硼擴(kuò):從目前的硼擴(kuò)摻雜技術(shù)來分,主要有:低壓的管式擴(kuò)散、旋涂硼源擴(kuò)散、常壓管式擴(kuò)散、離子注入+退火
1、TOPCon 成本降低的降本潛力。
回復(fù):TOPCon成本下降的潛力很大,隨著電池制程表現(xiàn)的不斷提高,非硅成本必然會(huì)降低;另外,銀漿的耗量以及成本的下降空間也很大;投資額低導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備的折舊成本也低;
另外,我司的硼擴(kuò)、LPCVD等關(guān)鍵設(shè)備也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化,設(shè)備上也是致力于大產(chǎn)能低運(yùn)營(yíng)成本,有利于推動(dòng)TOPCon技術(shù)的降本工作。
2、目前業(yè)內(nèi)有哪幾家在用此技術(shù),是否是嫁接在現(xiàn)有產(chǎn)線上還是全新產(chǎn)線?效果如何?
回復(fù):業(yè)內(nèi)主要有中來、天合等,基本上都是全新線。另外,據(jù)了解,很多企業(yè),新上PERC產(chǎn)線都都預(yù)留了TOPCon升級(jí)空間,目前的效率能夠達(dá)到23.5-23.8%左右,良率也基本在93%-94%左右。
另外,據(jù)了解,很多企業(yè),新上PERC產(chǎn)線都都預(yù)留了TOPCon升級(jí)空間,目前的效率能夠達(dá)到23.3-23.5%左右,良率也基本在93%-94%左右。
3、除了N型硅片,TOPCon還需要何種新材料?供應(yīng)前景如何?
回復(fù):TOPCon技術(shù),N 型和P型都可以做,基本不需要新的材料,其與PERC的材料沒有明顯差異,整體材料的供應(yīng)沒有問題。
4、不同沉積方式的差別(LPCVD PEALD APECVDMAIA);
回復(fù):主要還是LPCVD和PECVD的差異。從目前來看的話,LPCVD的成膜質(zhì)量更好,而且其產(chǎn)能大,維護(hù)比較方便;
PECVD雖然沉積速度快,但是可能出現(xiàn)爆膜以及造成粉塵的產(chǎn)生。
5、集成原位摻雜與單獨(dú)磷注入的差別
回復(fù):原位摻雜因?yàn)榱淄橐种屏朔蔷Ч璧某赡に俾剩瑫?huì)導(dǎo)致其均勻性變差。另外它要兼容均勻性和方阻,所以控制會(huì)比較難;
而用本征來做磷擴(kuò),兼容性會(huì)比較好,也容易控制。
6、PERC升級(jí)TOPCon工藝路線的設(shè)備成本;
回復(fù):這個(gè)要看實(shí)際狀況,相信大家都能理解,一般GW級(jí)別目前大概在5-6千萬左右,僅供參考;
7、生產(chǎn)運(yùn)行中SIO2的厚度如何檢測(cè)?
回復(fù):生產(chǎn)運(yùn)行中,二氧化硅的厚度是很難檢測(cè)的,其實(shí)我們也不建議在生產(chǎn)過程中做二氧化硅的檢測(cè),可以從其他工序的監(jiān)控反應(yīng)出來,比如從方阻就可以看出來。
8、LPCVD方式的優(yōu)點(diǎn)、均勻性情況?
回復(fù):LPCVD的優(yōu)點(diǎn):產(chǎn)能大,易于維護(hù),是一個(gè)比較成熟的設(shè)備;而均勻性目前可以做到433這樣水平。
9、TOPCon對(duì)漿料的要求?
回復(fù):要求較高,從去年的整體情況看,漿料對(duì)于整體電性能提升作用很大,當(dāng)然也意味著較大的降本空間。
10、繞鍍的寬度對(duì)繞鍍清洗的影響,繞鍍清洗的難點(diǎn)有哪些?目前的繞鍍清洗方式有哪些。
回復(fù):繞鍍的寬度對(duì)于繞鍍的清洗難易有關(guān),寬度越大,清洗越困難,比如會(huì)導(dǎo)致清洗不均勻、外觀不良或者EL不良。
目前主要的繞鍍?nèi)コ绞绞撬峥毯蛪A刻。
11、正面氧化鋁鈍化之前是否還有必要增加熱氧?
回復(fù):個(gè)人認(rèn)為不需要增加熱氧,目前來看氧化鋁的本身鈍化的效果就比較好。
12、正面氧化鋁是否可以用其他鈍化膜代替
回復(fù):正面氧化鋁可以用其他的鈍化膜來代替,但是目前氧化鋁的本身鈍化效果就比較好,另外其工藝也比較成熟,成本也比較低。
13、對(duì)于TOPCon而言,PECVD方式氧化鋁和ALD方式氧化鋁有什么差異
回復(fù):TOPCon在絨面的鈍化是在正面進(jìn)行,在絨面上進(jìn)行鈍化,PECVD的生長(zhǎng)速率快,可能會(huì)導(dǎo)致鈍化效果略差于ALD。
14、TOPCon產(chǎn)線設(shè)備投資相對(duì)于PERC比較優(yōu)勢(shì)的臨界點(diǎn)在哪里(轉(zhuǎn)化率優(yōu)勢(shì)達(dá)到多少,設(shè)備投資額差距多少)。預(yù)計(jì)這個(gè)臨界點(diǎn)出現(xiàn)在什么時(shí)候。
回復(fù):個(gè)人認(rèn)為,關(guān)鍵臨界點(diǎn)就在眼前,因?yàn)槟壳癙ERC的效率基本已經(jīng)到極限,而TOPCon在市場(chǎng)上已經(jīng)有GW級(jí)別的量產(chǎn),整體的運(yùn)行狀況也較好,效率可以做到23.3-23.5%,良率也基本超過90%,運(yùn)營(yíng)成本也在不斷降低中。
15、N-TOPCon現(xiàn)在的實(shí)際良率和量產(chǎn)效率怎么樣?現(xiàn)在國(guó)內(nèi)規(guī)模大概多少呢?另外,貴公司針對(duì)P-TOPCon方面有和國(guó)內(nèi)外企業(yè)做過研究測(cè)試嗎?大體情況如何?
