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1.N型電池加速滲透，電鍍銅技術(shù)或助力“去銀“降本

1.1.長期看好HJT，降低銀耗迫在眉睫

N型電池滲透加速，預(yù)計至 2025年市占率接近半成。根據(jù)PV infolink， 預(yù)計至 2025 年，以 HJT 和 TOPCon 為代表的 N 型電池市占率將接近 50%，而在 2022 年 N 型電池的市占率預(yù)計不超過 10%。根據(jù) SMM 統(tǒng) 計（截至 2022 年 11 月），至 2023 年底 Topcon 電池產(chǎn)能預(yù)計達 305.9GW （年新增產(chǎn)能將達到 228.5GW）；2023 年HJT 新增規(guī)劃投產(chǎn)為61.8GW， 若按照規(guī)劃全部達產(chǎn)后，2023 年 HJT 產(chǎn)能將達到 101.2GW。

N 型電池效率優(yōu)勢明顯，短期 HJT、TOPCon、IBC 多技術(shù)并存，中長 期看好 HJT。HJT 電池較 PERC 電池的優(yōu)勢體現(xiàn)在更高的效率上限，自 2021 年 9 月起各廠家不斷突破 HJT 電池實驗室效率上限，根據(jù) 2022 年 12 月 15 日隆基綠能的公告，公司 HJT 電池實驗室效率達 26.56%，至理 論極限 28.5%仍有不小空間。另外同屬 N 型電池，HJT 電池較 TOPCon 電池工序步驟更少，對應(yīng)良率上限更高。我們認為，雖然現(xiàn)階段 HJT 高 額的設(shè)備投資造成部分廠家的觀望，伴隨 PERC 效率逐漸達到瓶頸以及 降本路線的逐漸落地，各廠家或加速擴產(chǎn)，助力 HJT 電池產(chǎn)能放量。

現(xiàn)階段 HJT 電池面臨銀漿耗量大+價格貴的問題。根據(jù) CPIA，2021 年 M6 尺寸 P 型電池平均銀漿（正銀+背銀）耗量 96.4mg/片；TOPCon 電 池正面使用的銀鋁漿（95%銀）消耗量約 75.1mg/片；異質(zhì)結(jié)電池雙面低 溫銀漿消耗量約 190.0mg/片，異質(zhì)結(jié)電池總的銀耗量同比減少 14.9%， 超過 P 型電池同比下降 10.2%，但總耗量仍是 P 型電池的 2 倍。

此外， N 型電池所用銀漿國產(chǎn)化程度產(chǎn)生較大分歧，區(qū)別于 P 型 PERC 和 TOPCon 電池可以使用高溫銀漿，HJT 電池通常只能使用低溫銀漿（燒 結(jié)溫度 250℃以下），而低溫主柵銀漿國產(chǎn)率在 10%左右，細柵用銀漿全 部依賴進口（日本京都電子、德國漢高公司、美國杜邦公司等市占率超 80%），造成賣方溢價。另外，采用低溫銀漿還存在印刷速度低 （250~280mm/s，對比 PERC350~450mm/s）和線型寬（38~42um，對比 PERC22~26um）的問題，進一步制約了 HJT 電池的量產(chǎn)商用化。

拆解電池成本，銀漿占電池片總成本 13%，占非硅成本 51%。根據(jù) SOLARZOOM 新能源智庫，我們對 M6 尺寸 N 型 HJT 電池片成本進行 拆解，部分假設(shè)略作修正：進口低溫銀漿價格約 8500~9500 元/kg，我們?nèi)°y漿價格 8500 元/kg， 假設(shè) 22 年銀漿消耗量在 21 年基礎(chǔ)上再下降 30%左右，取 135mg/片；靶 材價格按 2000 元/kg 估算；M6 尺寸硅片按 6.35 元/片估算，按 6.89 W/ 片折算。目前，降低銀耗的路徑包括多主柵（MBB）技術(shù)、激光轉(zhuǎn)印技術(shù)、低溫 銀漿國產(chǎn)化、銀包銅技術(shù)和電鍍銅技術(shù)。在考慮仍使用銀粉作為原材料 的路線中，銀包銅技術(shù)（降低銀耗）、多主柵技術(shù)和激光轉(zhuǎn)印、外加銀粉國產(chǎn)化可以實 現(xiàn)并聯(lián)，預(yù)計總體降本 60~70%。銀包銅技術(shù)雖然能夠降低含銀量，但該 降低有所上限，且同樣會降低部分效率（約在 0.2%以內(nèi)），從而在總效 益提升上不明顯。而電鍍銅技術(shù)與上述路線并行，旨在直接擺脫銀漿的 依賴，有望在降低銀耗的同時提升效率。

