西安交通大學(xué)金屬材料強度國家重點實驗室趙超博士和馬偉教授分析認為,決定電學(xué)邊緣貢獻的關(guān)鍵物理參數(shù)是電壓分布而不是電阻。隨著光照強度降低,光電流減小,器件邊緣的電壓分布變寬,有效邊緣面積增大,導(dǎo)致器件的有效面積增大,造成弱光下Jsc高估。基于上述分析,研究團隊提出等效電路模型,以研究光照強度和器件表面電阻對電學(xué)邊緣效應(yīng)的影響。計算和實驗結(jié)果表明,當界面電阻為1MΩ/sq時,在標準光照下(1 sun),邊緣效應(yīng)很小;然而,在低光照下(0.01 sun),邊緣效應(yīng)將導(dǎo)致Jsc高估>70%,PCE高估>22%。該機制適用于所有類型的光伏器件,包括有機太陽能電池、鈣鈦礦太陽能電池和染料敏化太陽能電池。此外,電學(xué)邊緣效應(yīng)通常被認為只發(fā)生在具有導(dǎo)電層的器件中,本研究揭示非導(dǎo)電層的界面摻雜也能造成明顯的電學(xué)邊緣效應(yīng):在0.01 sun光照下,Jsc高估51%,PCE高估15%。相比導(dǎo)電界面層,界面摻雜引起邊緣效應(yīng)從未被關(guān)注,也極易被忽視。進一步研究,團隊發(fā)現(xiàn)隨著表面粗糙度的增大,界面電阻減小,導(dǎo)致更強的邊緣效應(yīng)?;谝陨辖Y(jié)果,團隊提出增加器件的有效面積、降低表面粗糙度、使用掩膜、設(shè)計無邊緣器件結(jié)構(gòu),以避免電學(xué)邊緣效應(yīng)導(dǎo)致Jsc高估和PCE高估。該工作為電學(xué)邊緣效應(yīng)的內(nèi)在機制及其對器件性能評估的影響提供了新見解,有利于促進室內(nèi)光伏器件研究領(lǐng)域的健康發(fā)展。
該研究成果以《弱光器件中電學(xué)邊緣效應(yīng)導(dǎo)致光電流高估》(Electrical edge effect induced photocurrent overestimation in low-light organic photovoltaics)為題發(fā)表于《焦耳》(Joule)。西安交大材料學(xué)院博士生周曉波為第一作者。西安交大金屬材料強度國家重點實驗室趙超博士、馬偉教授,華盛頓州立大學(xué)Brian A. Collins教授為共同通訊作者。西安交大金屬材料強度國家重點實驗室為第一通訊單位。該工作合作者還包括西安交大金屬材料強度國家重點實驗室周科副教授和東華大學(xué)先進低維材料中心馬在飛教授。
原標題:【科技自立自強】西安交大科研人員揭示弱光有機光伏器件中光電流高估機理