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NREL團(tuán)隊(duì)在實(shí)驗(yàn)室的超級(jí)計(jì)算機(jī)上進(jìn)行了很多模擬實(shí)驗(yàn)，在硅晶片相鄰的氧化層添加雜質(zhì)。具體來講，他們?cè)诒〉乃淼蓝趸鑼右腚s質(zhì)；還在硅晶片相鄰的氧化鋁表面鈍化層添加雜質(zhì)。

這兩種情況下添加雜質(zhì)，被認(rèn)為是有益的，通過提升電池多數(shù)載流子的傳輸速度，排斥少數(shù)載流子，能提高整體效率。

NREL模擬實(shí)驗(yàn)從硅晶片相鄰的氧化層除去某些原子，用一個(gè)不同元素的原子來替換，從而創(chuàng)造出虛擬的"缺陷。例如，當(dāng)氧原子被氟原子替換，這樣就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)缺陷，進(jìn)而可以促進(jìn)電子收集。
NREL研究表示，確定出正確的“缺陷”才是過程的關(guān)鍵，通過進(jìn)一步研究將會(huì)確定哪一處缺陷將會(huì)產(chǎn)生最好的結(jié)果。