1、HBC轉(zhuǎn)換效率表現(xiàn)
2014-2015年是BSF鋁背場電池發(fā)展到效率天花板的技術(shù)拐點期,當時轉(zhuǎn)換效率22%以上的晶硅電池技術(shù)有:IBC電池、HJT電池和PERx(PERL/PERT/PERC)家族電池。結(jié)果,在BSF電池生產(chǎn)工藝上,只需增加背面氧化鋁鍍膜和激光開槽兩道工序就完成升級的PERC電池,依靠良好的工藝兼容性和較低的設(shè)備投入,迅速成為新一代主流晶硅電池技術(shù)。
而同期IBC電池,在HJT電池技術(shù)的加持下,成為太陽能電池領(lǐng)域新的創(chuàng)新熱點。2014年,受夏普研究成果啟發(fā),松下在其HIT(即HJT)電池基礎(chǔ)上,結(jié)合了IBC電池結(jié)構(gòu),研發(fā)出了轉(zhuǎn)換效率25.6%的HBC電池,刷新了世界紀錄。
HBC電池結(jié)構(gòu)
(來源:公開信息)
HBC電池具有最高轉(zhuǎn)換效率的發(fā)展?jié)摿?,迅速吸引了大批研發(fā)機構(gòu)和企業(yè)的研究,成為最熱門的技術(shù)路線之一。見下表。
HBC電池專利
(來源:普樂科技POPSOLAR®)
2017年,Kaneka將HBC電池世界紀錄,刷新到了26.63%。這也是迄今為止晶硅太陽能電池研發(fā)效率的最高水平。見下圖及下表:
日本Kaneka世界紀錄HBC電池
(來源:Kaneka,2017)
HBC電池轉(zhuǎn)換效率世界紀錄表
(來源:公開信息,普樂科技POPSOLAR®整理)
HBC電池,即異質(zhì)結(jié)背接觸晶硅電池,高轉(zhuǎn)換效率的主要原因:
(1)高Voc。HBC電池采用氫化非晶硅(a-Si:H)作為雙面鈍化層,在背面形成局部a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),基于高質(zhì)量的非晶硅鈍化,獲得高Voc。充分吸收了HJT電池非晶硅鈍化技術(shù)的優(yōu)點。
(2)高Jsc。HBC電池采用了IBC電池結(jié)構(gòu),前表面無遮光損失和減少了電阻損失,從而擁有較高的Jsc。充分吸收了IBC電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。
2、HBC電池量產(chǎn)工藝難點
HBC電池代表晶硅電池最高效率水平,然而,HBC電池在繼承了IBC和HJT兩者優(yōu)點的同時,也保留了兩者各自生產(chǎn)工藝的難點:
設(shè)備昂貴,工序長,投資成本高
需要掩模、開槽、摻雜和清洗才能完成制備背面PN區(qū),制程復(fù)雜
本征和摻雜非晶硅鍍膜工藝,工藝窗口窄,對工藝清潔度要求極高
正負電極都處于背面,電極印刷和電極隔離工藝對設(shè)備精度要求高
低溫銀漿導(dǎo)電性弱,需要跟TCO配合良好,壁壘高供給少
低溫電池制程,客戶端需要低溫組件封裝工藝配合
從各晶硅電池工藝制程對比來看,HBC電池工藝是復(fù)雜而昂貴的。見下表:
晶硅電池工藝制程對比
(來源:公開信息,普樂科技POPSOLAR®整理)
(1)關(guān)鍵工藝:制備背面P區(qū)(摻硼非晶硅)和N區(qū)(摻磷非晶硅)
如何用低成本工藝,來制備HBC電池背面PN區(qū),是決定HBC電池是否有產(chǎn)業(yè)競爭力的關(guān)鍵一步。按照經(jīng)典HBC電池制備PN區(qū)的工藝,繞不開“掩模-開槽-沉積-刻蝕”等工藝,比如Kaneka的方案,就高達8個工序,涉及5個不同設(shè)備,制程復(fù)雜而昂貴(見下表)。而主流PERC電池只需一道爐管擴散工藝就完成p-n結(jié)的制備。
(來源:公開信息,普樂科技POPSOLAR®整理)
按照目前PECVD、PVD、濕法設(shè)備和金屬化設(shè)備等設(shè)備的成熟度,經(jīng)典HBC電池工藝已經(jīng)走得通,但生產(chǎn)成本會比較高。HBC電池的規(guī)模量產(chǎn),還需要低成本的工藝方案,特別是低成本的PN區(qū)摻雜方案。業(yè)內(nèi)在探索低成本PN區(qū)摻雜工藝,并在以下幾個方向有了積極的成果:
