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IBC電池:新一代平臺型技術(shù)
日期:2022-05-16   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sy_zhuzelin 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
硅基光伏電池歷經(jīng)三代變化,新的技術(shù)不斷涌現(xiàn)推動光伏發(fā)電的性價比不斷上升。光伏電池早期以BSF(Aluminium Back Surface Field,鋁背場電池)為主要技術(shù)路線,該電池技術(shù)于1973年提出,其特點是采用鋁背場鈍化技術(shù),理論轉(zhuǎn)換效率上限約為20%;隨著光伏產(chǎn)業(yè)對于發(fā)電效率的不懈追求以及PERC(Passivated Emitter and Rear Contact,發(fā)射極鈍化和背面接觸)技術(shù)的成熟,成本不斷下降,光伏電池轉(zhuǎn)向以PERC技術(shù)為主,該技術(shù)于1982年提出,其特點是采用氧化鋁局部鈍化技術(shù),相較于BSF電池技術(shù),PERC技術(shù)鈍化效果更優(yōu),將電池的極限效率提升至23%左右。

隨著PERC技術(shù)的成熟與不斷挖潛,逐步逼近其轉(zhuǎn)換效率的理論極限,業(yè)界開始尋求下一代技術(shù),目前推進中的主流技術(shù)有TOPCon(Tunnel oxide passivated contact, 隧穿氧化層鈍化接觸)、HJT(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm,異質(zhì)結(jié))和IBC(Interdigitated back contact,交叉背接觸)等。TOPCon和HJT一般為采用了鈍化接觸技術(shù)的N型電池(也有技術(shù)采用P型硅片),不同點在于HJT是異質(zhì)結(jié)類型的電池,是具有顛覆性的技術(shù),對新進入廠商相對有利,TOPCon仍然是同質(zhì)結(jié)電池,對存量的產(chǎn)線和技術(shù)積累較為友好,對行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有玩家較為有利。

IBC的提效降本則是另外一種思路,與TOPCon、HJT采用新的鈍化接觸結(jié)構(gòu)來提高鈍化效果從而提高轉(zhuǎn)換效率的思路不同,IBC則是將電池正面的電極柵線全部轉(zhuǎn)移到電池背面,通過減少柵線對陽光的遮擋來提高轉(zhuǎn)換效率,主要通過結(jié)構(gòu)的改變來提高轉(zhuǎn)換效率,是一種較為純粹的單面電池,這種結(jié)構(gòu)可以與PERC、TOPCon、HJT、鈣鈦礦等多種技術(shù)疊加,因此有望成為新一代的平臺型技術(shù),與TOPCon技術(shù)的疊加被稱為“TBC”電池,而與HJT技術(shù)的疊加則被稱為“HBC”電池。



IBC電池技術(shù)是指一種背結(jié)背接觸的太陽電池結(jié)構(gòu),其正負金屬電極呈叉指狀方式排列在電池背光面。由于對少子壽命的要求較高,IBC電池一般以N型硅片作為基底,前表面為N+前場區(qū)FSF,利用場鈍化效應(yīng)降低表面少子濃度,從而降低表面復(fù)合速率,同時還可以降低串聯(lián)電阻,提升電子傳輸能力;背表面為采用擴散方式形成的叉指狀排列的P+發(fā)射極和N++背場BSF,發(fā)射極能夠與N型硅基底形成p-n結(jié),有效分流載流子,n+背表面場區(qū)能夠與n型硅形成高低結(jié),增強載流子的分離能力,是IBC電池的核心技術(shù);前后表面均采用SiO2/SiNx疊層膜作為鈍化膜,抑制IBC太陽電池背表面的載流子復(fù)合;前表面常鍍上減反射層,提高發(fā)電效率;金屬接觸部分全都在背面的正負電極接觸區(qū)域,也呈叉指狀排列。


IBC技術(shù)由SunPower提出,SunPower已成立36年,累計出貨35億片IBC電池片,擁有1000多個晶硅電池專利。1975年,Schwartz和Lammert首提背接觸式光伏電池概念;1984年,斯坦福教授Swanson研發(fā)了IBC類似的點接觸(Point Contact Cell,PCC)太陽電池,在聚光系統(tǒng)下轉(zhuǎn)換效率19.7%;1985年Swanson教授創(chuàng)立SunPower,研發(fā)IBC電池;1993年,SunPower全背接觸電池幫助本田贏得澳洲太陽能汽車挑戰(zhàn)賽冠軍;2004年,SunPower菲律賓工廠(25MW產(chǎn)能)規(guī)模量產(chǎn)第一代IBC電池,轉(zhuǎn)換效率最高21.5%,組件價格5-6美金/瓦。

