国产黄色视频99,高清无码人妻中出亚洲,制服丝袜综合另类中文字幕,手机无码福利在线观看1000集

1. TOPCon與PERC電池成本對(duì)比（以LPCVD路線為例）

目前TOPCon電池成本較PERC高出約0.01元/W，考慮硅片薄片化進(jìn)度、電池 導(dǎo)電銀漿成本降低及良率提升，以及高功率組件攤薄非硅成本降本空間，一體化下 成本有望率先與PERC打平。為量化TOPCon降本進(jìn)程，我們按照PERC/TOPCon 電池平均量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率分別為23.2%/25%進(jìn)行成本測(cè)算。

電池環(huán)節(jié)

（1）硅片成本：N型硅片是通過(guò)摻雜磷元素制成，由于磷原子與硅相溶性較 差，因此對(duì)硅料、輔材的純度及生產(chǎn)過(guò)程控制要求更高，成本更高，較P型硅片存在 一定溢價(jià)。但隨著N型硅片規(guī)模化生產(chǎn)及技術(shù)進(jìn)步，疊加薄片化進(jìn)程加速，N型硅片 溢價(jià)有望逐步縮小。根據(jù)TCL中環(huán)23年5月11日硅片報(bào)價(jià)，182尺寸N型硅片較P型存 在1.8%溢價(jià)，較2022年6月8.1%的溢價(jià)已出現(xiàn)大幅下降。

根據(jù)CPIA，2022年 TOPCon/PERC硅片的平均厚度分別為140μm、155μm，預(yù)計(jì)2025年有望分別減薄 至120μm、140μm。根據(jù)我們測(cè)算，截至23年5月11日P型182電池硅片全成本0.48 元/W，TOPCon硅片全成本0.44元/W；若轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%、良率提高至99%，TOPCon 電池單瓦硅成本有望與PERC持平。

（2）非硅成本：根據(jù)我們測(cè)算，目前TOPCon非硅成本為0.21元/W，相較PERC 高出0.05元/W，主要銀漿增加約0.025元/W，設(shè)備增加帶來(lái)折舊增加約0.005元/W， 能耗增加約0.006元/W，良率及耗材增加0.014元/W，具體降本路徑如下：

①銀漿：由于TOPCon電池的發(fā)射極需增加銀漿用量才可達(dá)到適合規(guī)?；瘧?yīng)用 的電學(xué)性能，同時(shí)TOPCon電池正反面均需要使用銀漿，因此單片TOPCon電池的 銀漿耗量大幅提升。根據(jù)CPIA統(tǒng)計(jì)，2022年P(guān)型電池正銀耗量約65mg/片，背銀約 26mg/片；TOPCon電池雙面銀漿（95%銀，正面主柵使用銀漿，細(xì)柵使用銀鋁漿） 平均消耗量約 115mg/ 片，且由于TOPCon銀漿價(jià)格目前仍高于PERC銀漿，測(cè)算 得到TOPCon電池銀漿成本高出約0.025元/W。

未來(lái)隨著TOPCon高溫銀漿規(guī)模生產(chǎn)，采購(gòu)溢價(jià)將逐步縮?。籗MBB、無(wú)主柵及激光轉(zhuǎn)印等技術(shù)升級(jí)推動(dòng)單片電池銀漿耗 量下降，單片電池銀漿成本有望下降。此外，電池轉(zhuǎn)換效率的提高將攤薄銀漿單瓦 成本。

②折舊：由于TOPCon增加硼擴(kuò)、隧穿氧化及多晶硅層沉積設(shè)備，當(dāng)下新建 LPCVD產(chǎn)線設(shè)備投資額為0.17元/W，對(duì)應(yīng)折舊成本增加約0.017元/W，未來(lái)仍可通 過(guò)關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)化等方式進(jìn)一步降低。

③能耗：由于TOPCon摻雜元素由磷變?yōu)榕穑枰诟哌_(dá)900-1100攝氏度高溫 擴(kuò)散或進(jìn)行二次摻雜，導(dǎo)致能耗成本增加約0.006元/W，可通過(guò)激光摻雜進(jìn)行降低能 耗，同時(shí)提升效率。

④良率及耗材：LPCVD路線成熟度較高，但容易產(chǎn)生繞鍍問(wèn)題，清洗時(shí)導(dǎo)致 良率降低，目前平均量產(chǎn)良率約98%，較PERC良率99%仍有差距，良率損失導(dǎo)致 非硅成本增加約0.006元/W，同時(shí)，LPCVD容易導(dǎo)致石英管炸裂，每15天需對(duì)石英 管進(jìn)行一次清洗，石英耗材成本增加約0.008元/W。