回復(fù):N-TOPCon我司實(shí)際量產(chǎn)效率在23.5-23.8,國(guó)內(nèi)的規(guī)模約4-5GW, P-TOPCon已經(jīng)有一些研究機(jī)構(gòu)已經(jīng)做出來了,效率也比較高。P型TOPCon和N型TOPCon只是電池路線差異,我司的設(shè)備均可以使用。
16、目前新建1GW的TOPCon產(chǎn)線,大約多少億。
回復(fù):大概2.5億左右吧。最終要看各家配置。
17、新的TOPCon產(chǎn)線是否兼容166和210尺寸的電池
回復(fù):我司的設(shè)備是可以實(shí)現(xiàn)全尺寸兼容。
18、未來兩三年N型硅片的主流尺寸和片厚會(huì)是怎樣?
回復(fù):目前只能說大尺寸肯定是未來的趨勢(shì)。
19、PL技術(shù)在TOPCon中的應(yīng)用;
回復(fù):PL是在TOPCon的一個(gè)標(biāo)配,對(duì)于效率異常的排查,對(duì)于效率的提升都是非常有幫助的。
20、如何在設(shè)備端和載具上解決繞鍍?
回復(fù):我司設(shè)備的繞鍍基本控制在硅片的邊緣1cm左右,我們還在不斷努力的開發(fā)無繞鍍的設(shè)備。
21、對(duì)于多晶硅繞鍍清洗,酸堿法清洗誰更有優(yōu)勢(shì),鏈?zhǔn)胶筒凼秸l更有優(yōu)勢(shì);
回復(fù):目前酸堿都能去除,最終還是要看工藝的匹配以及綜合性價(jià)比來選擇。
22、N-TOPCon擴(kuò)散工藝會(huì)使用到BBr3或BCl3氣體,請(qǐng)問兩者優(yōu)缺點(diǎn)為何?
回復(fù):BBr3使用比較多,尤其是光伏,以說其整體的設(shè)備市場(chǎng)占有率較高。
BCl3的運(yùn)營(yíng)成本包括BOM成本以及設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)成本,其整體的運(yùn)營(yíng)成本還是優(yōu)于BBr3。
23、TOPCon技術(shù)與現(xiàn)有組件技術(shù)能否有效兼容,比如疊片,半片,大硅片,雙面等。
回復(fù):TOPCon能夠有效的兼容半片、疊片、大硅片以及雙面組件;
24、PERC+可以疊加TOPCon技術(shù)進(jìn)去的,另外,拉普拉斯的LP爐管壽命是多久?
回復(fù):關(guān)于延長(zhǎng)石英管壽命,目前有很多方法予以解決。
25、水平放片,下面那片不會(huì)有很重的舟齒???因?yàn)橹亓壕o了,氣體進(jìn)不去。
回復(fù):不會(huì),舟印只跟石英舟的質(zhì)量或者清洗飽和工藝有關(guān)系。水平的最佳優(yōu)勢(shì)就是氣體在硅片表面的分布,而齒與齒之間也是有間距的。
26、低壓狀態(tài)下分子自由程大,如何避免水平放片下層流狀態(tài)擴(kuò)散不充分的情況?
回復(fù):低壓狀態(tài)下分子自由程大有利于氣體分布均勻,對(duì)于水平放片對(duì)于氣流無阻擋所以壓力需求不會(huì)要求很低,對(duì)于泵的要求也沒有豎直及菱形插片高。
27、水平放片自動(dòng)化設(shè)備配套情況?
回復(fù):市面上的主流自動(dòng)化廠家都能配置。
28、能否采用BBr3來代替BCl3,是否具備原位清洗功能?
回復(fù):對(duì)于我們來說BCl3使用效果比BBR3效果好所以不會(huì)考慮替換,原位清洗功能可根據(jù)客戶需求增加。
29、硼擴(kuò)散方阻范圍和方阻均勻性?
回復(fù):100~120ohm/squ可以做到4%/4%/3%。
30、石英件是否有做特殊涂層?使用壽命如何?
回復(fù):有做,目前使用效果良好。
31、請(qǐng)問如果保證TOPCon鈍化的均勻性問題?這個(gè)均勻性直接以何種方式表現(xiàn)在電池的電性能參數(shù)上?開壓和電流的收斂性如何保證?電池串的明暗片如果控制?
回復(fù):鈍化均勻性只要鈍化工序的均勻性做好即可,主要體現(xiàn)電性參數(shù)開壓和FF上;
開壓和電流的收斂性只要制程管控好就能保證,電池明暗片可以參考PERC/HIT。
原標(biāo)題:TOPCON 工藝提升31問