雖然距離SunPower推出第一代IBC電池已經(jīng)相當(dāng)時間,但是初代電池奠定了該種電池技術(shù)路線基本的電池結(jié)構(gòu)和工藝框架:

(1)前表面無柵線遮擋。電池前表面采用陷光絨面,且無柵線遮擋,避免了金屬電極遮光損失,最大化吸收入射光子,實現(xiàn)良好的短路電流;

(2)背面為P區(qū)和N區(qū)的叉指狀間隔排列。電池背面制備呈叉指狀間隔排列的p+區(qū)和n+區(qū),以及在其上面分別形成金屬化接觸和柵線,由于消除了前表面發(fā)射極,前表面復(fù)合損失減少;

(3)一般采用較高質(zhì)量的N型硅片。由于前表面遠離背面p-n結(jié),為了抑制前表面復(fù)合,需要更好的前表面鈍化方案,同時需要具有長擴散長度的高質(zhì)量硅片(如N型硅片),以降低少數(shù)載流子在到達背結(jié)之前的復(fù)合;

(4)與鈍化接觸技術(shù)相結(jié)合來提高電池性能。采用鈍化接觸或減少接觸面積,大幅減少背面p+區(qū)和n+區(qū)與金屬電極的接觸復(fù)合損失;

(5)增加前表面場FSF。利用前表面場FSF的場鈍化效應(yīng)降低表面少子濃度,降低表面復(fù)合速率的同時還可以降低串聯(lián)電阻,提升電子傳輸能力。


SunPower不斷改進該技術(shù)來提高其性價比,大體可以分為兩個方向:(1)更簡化的制程,以及采用更低成本的工藝;(2)與更好的鈍化技術(shù)相結(jié)合。


從SunPower官網(wǎng)披露的最新信息來看,其最新一代IBC電池已吸收了TOPCon電池鈍化接觸的技術(shù)優(yōu)點,加入了隧穿氧化層(Tunnel Oxide)與多晶硅(N/P-Poly Silicon)的復(fù)合結(jié)構(gòu),并保留了銅電極工藝;從電池結(jié)構(gòu)來看,量產(chǎn)工藝已經(jīng)簡化,成本在可接受范圍,平均的轉(zhuǎn)換效率可以達到25%,第七代電池有望將平均轉(zhuǎn)換效率提高到26%的水平。


IBC獨有的結(jié)構(gòu)也使其具有獨特的優(yōu)勢:

(1)外形美觀。IBC電池發(fā)射區(qū)和基區(qū)的電極均處于背面,正面完全無柵線遮擋,尤其適用于光伏建筑一體化(BIPV)的應(yīng)用場景以及對價格敏感度較低的家用場景,商業(yè)化前景較好。

(2)具有高轉(zhuǎn)換效率的單面結(jié)構(gòu)。IBC電池正面無遮擋結(jié)構(gòu)消除了柵線遮擋造成的損失,實現(xiàn)了入射光子的最大化利用,較常規(guī)太陽能電池短路電流可提高7%左右,正負電極都在電池背面,不必考慮柵線遮擋問題,可適當(dāng)加寬柵線比例,從而降低串聯(lián)電阻,提高FF;由于正面無需考慮柵線遮光、金屬接觸等因素,可對表面鈍化及表面陷光結(jié)構(gòu)進行最優(yōu)化設(shè)計,得到較低的前表面復(fù)合速率和表面反射,從而提高Voc和Jsc;短路電流、FF、Voc的提高使得正面無遮擋的IBC電池擁有了高轉(zhuǎn)換效率;但是柵線都在背面的獨特結(jié)構(gòu)犧牲了電池的雙面性,無法吸收經(jīng)過地面反射的陽光,因此適用于光伏建筑一體化等無法利用背面發(fā)射光的應(yīng)用場景。


由于IBC電池結(jié)構(gòu)具有良好的兼容性,逐漸形成了三大工藝路線:

(1)以SunPower為代表的經(jīng)典IBC電池工藝;

(2)以ISFH為代表的POLO-IBC(TBC)電池工藝;

(3)以Kaneka為代表的HBC電池工藝(IBC-SHJ)。

根據(jù)2017年Kaneka實驗結(jié)果,目前IBC-SHJ(HJT)電池的轉(zhuǎn)換效率最高可達到26.7%,高于TOPCon和HJT電池的實驗效率。