1.2.電鍍銅技術(shù)有望助力HJT電池降本增效

電鍍技術(shù)是利用電化學方法在導電固體表面沉積一層薄金屬、合金或復 合材料的過程。電鍍銅技術(shù)屬于一種特殊的電解過程，利用電解原理在 導電層表面沉積銅，主要基于種子層柵線的方法替代絲網(wǎng)印刷制作電極，一般使用含銀的電鍍液，再用銅鍍層，從而減少銀漿用量，或者用銅鍍 層完全代替銀漿，使成本更具有競爭力。銅作為銀的“替身使者”，性價比更高。相比較銀柵線，銅柵線的電阻率 要高 3 倍左右（銅柵線電阻率在 1.7μΩ.cm，而銀在 3~10μΩ.cm），而低 接觸電阻的金屬柵極是發(fā)揮高效異質(zhì)結(jié)電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要途徑。 另外，單從價格上更進一步體現(xiàn)銅柵線的優(yōu)勢，銅價格約 60 元/kg，約 是銀柵線的十分之一，若考慮低溫進口銀漿（8500~9500 元/kg），這一價格優(yōu)勢將更加明顯。

電鍍銅技術(shù)不光可以擺脫銀漿降本，還可以助力提升效率。根據(jù)光伏行 業(yè)報告顯示，2021 年絲網(wǎng)印刷工藝下銀柵線寬度控制在平均 27μm 左右 （市場主流的主柵數(shù)量是 10BB 及以上），隨著銀漿技術(shù)的創(chuàng)新和印刷技 術(shù)的提升，預(yù)計至 2022 年底細柵或?qū)⑾陆抵?20μm。相比于銀柵線，銅 柵線寬度更細（超細線寬可以實現(xiàn)≤10μm），更細的柵線寬度可以減少 占用電池片的面積，從而達到增加發(fā)電效率的效果。

污染物處理+產(chǎn)能受限，電鍍銅技術(shù)距離商業(yè)化還需時日。1）考慮到光 伏產(chǎn)能很大，外加有些物質(zhì)比較難以處理（比如干膜或者油墨都是有機 污染物），環(huán)保上需要另外投入以滿足國家標準。2）電鍍銅工藝流程比 傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝更長，為此需要額外投入更多的設(shè)備成本及人力成 本，以邁為的絲網(wǎng)印刷設(shè)備為例，一臺機器就可以實現(xiàn) 8000-10000 片 （對應(yīng) 1GWh）的印刷，而目前以采用水平鍍工藝的單臺電鍍設(shè)備產(chǎn)能 還未達到 GW 量級。

2.“種子層制備+圖形化+金屬化+后處理”四大環(huán)節(jié)構(gòu)建整套工藝

電鍍銅技術(shù)路線是對傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷環(huán)節(jié)的替代，可以分為“種子層制備 +圖形化+金屬化+后處理”四大環(huán)節(jié)。以 HJT 電池為例，為了實現(xiàn)銅電 鍍，即金屬化，首先需要在 TCO 膜之后鍍一層金屬（如銅）種子層；再 將感光膠膜（如光刻膠、油墨等）貼敷在種子層上作為圖形化前期準備， 隨后采用曝光、顯影處理；再使用電鍍工藝加厚種子層；最后再去掉掩 膜及種子層；電池正反兩面均需重復此項操作。

涉及電鍍銅技術(shù)的廠商可以分為深耕光伏領(lǐng)域設(shè)備商的前瞻布局+細分 環(huán)節(jié)龍頭廠商的橫向拓展。目前，捷得寶、金石能源和邁為股份涉及電 鍍銅整線的布局，種子層環(huán)節(jié)布局多以電池片設(shè)備廠商為主；圖形化環(huán) 節(jié)多方案并行，各家廠商（芯碁微裝、蘇大維格、帝爾激光等）進展不 一； 電鍍環(huán)節(jié)工藝主要在水平鍍（捷得寶、寶馨科技等）和垂直鍍（東威科技等）兩大路線中抉擇。

