新型技術(shù)的發(fā)明為黑硅技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)奠定了堅實(shí)的基礎(chǔ)。

對于蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)人來說，這項(xiàng)發(fā)明專利的獲得僅僅是無數(shù)科研成果中的一項(xiàng)，在未來光伏組件最終形式這一課題上蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)人走出了屬于自己的獨(dú)特道路。

如上文所說，黑硅電池片在弱光下的表現(xiàn)要明顯優(yōu)于其他電池片技術(shù)，而MWT技術(shù)因?yàn)槿∠穗姵仄砻娴臇啪€從而增大了受光面積，如果將這兩種提升電池片效率的技術(shù)合二為一，是否能起到1+1>2的功效?這一想法，在蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)人的不斷探索下成為了現(xiàn)實(shí)，蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)計劃于年內(nèi)推出基于“黑硅+MWT”的復(fù)合高性能光伏組件，該產(chǎn)品將充分結(jié)合兩項(xiàng)提升電池片效率的技術(shù)的優(yōu)勢，令發(fā)電效率實(shí)現(xiàn)突破性提升，從而為進(jìn)一步降低度電成本提供巨大的助力。

知識經(jīng)濟(jì)時代，創(chuàng)新日益成為企業(yè)發(fā)展的源泉和動力。蘇美達(dá)輝倫(Phono Solar)將憑借頂尖的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力、高端的制造設(shè)備，堅持自主創(chuàng)新，在不斷提升企業(yè)自身研發(fā)與制造水平的同時，助推我國光伏制造水平向高端化、智能化發(fā)展。

原標(biāo)題：蘇美達(dá)輝倫黑硅技術(shù)獲專利保護(hù)，計劃年內(nèi)推出“黑硅+MWT”高性能光伏組件