簡化摻雜非晶硅薄膜的工序
降低關(guān)鍵設(shè)備PECVD的設(shè)備成本
采用更低成本的非晶硅沉積設(shè)備
(2)關(guān)鍵設(shè)備:非晶硅薄膜沉積設(shè)備
非晶硅薄膜沉積設(shè)備,主要有板式PECVD、HWCVD和LPCVD設(shè)備。見下表:
非晶硅薄膜沉積設(shè)備比較
(來源:公開信息,普樂科技POPSOLAR®整理)
LPCVD設(shè)備,是隨著TOPCon電池工藝發(fā)展成熟的新電池設(shè)備,目前僅應(yīng)用在TOPCon和TBC工藝的非晶硅鍍膜上。HWCVD是日本松下/三洋選擇的方案,優(yōu)點是沉積非晶硅質(zhì)量較好,缺陷更少;缺點是鍍膜均勻性較差,碎片率較高,電耗偏高。而PECVD,憑借良好的質(zhì)量和穩(wěn)定性成為主流非晶硅薄膜沉積設(shè)備,特別在制備氫化非晶硅方面。
板式PECVD通過微波或射頻波使腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體分子電離,形成的高化學活性等離子體,在基片表面發(fā)生化學反應(yīng),沉積成膜。管式PECVD在傳統(tǒng)晶硅電池中沉積的薄膜厚度均大于100nm,而在HBC電池中板式PECVD 在硅片正反面先后沉積兩層非晶硅薄膜用作鈍化層,鈍化層的厚度需控制在5-10nm,薄膜均勻性、致密度、容錯率等直接影響電池片的轉(zhuǎn)換效率,因此板式PECVD設(shè)備對真空度、潔凈度、設(shè)備頻率、壓力、沉積速率等各項影響鍍膜質(zhì)量的指標,要求比較高,從而導(dǎo)致板式PECVD是HBC電池制程里技術(shù)難度最大同時也是最昂貴的設(shè)備。見下表:
主流板式PECVD廠商設(shè)備對比
(來源:普樂科技POPSOLAR®)
從目前主流廠商實際表現(xiàn)來看,板式PECVD在工藝控制和成本控制方面,還有較大的提升空間。
(3)TCO和低溫銀漿
TCO透明導(dǎo)電膜
制備TCO透明導(dǎo)電膜,采用PVD或RPD設(shè)備。PVD工藝較為成熟,國際領(lǐng)頭羊公司的PVD設(shè)備產(chǎn)能可達8000片/小時,國產(chǎn)PVD設(shè)備產(chǎn)能也達到了8000片/小時,未來有望提升至10000片/小時,可進一步降低TCO成本;RPD設(shè)備方面,國產(chǎn)RPD設(shè)備每小時產(chǎn)能達到5500片,還在進一步提高。
制備良好的TCO膜,需要合適的薄膜材料。這種薄膜材料的特性要求為:1) 透明性要好;2) 電導(dǎo)率要盡量高;3)要與其接觸的硅薄膜的功函數(shù)相匹配;4) 在迎光面的TCO膜需要載流子濃度低,以避免紅外吸收;5) 靶材料成本要足夠低;6) 鍍成的薄膜應(yīng)較為穩(wěn)定,不容易在氣氛中分解。制備HJT電池的TCO膜,一般選用應(yīng)用廣泛但成本較高的ITO膜,而HBC電池,只需背面鍍TCO膜,可以選用較低成本的AZO膜。
低溫銀漿
跟HJT電池工藝一樣,經(jīng)典HBC電池整段工藝都是在200℃左右制備,因此金屬化工藝需要使用低溫漿料;但由于HBC電池只需單面印刷銀漿,銀漿成本始終會低于HJT(同理,TBC銀漿成本低于TOPCon)。低溫銀漿為絲網(wǎng)印刷增加了難度和成本,主要在于低溫聚合物必須在-20℃下儲存,一旦打開聚合物就開始反應(yīng),這意味著必須立刻使用漿料;同時低溫銀漿的導(dǎo)電性能弱于高溫銀漿,需要提高銀的含量來提高導(dǎo)電性。目前低溫銀漿由于對原料要求高,90%的低溫銀漿由日本一家供應(yīng)商供應(yīng),成本比常規(guī)高溫銀漿高出不少。目前國產(chǎn)廠商在積極量產(chǎn)低溫銀漿。
原標題: HBC電池效率及工藝難點