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一、TOPCon 技術(shù)工藝

1、TOPCon技術(shù)：TOPCon采用背面氧化層+摻雜多晶硅的復(fù)合結(jié)構(gòu)，形成良好的鈍化接觸，全面提升電池的性能。

2、TOPCon工藝流程：
3、原位摻雜和非原位摻雜：兩種選擇對(duì)性能差異不大，但從摻雜之后的后續(xù)處理問題來(lái)看，目前原位摻雜是比較折中的選則，是最容易量產(chǎn)、最穩(wěn)定的選擇，可控性較好。

4、PE和LP：PE路線有先天性問題，體現(xiàn)不出TOPCon的優(yōu)勢(shì)。Poly沉積快，致密性很差， 用PE做的電池效率低。從量產(chǎn)角度看，LP已經(jīng)滿足需求，后續(xù)LP將是主流。

5、N型和P型技術(shù)路徑和難度對(duì)比：P型做TOPCon容易很多，但效率提升不太明顯，僅比P型PERC效率高0.5pct左右。這主要是載流子的問題，P型的載流子是空穴，躍遷相對(duì)比較難，而N型的載流子是電子，所以目前主流選擇N型。

6、TOPCon和IBC結(jié)合的可行性：今年除了是TOPCon的元年，也是N型硅片的元年。N型硅片具有先天性優(yōu)勢(shì)，TOPCon技術(shù)是可以和HJT和IBC技術(shù)融合的，但是目前TOPCon尚且處于能做的階段，而不是技術(shù)很好的階段。

二、TOPCon與PERC對(duì)比

1、優(yōu)勢(shì)：

效率高：TOPCon目前量產(chǎn)效率最高的廠家效率高達(dá)24.8%，當(dāng)前主流的PERC是23.2%，TOPCon高1.6個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2023年下半年，TOPCon可以達(dá)到 26.8%，PERC的效率在23.5%左右，效率差能達(dá)到3.3個(gè)百分點(diǎn)。

衰減低：一方面，TOPCon電池沒有掉檔的情況，而PERC電池目前的測(cè)試效率經(jīng)一段時(shí)間后復(fù)測(cè)效率掉1～2個(gè)檔；另一方面，對(duì)于組件端，TOPCon發(fā)電功率不存在衰減，PERC首年有接近8%的功率衰減。

長(zhǎng)波響應(yīng)好：PERC只是對(duì)短波響應(yīng)好，TOPCon不管是長(zhǎng)波還是短波響應(yīng)都很好。TOPCon不受天氣影響，發(fā)電量持續(xù)保障，而PERC發(fā)電量受天氣影響嚴(yán)重。

2、劣勢(shì)：

固定投資高：TOPCon設(shè)備投資2億元/GW，而PERC是1.2億元/GW。

工藝復(fù)雜：TOPCon工藝是12步，而PERC是11步，TOPCon新增三道工序，刪掉了兩道工 序，調(diào)整了一道工序，但它新增的幾道工序都是比較復(fù)雜難以控制的。

非硅成本高：目前來(lái)看TOPCon非硅成本是0.26-0.27元/W，PERC是在0.2元/W 左右，TOPCon比PERC高30%，預(yù)期最終兩者成本均有所降低后TOPCon成本比PERC高20%。

三、TOPCon與HJT對(duì)比

1、優(yōu)勢(shì)：

技術(shù)成熟，兼容性好：TOPCon的技術(shù)相對(duì)成熟，兼容性好，12道工序中有8道工序和PERC完全一樣，新增的三道工序里面，設(shè)計(jì)的操作、工藝窗口、參數(shù)設(shè)置等與原有的PERC近似度非常高。

車間投資低：TOPCon設(shè)備投資2億元/GW，而HJT目前來(lái)看要做到3～3.5億元/GW。

量產(chǎn)性好：TOPCon的操作員工和工藝設(shè)備都可以直接從PERC原有車間無(wú)縫銜接，不需要做額外培訓(xùn)和技能升級(jí)。

效率高：目前TOPCon比HJT效率高0.4pct，預(yù)計(jì)到2023年效率差可能還會(huì)拉大。

非硅成本低：TOPCon是0.26-0.27元，而HJT目前是0.33元。

電池?zé)o衰減：TOPCon不管是電池端還是組件都沒有衰減，但是HJT因?yàn)槭褂玫蜏啬z，效率逐漸衰減。

2、劣勢(shì)：

工藝流程長(zhǎng)：TOPCon有12步，而HJT只有5步（清洗制絨、摻雜晶體硅、導(dǎo)電膜、絲網(wǎng)印刷、測(cè)試分選）。工序流程越長(zhǎng)，意味著設(shè)備對(duì)應(yīng)的人員、工藝復(fù)雜度等增加很多。

車間占用面積大：工藝流程長(zhǎng)造成需要的設(shè)備多，土地占用面積大，同時(shí)整個(gè)工程車間的設(shè)備動(dòng)力成本等也會(huì)相應(yīng)增加。

硅片厚度降低幅度?。篜ERC的硅片厚度在170～175μm之間（如果減薄太多，鋁背廠的應(yīng)力將導(dǎo)致硅片強(qiáng)度不達(dá)標(biāo)），TOPCon目前主流能做到150～155μm（要面臨硼擴(kuò)的超高溫和劇烈升降溫的考驗(yàn)，后續(xù)應(yīng)該不會(huì)減薄太多），HJT目前主流的實(shí)驗(yàn)室批量在110～120μm之間，有極個(gè)別的廠家能做到90μm左右。TOPCon省了約20μm左右的厚度，而HJT省60μm左右。

硅片尺寸受限：TOPCon尺寸目前主流是182，210目前來(lái)看阻力較大，主要的阻力來(lái)自于電池板和組件端的面積。而HJT受工藝的限制小，可以優(yōu)先上210尺寸。

3、HJT量產(chǎn)化遇到的問題：

低溫銀漿：250度的超級(jí)低溫導(dǎo)致銀漿的金屬化非常差，帶來(lái)很多的衍生問題，最大的一點(diǎn)在于組件的焊接拉力完全不達(dá)標(biāo)。

TCO膜：TCO膜特別容易老化，老化后性能下降很嚴(yán)重。PERC和TOPCon電池組件壽命一般 是15～20年，而HJT技術(shù)在實(shí)驗(yàn)室惡劣條件下，TCO膜的壽命是3～5年。

PVD&RPD設(shè)備：設(shè)備來(lái)源于半導(dǎo)體，要精準(zhǔn)控制，但是它連續(xù)作業(yè)能力不高。

原標(biāo)題：TOPCon電池與HJT&PERC電池優(yōu)劣點(diǎn)