5月22日,由中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的“多晶金剛線切與黑硅技術(shù)論壇”在蘇州舉行。保利協(xié)鑫CTO萬躍鵬博士出席會(huì)議并作主題發(fā)言,他指出,在過去的四、五年間,多晶產(chǎn)品效率的提升主要來源于晶體結(jié)構(gòu)的改善,并取得了明顯成效,未來多晶效率的提升將更多地來自于絨面結(jié)構(gòu)的改善。
萬博士表示,一直以來,多晶產(chǎn)品憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期占據(jù)市場(chǎng)主流。這一優(yōu)勢(shì)主要來自于鑄錠尺寸的增加,以及晶體結(jié)構(gòu)的改善。數(shù)據(jù)顯示,在鑄錠爐由G5升級(jí)為G6的過程中,產(chǎn)品良率、單位產(chǎn)出及能耗都有所改善,最終使平均成本降低約17%。與此同時(shí),多晶在優(yōu)化晶體結(jié)構(gòu)方面取得了長(zhǎng)足進(jìn)步,推動(dòng)轉(zhuǎn)換效率提升了1%以上。如今,多晶與單晶在晶體缺陷方面的效率差異已大幅降低到0.2%左右,已十分接近單晶的水平。
而在表面反射率方面,多晶與單晶仍有0.5%左右的效率差異,這將成為未來多晶技術(shù)提升轉(zhuǎn)換效率的主攻方向。萬博士進(jìn)一步指出,黑硅技術(shù)由于能顯著改善多晶硅片的表面結(jié)構(gòu),并可以借助金剛線切片技術(shù)顯著降低加工成本,而成為未來高效多晶技術(shù)的理想解決方案。其中干法(RIE)黑硅可促進(jìn)電池效率提高0.4%-0.6%,濕法(MCCE)黑硅可促進(jìn)電池效率提高0.2%-0.4%。
萬博士引用數(shù)據(jù)指出,近年來單晶技術(shù)的多項(xiàng)進(jìn)步使得成本大為降低,對(duì)以性價(jià)比優(yōu)勢(shì)主導(dǎo)市場(chǎng)的多晶產(chǎn)品構(gòu)成了壓力,多晶技術(shù)急需取得新的突破。除了黑硅技術(shù)和金剛線切片工藝,多晶技術(shù)還可以繼續(xù)加大鑄錠尺寸和硅片尺寸,并研究PERC電池技術(shù)的應(yīng)用。如今,已有企業(yè)應(yīng)用了多晶黑硅片和PERC技術(shù),量產(chǎn)后可以達(dá)到20.5%的轉(zhuǎn)換效率,說明這一技術(shù)具備很大的應(yīng)用前景。在鑄錠爐升級(jí)方面,G6升級(jí)為G7后還將降低12%的成本,進(jìn)一步提高多晶硅片的成本優(yōu)勢(shì)。
總體而言,多晶產(chǎn)品的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)是其在市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位的關(guān)鍵,萬博士強(qiáng)調(diào),隨著技術(shù)的更新?lián)Q代,多晶硅片在轉(zhuǎn)換效率和成本方面仍有較大的進(jìn)步空間??梢灶A(yù)見,未來五年,多晶硅片還將占據(jù)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。