2.1.種子層制備：PVD對工藝溫度要求較低，為目前主流方案

電鍍銅路線的第一步是種子層的制備，用來增加電鍍銅與TCO層之間 的附著力。若直接在 TCO 上進行電鍍，會因為附著力是范德華力（鍍層 和 TCO 間的物理接觸產(chǎn)生）而容易引起電極的脫落，而銅與 TCO 的接 觸特性是影響HJT 電池載流子收集、附著特性及電性能提高的重要因素， 另外直接在 TCO 上電鍍銅是非選擇性的。為此，在電鍍前在 TCO 表面 沉積一層極薄的種子層（100nm），可以改善銅和 TCO 接觸及附著特征， 隨后沉積圖形化的掩膜，以實現(xiàn)選擇性電鍍。

在種子層制備方式上，包括物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD） 等。物理氣相沉積是在真空或低壓氣體放電條件下（即在等離子體中進 行的），經(jīng)過“蒸發(fā)或濺射”后，在物體表面生成與基材料性能完全不同 的新固態(tài)涂層過程；而化學氣相沉積則是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反 應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)生成薄膜的過程。PVD和 CVD主要區(qū)別體現(xiàn)在工藝溫度上，目前主流方法為 PVD 制備。 CVD 對工藝溫度要求較高（爐內(nèi)溫度在 800~1000℃），并且在高溫條件 下鍍層結(jié)合強度會更強，相比較而言，PVD 對工藝溫度要求較低（500℃ 或更低）。此外，PVD 和 CVD 在適用范圍、鍍膜效果、投資成本和生產(chǎn) 周期方面各有千秋，以 PVD 為例，其設(shè)備投資較貴，但對應(yīng)生產(chǎn)周期更 短；鍍膜可以做到更?。?~5μm），但涂層結(jié)合強度會更低。

種子層也起到阻擋層的作用，一般選擇導電性能良好的鎳。以TOPCon 電池為例，晶硅電池若采用銅電極的挑戰(zhàn)在于銅在硅基內(nèi)的擴散速度很 快，若不加以控制，會導致晶硅電池的失效，造成轉(zhuǎn)換效率大幅降低， 因此需要合適的擴散阻擋層（種子層）來阻擋銅離子進入晶硅內(nèi)部。鎳 由于與銅在晶硅內(nèi)部的沉淀規(guī)律不同（在硅基內(nèi)部擴散的量較少），都處 于硅基表面，且鎳與硅在 370℃的退火溫度下就可以形成良好的硅鎳合 金，因此鎳是作為種子層較好的材料。相比較而言，HJT 電池最外層的 TCO 是天然的阻擋層材料，因此 HJT 電池電鍍銅工藝也可以選擇不制 備種子層，但如何保證銅與 TCO 的有效歐姆接觸也是問題（TCO不耐高溫）。

2022 年 9 月，邁為股份聯(lián)合澳大利亞金屬化技術(shù)公司 SunDrive 采用邁為自主創(chuàng)新的可量產(chǎn)微晶設(shè)備技術(shù)和工藝研制的全尺寸(M6， 274.5cm?)N 型晶硅異質(zhì)結(jié)電池，其轉(zhuǎn)換效率高達 26.41%，而在電池的金 屬化方面，SunDrive 優(yōu)化了其無種子層直接電鍍工藝，使電極高寬比得 到提升（柵線寬度可達 9μm，高度 7μm）。

2.2.圖形化：光刻路線和激光路線并行，主流工藝仍在探索

圖形化是電鍍銅整個工藝路線中的重要環(huán)節(jié)，主要分為光刻路線和激光 路線兩種。 方案一：光刻路線（利用光學-化學反應(yīng)原理和化學、物理刻蝕等方法， 將設(shè)計好的微圖案轉(zhuǎn)移到基板表面），在基板上先進行薄膜沉積→涂感 光材料（光刻膠、油墨等）→光刻→顯影→刻蝕→脫膠，各環(huán)節(jié)相互影 響、相互制約，其中曝光是光刻技術(shù)中最重要的環(huán)節(jié)。