產(chǎn)業(yè)內(nèi)提高IBC電池轉(zhuǎn)化效率的主要方向有:

(1)優(yōu)化背電極接觸區(qū)域,降低接觸電阻;

(2)防止電池短路且性能最優(yōu),在電池背面p+和n+區(qū)域?qū)ふ液线m寬度的本征區(qū)域;

(3)使用體壽命較高的n型硅片作為基體,對其前后表面制備良好的鈍化層,保持較高的少子壽命;

(4)背面鈍化層的引入需考慮背反射器的作用。

將鈍化接觸技術(shù)與IBC相結(jié)合,研發(fā)出TBC(Tunneling oxide passivated contact Back Contact)太陽電池,也就是上文所稱的POLO-IBC;將非晶硅鈍化技術(shù)與IBC相結(jié)合,開發(fā)出HBC太陽電池,二者均是通過應(yīng)用載流子選擇鈍化接觸可以抑制少數(shù)載流子在界面處的復(fù)合速度,進一步降低IBC電池的整體復(fù)合,從而有效提高IBC太陽電池表面鈍化效果。

TBC電池主要是通過對IBC電池的背面進行優(yōu)化設(shè)計,即用P+和N+的POLY-Si作為發(fā)射極和BSF,并在POLY-Si與摻雜層之間沉積一層隧穿氧化層SiO2,使其具有更低的復(fù)合,更好的接觸,更高的轉(zhuǎn)化效率。


2018年,ISFH采用區(qū)熔法(FZ)制備的P型硅片將POLO技術(shù)應(yīng)用于IBC電池,在4cm2的電池面積上獲得了26.1%的POLO-IBC太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率,但該結(jié)構(gòu)制備流程相對復(fù)雜,使用了多次光刻和自對準的工藝;為了簡化工藝,ISFH公司在P型PERC電池的技術(shù)上疊加多晶硅沉積,在常規(guī)CZ法獲得的P型單晶硅片上制備POLO-IBC電池,利用原位摻雜制備摻雜多晶硅層,采用絲網(wǎng)印刷和共燒結(jié)形成金屬接觸,獲得21.8%的轉(zhuǎn)換效率,該技術(shù)路徑與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容度較高,但轉(zhuǎn)換效率較低。

在N型硅片基底上,2019年天合光能采用LPCVD(低壓化學(xué)氣相沉積)法對IBC電池的BSF進行多晶硅隧穿氧化,只通過調(diào)節(jié)濕法工藝使其與原始IBC電池工藝相兼容,在6英寸硅片上將轉(zhuǎn)換效率由24.1%提高到25%。


與傳統(tǒng)IBC電池不同的是,HBC電池結(jié)構(gòu)背面的Emitter和BSF區(qū)域為p+非晶硅和n+非晶硅層,在異質(zhì)結(jié)接觸區(qū)域插入一層本征非晶硅鈍化層。

HBC電池結(jié)構(gòu)能夠獲得較高轉(zhuǎn)換效率的原因在于:(1)高Voc。HBC電池采用氫化非晶硅(a-Si:H)作為雙面鈍化層,在背面形成局部a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),基于高質(zhì)量的非晶硅鈍化,獲得高Voc。充分吸收了HJT電池非晶硅鈍化技術(shù)的優(yōu)點。(2)高Jsc。HBC電池采用了IBC電池結(jié)構(gòu),前表面無遮光損失和減少了電阻損失,從而擁有較高的Jsc,充分結(jié)合了HJT電池技術(shù)與IBC電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。


HBC電池主要是由Kaneka在推動,已取得較好的研發(fā)進展,2017年日本化學(xué)公司和太陽能電池制造商Kaneka通過背接觸異質(zhì)結(jié)技術(shù)實現(xiàn)的的最高效率26.63%,國內(nèi)則主要是愛旭股份在推動N型ABC電池技術(shù)。


IBC目前大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化面臨的問題是工序多、量產(chǎn)難度大導(dǎo)致成本高。根據(jù)普樂新能源的披露,IBC電池技術(shù)的生產(chǎn)成本和產(chǎn)線投入仍然不占優(yōu)勢,非硅成本的差異主要來源于良率、銀漿成本和折舊成本,成熟的PERC電池在現(xiàn)階段還具有較為明顯的性價比。隨著TOPCon技術(shù)以及HJT技術(shù)的不斷進步和成熟,與其相結(jié)合的TBC、HBC電池有望受益。


原標題:IBC電池:新一代平臺型技術(shù)
 
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