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據外媒報道，英飛凌科技公司（Infineon Technologies）擴大與碳化硅（SiC）供應商Resonac公司的合作。根據新協議，Resonac將為英飛凌提供用于生產SiC半導體的SiC材料，預計占其未來十年需求量的兩位數份額。

除了直徑為150mm的材料，Resonac還計劃為英飛凌提供直徑為200mm的SiC材料。

與傳統的硅晶片（silicon-wafer-based）功率半導體相比，SiC功率半導體可以降低功率損耗，釋放的熱量更少，從而節(jié)省能源。因此，SiC功率半導體市場正在迅速擴大，尤其是在電動汽車等領域。

SiC功率半導體的性能，在很大程度上受到SiC外延片（epi-wafer）的影響。因此，外延片需要具有低表面缺陷密度，而且質量穩(wěn)定。目前，SiC功率半導體主要由直徑150mm（6英寸）的SiC外延片制成。SiC外延片的直徑越大，功率器件制造商生產的SiC功率半導體芯片就越多。因此，器件制造商希望引入直徑比傳統外延片更大的SiC外延片，從而提高生產率，降低器件成本。自2021年以來，Resonac一直在加速開發(fā)200mm SiC外延片。

此外，Resonac將加強與英飛凌的聯合開發(fā)活動，加速改進SiC外延片技術和產品質量。作為合作的一部分，英飛凌將向Resonac提供與SiC材料技術相關的知識產權。

目前，英飛凌正在擴大其SiC制造能力，以期在2030年前占據30%的市場份額。到2027年，英飛凌的SiC制造能力預計將提高10倍。其位于馬來西亞居林（Kulim）的新工廠計劃于2024年投產。如今，英飛凌已為全球3600多家客戶提供SiC半導體產品。

原標題： Resonac將為英飛凌提供SiC材料 用于生產功率半導體