組件環(huán)節(jié)：TOPCon組件能夠與多主柵、半片、疊瓦等技術(shù)匹配，實(shí)現(xiàn)更高輸 出功率，以晶科能源推出的TOPCon組件Tiger Neo為例，其選擇182尺寸硅片，結(jié) 合多主柵以及半片技術(shù)降低內(nèi)阻損耗，并采用圓絲焊帶、高反光貼附材料等獲得更 好發(fā)電增幅，雙面率最高達(dá)85%以上，性能、功率、能量密度和可靠性全面增強(qiáng)， 量產(chǎn)輸出功率最高達(dá)625W（182-78P），較相同封裝方案下的PERC組件高出約30W， 有效攤薄組件環(huán)節(jié)非硅成本。

根據(jù)我們測(cè)算，盡管TOPCon組件出于更高阻水性要 求，傾向使用POE膠膜，在相同封裝版型方案下，當(dāng)TOPCon組件輸出功率分別高 出PERC組件25W、50W、75W時(shí)，其非硅成本較PERC降低約0.01元/W、0.036元 /W、0.048元/W。

2. TOPCon 與 PERC 電池溢價(jià)對(duì)比（以 LPCVD 路線為例）

采用激光技術(shù)摻雜形成SE可提升TOPCon電池效率約0.2-0.3%。選擇性發(fā)射極 （Selective emitter，SE）結(jié)構(gòu)是提高晶硅電池轉(zhuǎn)換效率的重要方式，該結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是 在接受光照的區(qū)域淺擴(kuò)散形成低摻雜區(qū)，在金屬電極下形成高摻雜區(qū)域，從而使得 表面少子復(fù)合減少，金屬電極與發(fā)射極之間形成良好歐姆接觸，從而獲得更高短路 電流、開(kāi)路電壓和填充因子，從而提高轉(zhuǎn)換效率，激光摻雜（laser doping，LD）可 在常溫常壓下形成SE結(jié)構(gòu)，改善由高溫導(dǎo)致的硅片表面損失。TOPCon激光硼摻雜 技術(shù)是通過(guò)沉積或印刷硼摻雜源，在激光背面開(kāi)槽過(guò)程中同步形成激光重?fù)诫s區(qū)， 降低背面接觸復(fù)合速率及背面硅鋁接觸電阻，提升太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓Voc和填充因子 FF，將轉(zhuǎn)換效率0.5%。根據(jù)帝爾激光《2023年1月2日-2023年1月4日投資者關(guān)系活 動(dòng)記錄表》，其通過(guò)激光工藝提升TOPCon轉(zhuǎn)換效率約0.2-0.3%。

TOPCon組件兼?zhèn)涓唠p面率、低溫度系數(shù)和低衰減等優(yōu)勢(shì)，賦予性能溢價(jià)。根 據(jù)坎德拉具體項(xiàng)目案例，TOPCon組件與PERC相比，由于高雙面率（85%）、低溫 度系數(shù)（-0.25%/℃）、高轉(zhuǎn)換效率（22%以上）、低衰減率（-0.4%/年）等優(yōu)勢(shì)， 全生命周期的發(fā)電增益達(dá)3%以上，同時(shí)能夠使系統(tǒng)BOS成本有所下降。

由于在 LCOE或IRR相同時(shí)，組件溢價(jià)空間主要取決于發(fā)電量的提升及系統(tǒng)成本的下降程度， 坎德拉以P型PERC組件為測(cè)算基準(zhǔn)，在相同IRR時(shí)，測(cè)算N型TOPcon組件發(fā)電量增 益及系統(tǒng)成本下降所帶來(lái)的溢價(jià)能力。發(fā)電量提升帶來(lái)的溢價(jià)空間：在IRR相同條件下，當(dāng)TOPCon組件相較PERC組 件發(fā)電增益分別為2.55%、4%時(shí)，其溢價(jià)空間分別為0.12元/W、0.175元/W。TOPcon 組件首年發(fā)電小時(shí)數(shù)與PERC組件增益2.55%，其溢價(jià)空間為0.12元/W。當(dāng)?shù)孛娣?射率增加至40%，發(fā)電增益為4%時(shí)，溢價(jià)空間為0.175元/W。

BOS節(jié)約帶來(lái)的溢價(jià)空間：由于N型組件轉(zhuǎn)換效率更高，從而在單位面積下的 輸出功率較高，因此在土地面積和組件數(shù)量相同的情況下，系統(tǒng)裝機(jī)容量更大。但 由于組件電性能參數(shù)不同、組件串聯(lián)數(shù)不同，使得支架、電纜成本仍有差異。組件 并聯(lián)數(shù)的差異影響匯流箱成本，組件數(shù)量的差異則會(huì)影響土安裝面積和人工安裝成 本。根據(jù)測(cè)算，N型TOPcon在BOS方面節(jié)約成本為0.0174元/W。

原標(biāo)題：TOPCon與PERC成本及溢價(jià)對(duì)比