根據(jù)感光材料使用的類別，又可以分為干膜光刻和濕膜光刻。濕膜光刻 所用的光刻膠是正膠，而干膜光刻所用的光刻膠是負膠，在需要相同的 圖形時，二者采用的掩膜板是相反的。1）干膜（負膠）是一種高分子化 合物，它通過紫外線的照射后產(chǎn)生一種聚合反應(yīng)（由單體合成聚合物的 反應(yīng)過程），形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于基板表面，從而達到阻擋電鍍和 蝕刻的功能，即顯影時曝光區(qū)的光刻膠被保留。2）濕膜（正膠）相對干 膜而言，是一種感光油墨，是指對紫外線敏感，并且能通過紫外線固化 的一種油墨，即顯影時非曝光區(qū)的光刻膠被保留。

濕膜光刻比干膜光刻多一道烘烤環(huán)節(jié)，但其性能優(yōu)異和成本低，為目前 主流路線。1）工藝上，濕膜光刻工藝簡單，雖然耗時較長，但光刻效果 質(zhì)量高；干膜光刻雖然沒有烘烤環(huán)節(jié)可以節(jié)省很多時間，但操作起來比 較難控制，由于沒有烘烤環(huán)節(jié)顯影過程中的顯影液會使得膠膜吸水膨脹， 出現(xiàn)膨脹溶脹現(xiàn)象，使得殘留的溶液較難處理。2）性能上，濕膜的對比 度、分辨率和反應(yīng)速度等性能指標更加優(yōu)異，使其應(yīng)用范圍更為廣泛。 3）成本上，濕膜（油墨）的成本較干膜更低，更適合光伏電池大規(guī)模的 生產(chǎn)。

根據(jù)是否使用掩模版，光刻技術(shù)可以分為直寫光刻和掩膜光刻。其中， 掩膜光刻可進一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。1）直寫光刻 （無掩膜光刻），是指將計算機控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光 材料的基材表面，整個過程無需掩膜而直接進行掃描曝光。直寫光刻根 據(jù)輻射源的不同又可以分為光學直寫光刻（激光直寫光刻）和帶電粒子 直寫光刻（電子束直寫、離子束直寫等）。2）掩膜光刻，由光源發(fā)出的 光束經(jīng)掩膜版在感光材料上成像。具體又可分為接近、接觸式光刻以及 投影光刻。相較于接觸式光刻和接近式光刻技術(shù)，投影式光刻技術(shù)更加 先進，通過投影的原理能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下獲得更小比 例的圖像，從而實現(xiàn)更精細的成像。

精度高+靈活性強，直寫光刻設(shè)備有望在電鍍銅圖形化環(huán)節(jié)發(fā)力。以PCB 應(yīng)用領(lǐng)域為例，1）精度方面，直寫光刻解析能力由微鏡尺寸及成像鏡頭 縮放倍率決定，避免了底片的限制與影響，可以實現(xiàn)更精細的線寬。目 前直接成像技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度可達 5μm 的線寬，而使用傳統(tǒng)曝光底 片（銀鹽膠片）的傳統(tǒng)曝光技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度一般約 50μm 左右。 2）靈活度方面，特定型號的掩膜版使用壽命相對較短，會加劇掩膜版投 入成本，尤其是新產(chǎn)品研發(fā)成本高、周期長，外加實際使用時更換底片 等環(huán)節(jié)，故直寫光刻工藝靈活度更高。值得一提的是，直寫光刻技術(shù)目 前還受限于生產(chǎn)效率等方面問題，如帶電粒子直寫光刻技術(shù)的生產(chǎn)效率 較低，且在大規(guī)模生產(chǎn)中會產(chǎn)生較為嚴重的鄰近效應(yīng)。

方案二：激光路線，包括激光開槽和激光轉(zhuǎn)印兩種。 激光開槽在太陽能電池電鍍銅中具備應(yīng)用前景，但與 HJT電池工藝不 兼容。由于 HJT 電池的本征和摻雜非晶硅層（a-Si層）厚度均小于20nm， 激光束將造成鈍化層的嚴重損壞，使得在不影響器件性能的情況下燒灼 TCO 層變得不可能。為解決上述問題，可以通過以下方案來解決：首先 在 TCO 層上沉積 Al2O3/a-Si 疊層（a-Si 層作為吸收劑應(yīng)用于激光照射， 使 Al2O3 薄膜區(qū)域被燒蝕）→其次在 TCO 上通過激光開槽形成電鍍開 口→沉積種子層（鎳）→電鍍銅。由于沉積 Al2O3/a-Si 疊層的方法僅適 用單面電鍍，外加兩個額外工藝步驟，并不適用于雙面電鍍太陽能電池。

