一、拉晶、切方過程中的損耗
根據(jù)某拉晶廠最新的環(huán)評報告,切方過程會產(chǎn)生的28.57%邊角料,主要是頭尾料和邊皮料,這些邊角料經(jīng)過擦拭污跡,去除雜質(zhì)、破碎、酸洗等步驟,再經(jīng)純水清洗、烘干、冷卻、檢驗合格后回用。
因此,拉晶、切方中真正產(chǎn)生的損耗有:拉晶損耗2.31%,切方損耗2.16%,酸洗損耗0.29%,合計損耗4.76%??紤]到邊角料循環(huán)拉棒切方產(chǎn)生的損耗,經(jīng)過簡單的求極限可知硅料合計損耗6.19%。
因此,1kg硅料經(jīng)過拉晶、切方后能產(chǎn)出0.9381kg方棒。
需要指出的是,鍋底料是殘留在石英坩堝中的余料,有些廠家會通過去除石英、酸洗、清洗、烘干、冷卻后回用,也有廠家會把它當做固廢處理、出售。
表1:某拉晶廠環(huán)評報告數(shù)據(jù)
二、方棒切片的出片量和損耗
通過每公斤方棒的長度,除以槽距(硅片厚度+金剛線線徑+砂徑),再考慮到良率后,即可得出片數(shù)。以182邊長、165微米厚的M10硅片為例,每千克方棒可切片55.03片,計算過程如下:
表2:由硅棒切M10-182硅片的數(shù)量計算
切片損耗計算:通過每片硅片的重量,可以計算出每公斤硅棒最終切出的硅片重量。
圖1:常見M10-182硅片截面尺寸
表3:M10硅片重量計算
因此,每公斤方棒切出的硅片總重量為:55.03*12.691=698.39(克)。由此可見,方棒切片環(huán)節(jié)的硅損耗就是切割的磨損,大約為30%左右,可以說是所有環(huán)節(jié)中損耗最大的部分。該部分損耗除部分不合格硅片可以清洗重復利用外,其它切割產(chǎn)生的硅屑都無法重復利用,一般作為廢料對外出售。
三、硅片到組件封裝功率
接切片環(huán)節(jié),55.03片(對應1kg方棒)硅片最終封裝至組件中為53.66片,可支撐377.28W組件功率。
表4:每公斤方棒支撐組件功率
根據(jù)1kg硅料形成0.9381kg方棒,1kg硅料可支撐353.93W組件。因此,以M10尺寸計算,1萬噸硅料支撐3.54GW組件。
用同樣的方法來推算P型M6、M12,和更薄更高效的N型M10和N型M12所對應的組件功率,可以得到以下結果:
表5:不同尺寸硅片對應硅料組件產(chǎn)出
四、2022年硅料/組件產(chǎn)出比展望
隨著硅片薄片化、金剛線線徑下降、電池組件效率的提升,1萬噸硅料對應3.3GW的時代已經(jīng)遠去,現(xiàn)在時點一萬噸硅料對應3.5GW組件產(chǎn)出是比較合適的。
而隨著N型電池技術如異質(zhì)結、TOPCon的普及,電池效率會進一步提升至24%+、25%+,萬噸硅料支撐的組件功率數(shù)將達到3.95GW左右,疊加更好的串聯(lián)及封裝工藝,以萬噸硅料對應4GW(1:4)也有望實現(xiàn)。
此外,金剛線線徑向40微米以下進發(fā),也直接降低了切片損耗;如果再考慮拉棒端的工藝提升帶來的硅耗降低,比如拉棒效率的提升、鍋底料的復用,如果未來硅片競爭更加激烈,還能榨出一點空間;再考慮到硅片的減薄,如中環(huán)已經(jīng)推出了150um、160um的硅片,也就是說,硅料廠啥都不做,單靠下游的技術進步,按照以往萬噸硅料對應3.3GW的量計算,就能多出20%的組件產(chǎn)量,想想還有點小驚喜呢。
另外對比可知,210硅片切片良率要比182低一些,金剛線線徑也會比182尺寸粗一些,所以210尺寸的硅耗會多一些,形成組件的功率要稍低一些。
各種技術進步推動硅料/組件產(chǎn)出比不斷提升后,相同的硅料產(chǎn)能未來能支撐20%的組件產(chǎn)量。根據(jù)??對王勃華CPIA報告的解讀,2021年Q4的硅料產(chǎn)量,加上2021年底前形成的硅料產(chǎn)能對應2022年的產(chǎn)量,就能滿足2022年的全部新增裝機需求。如果加上技術進步帶來的組件產(chǎn)量額外增量,2022年及以后的硅料供應會更加充裕。
而到2022年底前,全球?qū)⑿纬砂偃f噸級的硅料產(chǎn)能,洶涌擴產(chǎn)的硅料未來會何去何從?
原標題: 揭秘:1萬噸硅料,到底能產(chǎn)多少GW組件?