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 據(jù)韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。

在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的工藝節(jié)點轉(zhuǎn)移時出現(xiàn)了很多產(chǎn)量問題，以至于影響了它的一些最大客戶的業(yè)務，如高通公司，該公司現(xiàn)在正考慮將臺積電用于未來的移動芯片。

NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后，正為其下一代產(chǎn)品選擇臺積電，這些GPU原本是在三星的8nm工藝節(jié)點上制造的。

來自韓國當?shù)孛襟w的報道顯示，三星正準備宣布開始3納米的批量制造，可能最快在本周。這將是對競爭對手臺積電的一次重大挑戰(zhàn)，這也意味著這家韓國公司將成為第一個使用全柵極場效應晶體管(GAAFET)的公司。

三星稱其實施的3納米GAAFET晶體管為多橋通道場效應晶體管，但這只是晶體管的一個技術(shù)名稱，它背后的優(yōu)勢才是關(guān)鍵：功率減少50%，占用的空間減少45%，并能在極低電壓下更穩(wěn)定地運行。

有傳言稱，三星也已經(jīng)獲得了新工藝節(jié)點的第一批客戶，該公司是否能夠避免重蹈8nm和4nm的覆轍將是值得關(guān)注的。無論如何，代工業(yè)務是三星底線的一個強有力的貢獻者，其一半以上的營業(yè)利潤--約67億美元和變化--來自芯片部門。


原標題：67億美元！三星將成為第一個使用全柵極場效應晶體管的公司