相較激光開槽，激光誘導正向轉(zhuǎn)移（LIFT）可適用于 HJT 電池。LIFT 技術(shù)工藝流程相對簡單：首先在 TCO 薄膜上沉積一層電介質(zhì)作為鍍膜 →將種子層正向誘導至太陽能電池上→種子層通過 燒制與 TCO 形成良好接觸→電鍍銅。其中，無機材 料的厚度通常為幾十納米，電極形 貌與較厚的有機鍍膜相比更加平滑，且可以通過調(diào)整鍍液來抑制橫向生 長，從而實現(xiàn)更大的高寬比。圖形化環(huán)節(jié)光刻路線和激光路線并行，主流工藝仍在探索。1）光刻路線 方面，以芯碁微裝為代表，其直寫光刻設(shè)備現(xiàn)階段已可應(yīng)用于電鍍銅方 案，正與相關(guān)產(chǎn)業(yè)方就上述方案在光伏領(lǐng)域的量產(chǎn)應(yīng)用進行合作，但目 前暫未形成量產(chǎn)出貨。2）激光路線方面，以帝爾激光為代表，其電鍍工 藝在前期 TOPCon 電池上已實現(xiàn)較好的中試應(yīng)用，且在 2022 年 IBC 上 又有更進一步的突破。目前，已取得電鍍銅激光設(shè)備的量產(chǎn)訂單。

2.3.金屬化：垂直鍍技術(shù)成熟但產(chǎn)量受限，水平鍍有望助力產(chǎn)能放量

垂直鍍工藝成熟但產(chǎn)能有限，難以支撐大規(guī)模化的生產(chǎn)。根據(jù)東威科技 （國內(nèi) PCB 電鍍設(shè)備龍頭）招股書顯示，目前其垂直連續(xù)電鍍設(shè)備相對 成熟（在均勻性和貫孔率等關(guān)鍵指標上表現(xiàn)良好），是 PCB 下游廠商的 首選。在采用垂直鍍對光伏電池進行銅電鍍時，需要利用陰電極夾具夾 持住太陽電池（壓針與特別設(shè)計的開膜區(qū)域接觸）→然后將電池浸泡在 種子層為鎳的鍍槽中→鍍完鎳后經(jīng)過清洗槽后再提拉至水槽清洗→清 洗后提拉至電鍍銅槽進行銅電鍍→再提拉至水槽清洗，后再提拉至錫槽 鍍錫（錫的厚度約為 1 微米，用以防氧化，銅較銀更容易氧化）。根據(jù)垂 直鍍的工藝流程，可以發(fā)現(xiàn)受限于機械結(jié)構(gòu)限制單槽夾持的電池片數(shù)目， 以及考慮夾住硅片并進行上下移動的耗時，垂直鍍路線的產(chǎn)能將受限 （目前東威科技垂直鍍設(shè)備量產(chǎn)水平約 7000 片/小時）。

水平鍍與垂直鍍原理相同，但生產(chǎn)的速度和效率要更高。水平鍍是在垂 直鍍基礎(chǔ)上發(fā)展的新穎電鍍技術(shù)，該技術(shù)需要與鍍液和輔助裝置等實現(xiàn) 良好的相互配合。與垂直鍍原理相同，水平鍍也必須具有陰陽兩極，通 電后產(chǎn)生電極反應(yīng)使電解液主成份產(chǎn)生電離，使帶電的正離子向電極反應(yīng)區(qū)的負相移動；帶電的負離子向電極反應(yīng)區(qū)的正相移動，于是產(chǎn)生金 屬沉積鍍層和放出氣體。在傳送方面，水平鍍采用鏈式傳輸（滾輪旋轉(zhuǎn) 帶動電池片移動），而其中一側(cè)滾輪為導電材料形成電鍍系統(tǒng)的陰電極， 電池在水平傳輸過程中與陰電極滾輪保持連續(xù)的或幾乎連續(xù)的接觸，從 而實現(xiàn)銅電鍍。為此，只需要設(shè)計合適長度的槽體，提高傳輸?shù)乃俣龋?即可實現(xiàn)理想的單位時間產(chǎn)片量，使其滿足大規(guī)模量產(chǎn)化需求。

水平鍍與垂直鍍實際效果差異不大，各廠商正積極研發(fā)驗證。根據(jù)捷得 寶在 2021 年 8 月更新的水平電鍍設(shè)備數(shù)據(jù)來看，該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)雙面 同時電鍍和較佳的均勻性，產(chǎn)速以 M2 計算，可達 6000 片/小時（目標 10000 片/小時）。而目前進展較快的羅博特科在 2022 年 12 月 26 日實現(xiàn) 首創(chuàng)新型異質(zhì)結(jié)電池銅電鍍設(shè)備的交付，對現(xiàn)階段在 HJT 電池銅互聯(lián)技 術(shù)的推進有著里程碑的重大意義。

2.4.后處理：刻蝕+去膜，工藝難度不大

后處理主要是對感光材料和種子層的去除，工藝難度不大。在經(jīng)顯影（圖 形化）、以及鍍銅（金屬化）后，先對感光材料進行去膜處理，然后通過 刻蝕來去除種子層，保證非鍍銅位置的 TCO 層能夠露出。其中刻蝕可以 分為濕法刻蝕和干法刻蝕干法刻蝕占比大，約占 90%。1）濕法刻蝕：用液體化學 試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學的方式去除硅片表面的材料，以集成 電路工藝為例，大多是濕法化學刻蝕是將硅片浸入化學溶劑或向硅片上 噴灑刻蝕溶劑；一般適用于尺寸較大的情況下（大于 3μm）。2）干法刻 蝕：通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學反應(yīng)（或結(jié)合物理、化學兩種 反應(yīng)）的方式將表面材料去除。目前，較光刻而言，國內(nèi)刻蝕工藝和刻 蝕設(shè)備比較成熟，已經(jīng)能夠達到世界較為前列的水平，能夠達到較高的 刻蝕選擇性、更好的尺寸控制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損 傷。

3.從成本端測算看電鍍銅路線的經(jīng)濟性

根據(jù)我們測算：僅考慮折舊+銀漿成本，1）在考慮新增設(shè)備對應(yīng)折舊以 及電鍍銅本身工藝成本的情況下，現(xiàn)階段電鍍銅路線預(yù)計可以較傳統(tǒng) HJT 絲網(wǎng)印刷路線節(jié)約 0.044 元/W（不考慮良率）?，F(xiàn)階段，盡管從我 們測算角度看，電鍍銅技術(shù)可以幫助 HJT 電池較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案節(jié)省 五分之一的成本，但就銀漿+折舊這兩塊成本而言，與 PERC 和 TOPCon 電池比仍分別高出約 0.07 和 0.05 元/W 的成本，而這差異主要源于設(shè)備 的投資總額。2）考慮良率的情況下，電鍍銅工藝良率提升到 80%左右 預(yù)計和絲網(wǎng)印刷成本打平。假設(shè)絲網(wǎng)印刷良率在 98%，從折舊+銀漿成 本平衡角度看，對應(yīng)電鍍銅工藝良率在 80%左右（0.182/0.226×98%）； 3）不考慮良率的情況下，現(xiàn)階段電鍍銅路線成本（0.182 元/W）略低于 激光轉(zhuǎn)印路線成本（0.189 元/W），具備經(jīng)濟性優(yōu)勢。

預(yù)測假設(shè)： 1）采用電鍍銅路線較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷路線可以提升 0.3%的效率； 2）銀漿耗量方面，假設(shè) PERC、TOPCon 和 HJT 電池在 21 年的基礎(chǔ)（表 1：分別對應(yīng) 96.4、145.1 和 190mg/片）上分別下降約 15%/25%/30%，取 整近似后分別取 80、110、135mg/片；高溫和低溫銀漿售價分別取 6000 和 8500 元/kg（含稅）； 3）材料費用（掩膜成本+藥水成本+種子層成本）取 0.04 元/W，運營費 用（人工+水電+環(huán)保處理費）取 0.04 元/W，電鍍銅工藝成本合計取 0.08 元/W； 4）假設(shè)絲網(wǎng)印刷設(shè)備占總投資額比重為 15%，設(shè)備折舊按 5 年無殘值； 5）假設(shè)激光轉(zhuǎn)印方案的銀漿耗量較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案下降 30%，取 95 元/W，新增設(shè)備投資額取 3000 萬/GW； 6）我們估計新增電鍍銅設(shè)備投資額在 1.5~2 億元/GW，取 1.7 億元/GW。

長遠來看，電鍍銅技術(shù)較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案仍具備經(jīng)濟性。在考慮電鍍 銅新增設(shè)備投資額降低、以及傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案銀耗量降低的情況下， 我們進一步對電鍍銅路線的成本和傳統(tǒng)方案的成本進行靈敏度分析（這 里成本仍僅考慮折舊+銀漿）。假設(shè)方面與上述保持一致，在假定銀漿售 價（8500 元/kg）以及電鍍銅工藝成本（0.08 元/kg）不變的情況下，即 使銀漿耗量下降 30%（對應(yīng) 95mg/片），現(xiàn)階段電鍍銅方案仍能與傳統(tǒng)方 案成本打平；而當銀漿耗量下降 40%（對應(yīng) 81mg/片）時，將新增設(shè)備 投資額下降 30%（對應(yīng) 1.2 億元）時，電鍍銅方案與傳統(tǒng)方案成本依舊 可以基本打平。

4.電鍍銅技術(shù)蓄勢待發(fā)，產(chǎn)業(yè)化推進有望打開市場空間

電鍍銅并非全新技術(shù)，但產(chǎn)業(yè)化進程在加速。早在 2011 年 11 月，日本 Kaneka 公司和比利時 IMEC 微電子研究中心就在第 21 屆國際光伏科學 和工程大會上展示了其無銀 HJT 電池，通過電鍍銅連接 6 英寸硅基板的 透明導電氧化層，實現(xiàn)了超過 21%的轉(zhuǎn)換效率，在隨后的 2015 年 11 月， Kaneka 公司宣布采用銅接觸金屬化的雙面異質(zhì)結(jié)晶硅太陽能電池效率 創(chuàng)紀錄達 25.1%；同年 3 月，MacDermid 公司通過激光刻蝕、鍍膜、熱 退火等工藝制作窄銅網(wǎng)導體替代銀漿，該工藝可實現(xiàn) 30μm 的柵線寬度 和 4N 的拉力，從而可將單個電池的成本降低 6 美分。

近年來，鈞石能 源、愛康科技 等產(chǎn)商陸續(xù)加入，進展較快的捷得寶已有 小批量生產(chǎn)銅電鍍設(shè)備，銅電鍍已做驗證的客戶約為 12 家；而海源復材在 2022 年 12 月 19 日 表示其在光伏電鍍銅技術(shù)已取得突破， 較傳統(tǒng)銀漿方案，電鍍銅工藝技術(shù)成本可以降低 50%左右，轉(zhuǎn)換效率可 以增加約 0.3%。

至 2025 年保守/樂觀情況下，我們預(yù)計電鍍銅路線設(shè)備整體市場空間分別為 17.8/43.6億元，對應(yīng)當年新增市場空間為 12.6/31.0億元?，F(xiàn)階段， 單 GW 設(shè)備價值量報價仍偏高（各階段工藝方案并未完全敲定），我們 估計 PVD 設(shè)備約 4000 萬元/GW，曝光機約 4000 萬元/GW，電鍍機報價 最高達 5000 萬元/GW，其他設(shè)備估計價值量約 4000 萬元/GW。我們認 為，伴隨 2023 年完成中試線驗證，2024 年開始或?qū)崿F(xiàn)加速產(chǎn)業(yè)化，至 2025 年各環(huán)節(jié)設(shè)備約有 1000~2000 萬元/GW 的降幅，量產(chǎn)情況下預(yù)計 單 GW 設(shè)備價值量控制在 1.1 億元左右。

預(yù)測假設(shè)： 1）以 CPIA 保守情況下預(yù)測的光伏新增裝機量作為參考起點，對應(yīng)新增 電池需求按 1：1.1 折算； 2）以 PV infolink 估計的 N 型電池市占率（圖 1）作為保守情況下的參 考基準（對應(yīng) 2022~2025 年為 8%/27%/41%/49%），假設(shè)樂觀情況下 2022~2025 年的滲透率分別為 15%/40%/50%/60%； 3）假設(shè)電鍍銅技術(shù)在 2023 年有小范圍試用，隨后加速滲透，2023~2025 年保守/樂觀情況下對應(yīng)滲透率分別為 1%/3%/10%和 2%/6%/20%。

原標題： 光伏電鍍銅技術(shù)：有望逐漸產(chǎn)業(yè)化，開啟無銀時代